mos transistor structureとは 意味・読み方・使い方

A protection element 1 has a structure in which a vertical bipolar transistor Q1 and a parasitic bipolar transistor Q2 are formed in a part of a device with a MOS structure.例文帳に追加

保護素子１は、MOS構造のデバイスの一部に、縦型バイポーラトランジスタＱ１と寄生バイポーラトランジスタＱ２とを形成した構造になっている。 - 特許庁

A protection element 1 has a structure in which a vertical type bipolar transistor Q1 and a parasitic bipolar transistor Q2 are formed in the part of the device of a MOS structure.例文帳に追加

保護素子１は、MOS構造のデバイスの一部に、縦型バイポーラトランジスタＱ１と寄生バイポーラトランジスタＱ２とを形成した構造になっている。 - 特許庁

A MOS transistor constituting the circuit for CBCM has the following structure.例文帳に追加

ＣＢＣＭ用回路を構成するＭＯＳトランジスタは以下の構造を有する。 - 特許庁

Size and shape of the structure are set so as to balance carrier mobilities between the p-channel MOS transistor and the n-channel MOS transistor.例文帳に追加

その際、ｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタのキャリア移動度が平衡するように、前記構造の寸法・形状を設定する。 - 特許庁

Then, a MOS transistor structure is manufactured on the surface of the n^- high resistance layer 4.例文帳に追加

続いて、ｎ−高抵抗層４の表面にＭＯＳトランジスタ構造を作製する。 - 特許庁

This vertical MOS field effect transistor 1 has a super junction structure 13.例文帳に追加

縦型ＭＯＳ電界効果トランジスタ１は、スーパージャンクション構造１３を備えている。 - 特許庁

STRUCTURE OF MOS TRANSISTOR HAVING INCREASED SUBSTRATE RESISTANCE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

増大した基板抵抗値を有するＭＯＳトランジスタの構造体とその製造法 - 特許庁

MOS TRANSISTOR HAVING RAISED SOURCE/DRAIN STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

上昇されたソース／ドレーン構造を有するＭＯＳトランジスタ及びこの製造方法 - 特許庁