silicon oxide layerとは 意味・読み方・使い方

COATING LIQUID FOR PROTECTIVE LAYER OF SILICON OXIDE THIN-FILM LAYER AND METHOD FOR PROTECTING SILICON OXIDE THIN-FILM例文帳に追加

酸化珪素薄膜層の保護層用塗工液および酸化珪素薄膜の保護方法 - 特許庁

A crystalline silicon film used as the active layer, a first silicon oxide film, a second silicon oxide film, a third silicon oxide film overlying them, further a silicon nitride film overlying the third silicon oxide film, and the silicon nitride film are covered by a resin film in the semiconductor device.例文帳に追加

活性層となる結晶性珪素膜を、第１の酸化珪素膜、第２の酸化珪素膜、それらを覆う第３の酸化珪素膜と、さらに第３の酸化珪素膜を覆う窒化珪素膜、前記窒化珪素膜を樹脂膜で覆う。 - 特許庁

An oxide silicon layer 12 is formed on the surface of a silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面部分に酸化シリコン層１２を形成する。 - 特許庁

Then a silicon layer 103 is patterned by using these oxide silicon patterns 141, 142 as masks.例文帳に追加

この後、これらをマスクとしてシリコン層１０３をパターニングする。 - 特許庁

A semiconductor device includes an oxide layer on a first silicon layer and a second silicon layer on the oxide layer, and the oxide layer is formed between the first silicon layer and the second silicon layer.例文帳に追加

第１のシリコン層の上の酸化物層と、酸化物層の上の第２のシリコン層とを含み、酸化物層が第１のシリコン層と第２のシリコン層との間にある半導体デバイスが提供される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SILICON OXIDE LAYER例文帳に追加

シリコンオキシド層を含む半導体素子の製造方法 - 特許庁

A trench is formed up to the silicon oxide layer 4.例文帳に追加

次に、酸化シリコン層４に至るトレンチを形成する。 - 特許庁

The silicon oxide containing layer 22C contains silicon oxide and has the thickness of 50nm or larger.例文帳に追加

酸化ケイ素含有層２２Ｃは、酸化ケイ素を含み、厚みが５０ｎｍ以上である。 - 特許庁