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interstitial solid solutionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
The silicon solid solution layer 106 has a structure in which silicon is arranged as an interstitial element or a substitutional element in a copper crystal structure forming the copper interconnect line 107.例文帳に追加
シリコン固溶層106は、銅配線107を構成する銅の結晶構造中にシリコンが格子間元素または置換元素として配置された構造となっている。 - 特許庁
Silicon-containing copper forming the silicon solid solution 106 is kept in a state in which silicon is introduced as an interstitial element or a substitutional element while the silicon-containing copper maintains a copper crystal structure (face-centered cubic lattice;lattice constant 3.6Å).例文帳に追加
シリコン固溶層106を構成するシリコン含有銅は、銅の結晶構造(面心立方格子;格子定数3.6オングストローム)を維持しつつ格子間元素または置換元素としてシリコンが導入された状態となっている。 - 特許庁
The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.例文帳に追加
本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ10の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域(DZ層)12内に固溶酸素濃度が0.7×10^18atoms/cm^3以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域12内には、格子間シリコン14が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁
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