rotation alとは 意味・読み方・使い方

A vertical direction angle between a horizontal plane HS passing through the rotation center FP of the ball joint 20 on the fixed side and a coupling axis AL to intercouple the rotation centers FP and MP of the two ball joints 20 and 50 is set to approximately zero.例文帳に追加

ボールジョイント２０の回動中心ＦＰを通る水平面ＨＳと、両ボールジョイント２０，５０の回動中心ＦＰ，ＭＰを結ぶ連結軸線ＡＬとのなす垂直方向角度をほぼ０とする。 - 特許庁

In order to form an electrode 3, for example, on a θ rotation Y-cut (θ=36° to 42°) LiTaO_3 piezoelectric substrate 2, an underlying electrode layer including Ti or Cr as a primary component is formed, and an Al electrode layer 4 including Al as a primary component is then formed on this underlying electrode layer 5.例文帳に追加

たとえばθ回転Ｙカット（θ＝３６°〜４２°）のＬｉＴａＯ_3圧電基板２上に電極３を形成するため、ＴｉまたはＣｒを主成分とする下地電極層５を形成し、その上にＡｌを主成分とするＡｌ電極層４を形成する。 - 特許庁

The Al alloy sheet for forming is composed of an alloy material of an Al-Mg-Si series or an Al-Mg-Si-Cu series as a raw material, Defining a cube orientation density as C and ND rotation as N, C<15, N<15, 1/20<N/C<1 are satisfied.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系又はＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ−Ｃｕ系のＡｌ合金を素材とし、キューブ方位密度をＣ、ＮＤ回転キューブ方位の密度をＮとし、Ｃ＜１５、Ｎ＜１５、１／２０＜Ｎ／Ｃ＜１を満たし、さらに耳率が７％以下、結晶粒度がＡＳＴＭナンバーで５以上である成形加工用Ａｌ合金板。 - 特許庁

To improve the disadvantage of the conventional pump whose rotation al number at rated flow and declared power is set up as a maximum revolution per minute, that is incapable of full utilization of pump performance and difficult to expand the versatility and leading to low economical efficiency of machine and running cost.例文帳に追加

従来ポンプが定格流量時に定格出力となるポンプ回転数を最高回転数として設定するため、ポンプ能力をフルに活用できず、給水装置の汎用性を高めにくく、設備経済性とランニングコスト面で不利である。 - 特許庁

A stroke axis OA connecting a shearing center O of a torsion beam 5 to a support center AL (AR) of the trailing arm 2 is disposed on a plane perpendicular to the stroke axis OA below a straight line connecting a rotation center B of a stabilizer 9 to a fixture center C.例文帳に追加

トーションビーム５のせん断中心Ｏとトレーリングアーム２の支持中心ＡＬ（ＡＲ）とを結んだストローク軸ＯＡを、このストローク軸ＯＡと直交する平面上で、スタビライザ９の回動中心Ｂと固定中心Ｃとを結んだ直線よりも下方に配置する。 - 特許庁

The IDT electrode is formed by laminated films containing a substrate layer composed of titanium nitride or titanium laminated on the single crystal piezoelectric substrate one by one and an Al layer, and the single crystal piezoelectric substrate is a lithium tantalate substrate with 46° or more rotation Y-X propagation.例文帳に追加

単結晶圧電基板の表面にＩＤＴ電極を備えかつ金属バンプを介してベース基板上にＦＣＢ実装されたＳＡＷ素子を１以上含むＳＡＷ装置で、ＩＤＴ電極は、単結晶圧電基板上に順次積層した窒化チタン又はチタンからなる下地層とＡｌ層とを含む積層膜により形成されかつ、単結晶圧電基板は４６°以上の回転Ｙ‐Ｘ伝搬タンタル酸リチウム基板である。 - 特許庁