layer capacitanceとは 意味・読み方・使い方

A first dielectric film 2 is interposed between a part of a semiconductor layer and the capacitance line to form a first storage capacitance 70a, and a second dielectric film 81 is interposed between the capacitance line and a part of the barrier layer to form a second storage capacitance 70b.例文帳に追加

半導体層の一部と容量線が第１誘電体膜（２）を挟持して第１蓄積容量（７０ａ）を構成し、容量線とバリア層の一部が第２誘電体膜（８１）を挟持して第２蓄積容量（７０ｂ）を構成する。 - 特許庁

1st storage capacitance 70a is formed of a part of a semiconductor layer and the capacitance lines, 2nd storage capacitance 70b is formed of the capacitance lines and a part of a 1st barrier layer, and 3rd storage capacitance 70c is formed of a part of the semiconductor layer and the 1st shielding film, respectively.例文帳に追加

半導体層の一部及び容量線から第１蓄積容量（７０ａ）、容量線及び第１バリア層の一部から第２蓄積容量（７０ｂ）、半導体層の一部及び第１遮光膜の一部から第３蓄積容量（７０ｃ）が夫々構築されている。 - 特許庁

The auxiliary capacitance has an auxiliary capacitance electrode electrically connected to the pixel electrode, an auxiliary capacitance common electrode disposed so as to be opposed to the auxiliary capacitance electrode and a dielectric layer disposed between the auxiliary capacitance electrode and the auxiliary capacitance common electrode.例文帳に追加

補助容量は、前記画素電極と電気的に接続された補助容量電極と、補助容量電極と対向するように配置された補助容量共通電極と、補助容量電極と補助容量共通電極との間に配置された誘電体層とを有する。 - 特許庁

After an auxiliary capacitance semiconductor layer 37 and then a resist mask are formed, impurity ions are injected into the auxiliary capacitance semiconductor layer 37.例文帳に追加

補助容量半導体層37を形成し、レジストを形成した後、補助容量半導体層37に不純物イオンを注入する。 - 特許庁

At the bottom of the opening section 20a, a capacitance electrode layer 16 forming a capacitance together with the layer 22c is provided.例文帳に追加

開口部２０ａの底部には、層２２ｃとの間に静電容量を形成する容量電極層１６を設ける。 - 特許庁

On the 2nd capacitance electrode layer 54, a 3rd capacitance layer 70 is extendedly arranged via an interlayer insulating electrode film 15.例文帳に追加

第２の容量電極層５４上には、層間絶縁膜１５を介して、第３の容量電極層７０が延設されている。 - 特許庁

To provide an electric double layer capacitor of large electrostatic capacitance.例文帳に追加

静電容量が大きい電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

DEPLETION LAYER CAPACITANCE CALCULATION APPARATUS AND C-V CHARACTERISTIC MEASURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体の空乏層容量算出装置及びＣ−Ｖ特性測定装置 - 特許庁