mismatched layerとは 意味・読み方・使い方

This method grows the nitride semiconductor layer grid-mismatched or heat-mismatched with a substrate 12 on the substrate without crystal defects.例文帳に追加

本方法は、基板１２に対して格子不整合又は熱不整合の窒化物半導体層を結晶欠陥なく基板上に成長させる方法である。 - 特許庁

GROWTH OF III-GROUP NITRIDE FILM ON MISMATCHED SUBSTRATE WITHOUT USUAL NUCLEAR LAYER FORMED AT LOW TEMPERATURE例文帳に追加

通常の低温核生成層なしでのミスマッチした基板上におけるＩＩＩ族窒化物フィルムの成長 - 特許庁

To prevent settings such as recording and reproducing modes from being mismatched with a mode or the like of an information recording layer, even when access to an information recording layer different from a target information recording layer is performed due to a false operation or the like of an information recording and reproducing apparatus.例文帳に追加

情報記録再生装置の誤動作等によりアクセスする情報記録層とは別の情報記録層にアクセスしてしまったような場合でも、記録・再生制御方式等の設定がその情報記録層の方式等とミスマッチしないようにする。 - 特許庁

To improve efficiency of a light-emitting device by improving crystallinity of another nitride semiconductor, growing on the surface of an n-type nitride semiconductor layer, by providing a method for growing the n-type nitride semiconductor layer with less lattice defects when the n-type nitride semiconductor layer grows on the surface of a lattice-mismatched substrate, with a vapor phase growth method, such as a MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、ｎ型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。 - 特許庁