mismatch dislocationとは 意味・読み方・使い方

A crystalline nucleus 14 of non-dislocation is subjected to heteroepitaxial growth on the main surface 12 of a substrate 10 so that it may be smaller than critical size wherein misfit dislocation occurs because of lattice mismatch.例文帳に追加

基板１０の主面１２に、格子不整合によりミスフィット転位が発生する臨界サイズより小さく、無転位の結晶核１４をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Consequently, distortion of the crystal due to the lattice mismatch is sufficiently moderated to ensure a semiconductor crystal with less dislocation defect.例文帳に追加

これにより、格子不整合による歪みが十分に緩和され、転位欠陥の少ない半導体結晶が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has no distortion or defect such as lattice mismatch or crystal dislocation when crystal growth is made on a substrate, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

基板上に結晶を成長させる際、格子不整合や結晶の転位などの歪みや欠陥がない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which has a base plate and a compound semiconductor layer formed on the base plate and has a lattice mismatch of 2% or higher between the base plate and the compound semiconductor layer, and which can reduce generation of crystalline defect or dislocation.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成される化合物半導体層との格子不整合性が２％以上ある化合物半導体において、化合物半導体層における結晶欠陥すなわち転位の発生を低減する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin and the density of threading dislocation in the SiGe layer incident to lattice mismatch of Si and SiGe can be reduced.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化を図ることができ、かつ、ＳｉとＳｉＧｅとの格子不整合により発生するＳｉＧｅ層における貫通転位密度の低減化を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a defect, such as a Ga hole, by doping Al at the time of GaN growing, to reduce the defect, such as a dislocation, caused by lattice mismatch, and to provide a high quality GaN semiconductor light emitting element and its manufacturing method capable of improving electrical characteristics and optical characteristics.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a high-quality GaN semiconductor light-emitting element which can be improved in electrical characteristics and optical characteristics by reducing defects such as Ga voids or the like by doping Al when growing GaN and reducing defects by lattice mismatch such as dislocation or the like, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁