radiation recombinationとは 意味・読み方・使い方

To provide a method by which the center of a non-radiative recombination of ZnO such as the surface state, the dislocation and other non-radioactive recombination center of ZnO is passivated to improve and increase the radiation efficiency of a ZnO sample.例文帳に追加

表面状態、転位及び他の非放射性再結合中心などのＺｎＯの非放射再結合中心が不動態化されることを可能にし、結果的にあらゆるＺｎＯ試料の放射効率及び効率が増加されることを可能にする方法を提供する。 - 特許庁

The device for emitting radiation at the predetermined wavelength has a cavity with an active layer wherein the radiation is generated by charge carrier recombination, the cavity comprises a radiation confinement space that includes confinement features for the charge carriers, and the device comprises at least one edge having a substantially random grating structure.例文帳に追加

放射線を所定の波長にて発するデバイスが、電荷キャリアの再結合によって該放射線が生じる活性層を備えるキャビティを含み、該キャビティは、該電荷キャリアについての閉じ込め特徴を含む放射線閉じ込め空間を有し、該デバイスは、実質的にランダムな回折格子構造を有する少なくとも１つのエッジを含む。 - 特許庁

When the oxygen-rich layer (4) is formed, the semiconductor substrate (1) is irradiated with the radiation and atomic vacancies are formed among the crystal lattices of the semiconductor substrate (1), the recombination region (5) is formed to the oxygen-rich layer (4) by composite faults formed by bonding oxygen and the atomic vacancies.例文帳に追加

酸素富裕層(4)を形成した後に、半導体基板(1)に放射線を照射して、半導体基板(1)の結晶格子間に原子空孔を形成すると、酸素と原子空孔とが結合して成る複合欠陥により酸素富裕層(4)に再結合領域(5)が形成される。 - 特許庁

Additionally, the electrode 18 having a larger area is a positive electrode and the electrode 17 having a smaller area is a negative electrode, thereby electrons of the positive electrode are increased, radiated lights are multiplied due to dissociative recombination radiation by the electrons of the positive electrode and a discharge medium and light emitting efficiency is enhanced.例文帳に追加

また、面積の大きい電極18を正極、面積の小さい電極17を負極とすることにより、正極の電子を増大させ、正極の電子と放電媒体とによる解離再結合放射によって放射光を増大させ、発光効率を向上させる。 - 特許庁

An oxygen-rich layer (4) having an oxygen concentration higher than the other depth regions (16 and 17) of a semiconductor substrate (1) is formed to the specified depth region (15) of the semiconductor substrate (1), and the semiconductor substrate (1) is irradiated with a radiation and a recombination region (5) is formed to the oxygen-rich layer (4).例文帳に追加

半導体基板(1)の所定の深さ領域(15)に半導体基板(1)の他の深さ領域(16,17)より酸素濃度の高い酸素富裕層(4)を形成し、半導体基板(1)に放射線を照射して、酸素富裕層(4)に再結合領域(5)を形成する。 - 特許庁