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schottky-gateとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「schottky-gate」の意味

schottky-gate

ショットキーゲート
Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「schottky-gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 145



例文

SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキゲート電界効果トランジスタ - 特許庁

SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキーゲート電界効果型トランジスタ - 特許庁

SCHOTTKY GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキーゲート型電界効果トランジスタ - 特許庁

The V-shaped gate 30 is dug out as far as its tip, and the V-shaped gate 30 is made to serve as a point-contact Schottky gate.例文帳に追加

等方性エッチングでV字溝の先端まで掘り込み、ゲート30を点接触ショットキーゲートにする。 - 特許庁

The gate portion 10 has an insulated gate electrode portion 10a and a Schottky electrode portion 10b.例文帳に追加

ゲート部10は絶縁ゲート電極部10aとショットキー電極部10bを有している。 - 特許庁

Also, a gate electrode 11 is formed on the Schottky layer 6.例文帳に追加

また、ショットキー層6上には、ゲート電極11が形成されている。 - 特許庁

例文

A Schottky source/drain 12 is formed so that a gate electrode 7 can be interposed.例文帳に追加

ゲート電極7を挟むように、ショットキーソース・ドレイン12を形成する。 - 特許庁

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「schottky-gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 145



例文

The Schottky electrode 19 is the gate electrode of HEMT 11.例文帳に追加

ショットキ電極19は、高電子移動度トランジスタ11のゲート電極である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that forms a Schottky gate electrode on a group III nitride semiconductor layer and is intended to reduce a gate leak current of the Schottky gate electrode.例文帳に追加

III族窒化物半導体層上にショットキゲート電極を形成するとともに,ショットキゲート電極のゲートリーク電流の低減が図られた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The gate electrode can be a Schottky contact or an insulated metal contact.例文帳に追加

ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR EQUIPPED WITH SUB GATE AND SCHOTTKY SOURCE/DRAIN, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

サブゲート及びショットキーソース/ドレインを備えた薄膜トランジスタ並びにその製造方法 - 特許庁

A Schottky gate electrode 104 is formed on a third region R3.例文帳に追加

更に、第3領域R3上にはショットキーゲート電極104が形成されている。 - 特許庁

A diode (Schottky diode) D1 is composed of the gate electrode 25 which is a Schottky electrode and a source electrode 26 which is an ohmic electrode.例文帳に追加

また、ショットキー電極であるゲート電極25とオーミック電極であるソース電極26とでダイオード(ショットキーダイオード)D1が構成される。 - 特許庁

To protect an insulating gate field-effect transistor in which a Schottky diode is built.例文帳に追加

ショットキーダイオードを内蔵する絶縁ゲート電界効果トランジスタの保護が要求されている。 - 特許庁

例文

A current of this Schottky diode is not disturbed by a depletion layer based on the gate electrode 12.例文帳に追加

このショットキーダイオードの電流はゲート電極12に基づく空乏層に妨害されない。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る


schottky-gateのページの著作権
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