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memory metalとは 意味・読み方・使い方
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「memory metal」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 339件
METAL CONTACT-POTENTIAL DIFFERENCE MEMORY例文帳に追加
金属接触電位差メモリー - 特許庁
MOCVD METAL OXIDE FOR ONE TRANSISTOR MEMORY例文帳に追加
1トランジスタメモリ用のMOCVD金属酸化物 - 特許庁
SHAPE MEMORY METAL COIL AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
形状記憶性金属コイルおよびその製造方法 - 特許庁
CONDUCTIVE METAL OXIDE GATE FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTOR例文帳に追加
導電性金属酸化物ゲート強誘電体メモリトランジスタ - 特許庁
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「memory metal」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 339件
METHOD FOR FORMING METAL WIRING AND CONTACT PLUG FOR FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加
フラッシュメモリ素子の金属配線およびコンタクトプラグ形成方法 - 特許庁
The memory cell MC includes P channel MOS (Metal-Oxide Semiconductor) transistors (TRs) 1 to 3.例文帳に追加
メモリセルMCは、PチャネルMOSトランジスタ1〜3を含む。 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTOR WITH SEMICONDUCTIVE METAL OXIDE THIN FILM例文帳に追加
半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ - 特許庁
A metal body 22 is a shape memory alloy, and after being deformed, the metal body 22 is heated using, for example, a lamp heater.例文帳に追加
金属体22は、形状記憶合金であり、変形させた後、ランプヒータ等で加熱される。 - 特許庁
A resistance change layer 22 includes a memory layer 24 formed of a metal oxide film and an ion source layer 25 supplying metal ions to the memory layer 24 or receiving the metal ions supplied to the memory layer 24.例文帳に追加
抵抗変化層22は、金属酸化物膜からなる記憶層24と、記憶層24に金属イオンを供給もしくは記憶層24に供給した金属イオンを受給するイオン源層25からなる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT CONTAINING RESISTOR OF METAL-INSULATOR TRANSITION FILM例文帳に追加
金属−絶縁体転移膜の抵抗体を含む半導体メモリ素子 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device includes a unit cell array MAT having a first metal 27, a second metal 36 crossing the first metal 27, and a memory cell MC connected at an intersection of the first metal 27 and second metal 36 between them.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置は、第1メタル27、第1メタル27と交差する第2メタル36、第1メタル27及び第2メタル36の交差部でそれらの間に接続されたメモリセルMCを有する単位セルアレイMATを備える。 - 特許庁
A SYMMETRIC ARCHITECTURE FOR MEMORY CELLS HAVING WIDELY SPREAD METAL BIT LINES例文帳に追加
広く分布したメタルビット線を有するメモリセルのための対称アーキテクチャ - 特許庁
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