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schottky-gateとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「schottky-gate」の意味

schottky-gate

ショットキーゲート
Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「schottky-gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 145



例文

SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキーゲート電界効果型トランジスタ - 特許庁

SCHOTTKY GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキーゲート型電界効果トランジスタ - 特許庁

SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキゲート電界効果トランジスタ - 特許庁

Also, a gate electrode 11 is formed on the Schottky layer 6.例文帳に追加

また、ショットキー層6上には、ゲート電極11が形成されている。 - 特許庁

The gate portion 10 has an insulated gate electrode portion 10a and a Schottky electrode portion 10b.例文帳に追加

ゲート部10は絶縁ゲート電極部10aとショットキー電極部10bを有している。 - 特許庁

The V-shaped gate 30 is dug out as far as its tip, and the V-shaped gate 30 is made to serve as a point-contact Schottky gate.例文帳に追加

等方性エッチングでV字溝の先端まで掘り込み、ゲート30を点接触ショットキーゲートにする。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that forms a Schottky gate electrode on a group III nitride semiconductor layer and is intended to reduce a gate leak current of the Schottky gate electrode.例文帳に追加

III族窒化物半導体層上にショットキゲート電極を形成するとともに,ショットキゲート電極のゲートリーク電流の低減が図られた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

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「schottky-gate」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 145



例文

A gate electrode 8 which is a Schottky electrode consists of a TaNx layer 6 and an Au layer 7.例文帳に追加

ショットキー電極であるゲート電極8は、TaNx層6とAu層7とを有している。 - 特許庁

A current of this Schottky diode is not disturbed by a depletion layer based on the gate electrode 12.例文帳に追加

このショットキーダイオードの電流はゲート電極12に基づく空乏層に妨害されない。 - 特許庁

A Schottky gate electrode 104 is formed on a third region R3.例文帳に追加

更に、第3領域R3上にはショットキーゲート電極104が形成されている。 - 特許庁

Thus, the formation of a gate electrode having a good Schottky junction is obtained.例文帳に追加

これらにより、良好なショットキー接合を有するゲート電極の形成が実現される。 - 特許庁

A gate electrode 107 is brought into Schottky-contact with the electron supply layer 104.例文帳に追加

ゲート電極107は電子供給層104に対してショットキー接触している。 - 特許庁

The gate electrode 203 is formed in a Schottky junction with the n-AlGaN layer 104.例文帳に追加

ゲート電極203は、n−AlGaN層104とショットキー接合を形成している。 - 特許庁

A gate electrode 22 is in contact with a bottom surface 48 of the recess W2 of the Schottky layer 20.例文帳に追加

ゲート電極22は、上記ショットキー層20の上記リセスW2の底部表面48と接触する。 - 特許庁

例文

The gate electrode 3 forms a Schottky junction to the nitride semiconductor layer 7.例文帳に追加

ゲート電極3は、窒化物半導体層7に対するショットキ接合を形成している。 - 特許庁

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