oxide trapsとは 意味・読み方・使い方

The disk trap TRP1 traps secondary products CxHy during generating of the silicon oxide film.例文帳に追加

ディスクトラップＴＲＰ１は、シリコン酸化膜生成時の副生成物Ｃ_ｘＨ_ｙを捕集する。 - 特許庁

Thus, carrier traps on the boundary face in the gate oxide film 7 or on the boundary face between the gate oxide film 7 and the silicon carbide can be reduced, the FET characteristics stabilized, and the reliability of the gate oxide film 7 improved.例文帳に追加

このため、ゲート酸化膜７中又はゲート酸化膜７と炭化珪素との界面におけるキャリアトラップを低減でき、ＦＥＴ特性を安定にできると共にゲート酸化膜７の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

To obtain a surface channel type MOS (metal oxide semiconductor) transistor that prevents a B punch-through, applies a normal oxide film and a nitride oxide film with a low concentration of nitrogen due to N_2O as a gate insulating film at a desired film thickness, becomes unnecessary to use a gate insulating film with a number of electronic traps, and has excellent characteristics.例文帳に追加

Ｂ突き抜けが防止され、ゲート絶縁膜として通常の酸化膜やＮ_２Ｏによる低窒素濃度の窒化酸化膜等を所望の膜厚で適用でき、電子トラップの多いゲート絶縁膜を用いる必要が無くなり、良好な特性を有する表面チャネル型ＭＯＳトランジスタを得ること - 特許庁

Here, by accumulating charges in traps, existing between each nitride film 12, 14, 16 and its lower layer, and each of the oxide films 11, 13, 15, 17, information of four values ("00", "01", "10", "11") is stored.例文帳に追加

ここで、各窒化膜１２，１４，１６とその下層の各酸化膜１１，１３，１５，１７との間に存するトラップに電荷を蓄積することで、４値（"００"，"０１"，"１０"，"１１"）の情報が記憶される。 - 特許庁

Through charge migration between an organic semiconductor layer 3 and the metal oxide layer 5, a region including a plenty of carriers and a small number of traps is formed up to near the end of the electrode 4 in which the current concentrates, thereby the contact resistance is greatly reduced.例文帳に追加

有機半導体層３と金属酸化物層５との間の電荷移動により、電極４の電流が集中する端近傍まではキャリアが豊富でトラップの少ない領域が形成されるので、コンタクト抵抗が大幅に低下する。 - 特許庁