lateral confinementとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor optical element which can improve confinement in a lateral mode.例文帳に追加

横モードの閉じ込めを強めることが可能な半導体光素子が提供される。 - 特許庁

To provide a waveguide structure for obtaining fine lateral mode confinement for use in QCL and mid-infrared wavelength VCSEL.例文帳に追加

ＱＣＬおよび中赤外波長ＶＣＳＥＬで用いるための、良好な横モード閉じ込めが得られる導波構造を提供する。 - 特許庁

The lower semiconductor DBR 103 is disposed on the substrate 101 side with respect to the resonator structure and has a second lower semiconductor DBR which is a light confinement reducing region for reducing light confinement in the lateral direction.例文帳に追加

下部半導体ＤＢＲ１０３は、共振器構造体に対して基板１０１側に設けられ、横方向に関する光閉じ込めを低減させる光閉じ込め低減領域としての第２の下部半導体ＤＢＲを有している。 - 特許庁

The mesa stripe is buried in a high resistance Fe doped InP layer 28 and an n-type InP layer 29 grown sequentially to form a current confinement structure in the lateral direction.例文帳に追加

メサストライプは、順次成長させた、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９で埋め込まれ、横方向の電流閉じ込め構造が形成されている。 - 特許庁

In the upper semiconductor DBR 107, an oxidized layer 108a containing at least an oxide generated by oxidizing part of selected oxidized layer containing aluminum and having 30 nm thickness surrounds a current passing-through region 108b and an oxidized confinement structure capable of simultaneously confining an injected current and a lateral mode of oscillation light is included in the upper semiconductor DBR.例文帳に追加

上部半導体ＤＢＲ１０７は、アルミニウムを含む厚さ３０ｎｍの被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を少なくとも含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲み、注入電流と発振光の横モードを同時に閉じこめることができる酸化狭窄構造体をその中に含んでいる。 - 特許庁