resistivity substrateとは 意味・読み方・使い方

The support substrate 8 is formed of material quality having a lower volume resistivity than the volume resistivity of the ferroelectric single crystal of the wavelength conversion substrate 2.例文帳に追加

支持基板８が、波長変換用基板２の強誘電性単結晶の体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する材質からなる。 - 特許庁

The substrate 21 below the extension electrode is made a state of high resistivity.例文帳に追加

拡張電極４３下部の基板２１を前記高比抵抗の状態とする。 - 特許庁

METHOD FOR GUARANTEEING RESISTIVITY OF SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, AND SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶基板の抵抗率保証方法及びシリコン単結晶基板の製造方法並びにシリコン単結晶基板 - 特許庁

At least one of the support substrate 2 and the upper substrate 5 is formed of material quality having a lower volume resistivity than the volume resistivity of the ferroelectric single crystal.例文帳に追加

支持基板２と上側基板５との少なくとも一方が、強誘電性単結晶の体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する材質からなる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor crystal substrate allowing the resistivity to be reduced and preventing degradation of the resistivity in-plane distribution.例文帳に追加

抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING CONDUCTIVITY TYPE AND RESISTIVITY OF SEMICONDUCTOR SILICON SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率の測定方法、及び半導体シリコン基板の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED EFFECTIVE RESISTIVITY OF SUBSTRATE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

減少した有効基板固有抵抗を有する半導体デバイス及びその製造方法 - 特許庁

The volume resistivity of the pyroelectric substrate 2 is 1×10^10 to 1×10^13 Ωcm.例文帳に追加

焦電性基板２の体積抵抗率を、１×１０^10〜１×１０^13Ωｃｍとする。 - 特許庁