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MOS transistor capacitanceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 MOSトランジスタの容量
「MOS transistor capacitance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 47件
To miniaturize a vertical MOS transistor and to reduce the parasitic resistance and the parasitic capacitance increased by the miniaturization.例文帳に追加
縦型MOSトランジスタの小型化、それに伴い増加する寄生抵抗、寄生容量の低減。 - 特許庁
To provide a transimpedance amplifier using an MOS transistor having low capacitance and low in resistance.例文帳に追加
低容量でオン抵抗が低いMOSトランジスタを用いたトランスインピーダンスアンプを実現する。 - 特許庁
Consequently, it is possible to calculate the gate to drain capacitance of the MOS transistor.例文帳に追加
したがって、MOSトランジスタのゲート・ドレイン間容量を高精度に算出することができる。 - 特許庁
To reduce parasitic capacitance and resistance regarding the source/ drain of a MOS transistor.例文帳に追加
MOSトランジスタのソース・ドレインに関する寄生容量と寄生抵抗とを低減する。 - 特許庁
A MOS transistor switch controlled by a control signal SS is connected to a sample and hold circuit (SH) constituted of capacitance CL2.例文帳に追加
また制御信号SSで制御されるMOSトランジスタスイッチと、容量CL2からなるサンプルホールド回路(SH)が接続されている。 - 特許庁
Furthermore, in the digital/analog converter, a second capacitance control switch element is turned off when a second MOS transistor is turned on, and the second capacitance control switch element is turned on when the second MOS transistor is turned off.例文帳に追加
さらに、デジタル/アナログ変換器において、第2の容量制御用スイッチ素子は、第2のMOSトランジスタがオンするときオフし、一方、前記第2のMOSトランジスタがオフするときオンする。 - 特許庁
In the digital/analog converter, a first capacitance control switch element is turned off when a first MOS transistor is turned on, and the first capacitance control switch element is turned on when the first MOS transistor is tuned off.例文帳に追加
デジタル/アナログ変換器において、第1の容量制御用スイッチ素子は、第1のMOSトランジスタがオンするときオフし、一方、前記第1のMOSトランジスタがオフするときオンする。 - 特許庁
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「MOS transistor capacitance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 47件
Therefore, the junction capacitance of the MOS transistor can be reduced, because a source region and a drain region having required concentrations and depths can be formed in the N-type MOS transistor region of the substrate 1.例文帳に追加
したがって、N型MOSトランジスタ領域には必要な濃度及び深さのソース及びドレイン領域を形成でき、接合容量の低減を図ることができる。 - 特許庁
To reduce gate-drain capacitance of a vertical power MOS transistor having trench gate structure.例文帳に追加
トレンチゲート構造を有する縦型パワーMOSトランジスタのゲート・ドレイン間容量の低減を図る。 - 特許庁
The light-receiving transistor Tr21 and the holding capacitance element C1 are each formed by a MOS (Metal Oxide Semiconductor) type structure.例文帳に追加
受光用トランジスタTr21および保持容量素子C1はそれぞれ、MOS型構造により形成されている。 - 特許庁
This semiconductor memory is provided with a MOS transistor, first insulation films (16, 21 and 22), a capacitance part and a first contact part (17').例文帳に追加
本発明による半導体記憶装置は、MOSトランジスタと、第1絶縁膜(16、21、22)と、容量部と、第1コンタクト部(17’)とを具備する。 - 特許庁
A capacitance element 107 is connected to a terminal 202 of the delay circuit 100 via a P-channel MOS transistor 105.例文帳に追加
遅延回路100の端子202に、Pチャネル型MOSトランジスタ105を介して容量素子107を接続する。 - 特許庁
To reduce the gate resistance and the gate/drain capacitance simultaneously, in an MOS transistor of multi-fingered gate structure.例文帳に追加
多フィンガーゲート構造のMOSトランジスタにおいて、ゲート抵抗とゲート・ドレイン間容量を、同時に低減する。 - 特許庁
To provide a MOS transistor which can reduce gate overlap capacitance while not reducing a drive current thereof.例文帳に追加
MOSトランジスタの駆動電流は減少させず、ゲートオーバーラップキャパシタンスを低減できるMOSトランジスタを提供する。 - 特許庁
To prevent generation of a punch-through in a MOS transistor and also to reduce junction capacitance of a source layer and a drain layer.例文帳に追加
MOSトランジスタのパンチスルーを防止すると共に、ソース層及びドレイン層の有する接合容量を低減する。 - 特許庁
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