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metal interconnectとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 金属相互接続
「metal interconnect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 95件
Furthermore, bump electrodes or barrier metal is used for semiconductor device interconnect lines in addition to aluminum interconnect lines.例文帳に追加
さらに、半導体装置の配線をアルミ配線だけでなく、バンプ電極あるいは、バリアメタルを用いた。 - 特許庁
An interconnect metal layer PC is formed so as to fill the plurality of groove portions.例文帳に追加
複数の溝部を充填するように配線金属層PCが形成される。 - 特許庁
INTERCONNECT STRUCTURE WITH BI-LAYER METAL CAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加
2層金属キャップを有する相互接続構造体及びその製造方法 - 特許庁
A metal film 24 is patterned in the shape of an interconnect 20 by etching.例文帳に追加
金属膜24を配線20の形状にエッチングしてパターニングする。 - 特許庁
That trench is formed of a metal barrier film and filled with Cu thus forming an interconnect line.例文帳に追加
この溝にメタルバリア膜を設け、Cuを充填し配線とする。 - 特許庁
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「metal interconnect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 95件
METHOD OF INCREASING ELECTROMIGRATION LIFETIME IN METAL INTERCONNECT例文帳に追加
金属インタ—コネクトでのエレクトロマイグレ—ション寿命を増加させる方法 - 特許庁
MULTILAYERED BARRIER-METAL THIN FILM FOR COPPER INTERCONNECT BY ALCVD例文帳に追加
ALCVDによるCuインターコネクトのための多層バリアメタル薄膜 - 特許庁
An interconnect 18 and the intermediate metal layer 12 are connected through the contact hole, and the interconnect 18 is covered with a passivation film 40 finally.例文帳に追加
コンタクトホールを介して配線18と中間金属層12を接続し、最終的にパッシベーション膜40で配線18を覆う。 - 特許庁
The semiconductor device includes a semiconductor substrate, a first insulating film (third insulating film 24) formed on the semiconductor substrate, having a first trench (second interconnect trench 28), and having a composition ratio varying along the depth, and a first metal interconnect (second metal interconnect 25) filling the first trench (second interconnect trench 28).例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第1の溝(第2の配線溝28)を有し、高さ方向において組成比が異なる第1の絶縁膜(第3の絶縁膜24)と、第1の溝(第2の配線溝28)を埋める第1の金属配線(第2の金属配線25)とを備えている。 - 特許庁
INTERCONNECT-EMBEDDING TYPE METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
相互接続埋め込み式金属絶縁体金属コンデンサ及びその製造方法 - 特許庁
METAL-INSULATING FILM-METAL CAPACITOR OF LOWER PART OF PRIMARY INTERCONNECT LINE, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
第1の配線下部の金属−絶縁膜−金属キャパシタ及びそれの製造方法 - 特許庁
To fabricate a metal-insulator-metal capacitor embedded in an interconnect layer of an integrated circuit.例文帳に追加
集積回路の相互接続の中に埋め込まれる金属−絶縁体−金属コンデンサを製造すること。 - 特許庁
In one embodiment, this method of fabricating an interconnect structure with a bi-layer metal cap includes the steps of: forming an interconnect structure portion in a dielectric material layer; and forming a bi-layer metallic cap on the top surface of an interconnect structure portion.例文帳に追加
1つの実施形態において、本方法は、誘電体材料層内に相互接続構造部を形成するステップ、及び、相互接続構造部の上面に2層金属キャップを形成するステップを含む。 - 特許庁
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