peripheral interface channelとは 意味・読み方・使い方

A service processor 1 when initializing a peripheral device 3 reads out an input-output interface type which is stored on a disk 12 and sends the type to a channel device 2.例文帳に追加

サービスプロセッサ１は、周辺装置３の初期化にあたって、ディスク１２に記憶されている入出力インターフェイスタイプを読み出して、これをチャネル装置２に送信する。 - 特許庁

An information processing apparatus capable of communication with peripheral devices through a communication interface includes: first communication means for performing data communication using the communication interface through a single communication channel; second communication means for performing data communication using the communication interface through a plurality of communication channels; and selection means for selecting any one of the first communication means and the second communication means depending on the content of data communication performed with the peripheral devices.例文帳に追加

通信インターフェースを介して周辺装置と通信可能な情報処理装置であって、前記通信インターフェースを使用したデータ通信を単一の通信チャネルを介して行う第１の通信手段と、前記通信インターフェースを使用したデータ通信を複数の通信チャネルを介して行う第２の通信手段と、前記周辺装置と行うデータ通信の内容に応じて前記第１の通信手段または前記第２の通信手段のいずれかを選択する選択手段とを有する。 - 特許庁

When a user instructs wireless LAN connection through an operation panel 4, a CPU 1 receives beacons issued by peripheral APs by using a wireless LAN interface 5, analyzes the respective beacons, stores identification information (SSID and channel are desirable) in a nonvolatile memory 2, and compares the connection history in the storage device 3 with the identification information.例文帳に追加

ユーザからオペレーションパネル４によって、無線ＬＡＮ接続の指示があった場合、ＣＰＵ１は、無線ＬＡＮインターフェース５を使って周囲のＡＰが発するビーコンを受信、各々のビーコンを解析して識別情報（ＳＳＩＤとチャンネルが好ましい）を不揮発性メモリ２へ格納、記憶装置３内の接続履歴とその識別情報とを比較する。 - 特許庁

As a result, negative electric charges formed on the interface of the light oxide films 11a and 11b, the sidewall film 12 of the upper layer thereof and a sidewall spacer 16 can be reduced, the refresh characteristics of memory cells can be improved, and the occurrence of the kink phenomenon in the p-channel type MISFET of the peripheral circuit can be reduced.例文帳に追加

その結果、ライト酸化膜１１ａ、１１ｂとその上層のサイドウォール膜１２およびサイドウォールスペーサ１６との界面に形成される負電荷量を低減させることができ、メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させることができる。 - 特許庁