silicon oxycarbideとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for depositing a silicon-carbide type or silicon oxycarbide capping layer on an ELK film used as a dielectric material in an integrated circuit.例文帳に追加

炭化ケイ素型又はオキシ炭化ケイ素キャッピング層を集積回路において誘電材料として用いるＥＬＫ膜上に堆積する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxygen-free hydrogen plasma ashing process that is particularly useful for low-k dielectric materials, based on hydrogenated silicon oxycarbide materials.例文帳に追加

水素化シリコンオキシカーバイド材料に基づく低−ｋ誘電体材料に特に有用な酸素フリーの水素プラズマアッシングプロセスを提供する。 - 特許庁

Herein are described methods of making dielectric films containing silicon, such as, but not limited to, silicon oxide, silicon oxycarbide, silicon carbide, and combinations thereof, that exhibit at least one of the following characteristics: low wet etch resistance, a dielectric constant of 6.0 or below, and/or resistance against a high-temperature rapid thermal anneal process.例文帳に追加

ここに記載されるのは、低いウェットエッチ耐性、６．０以下の誘電率、及び／又は高温急速熱アニールプロセス耐性、といった特性のうちの少なくとも１つを示す、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、炭化ケイ素及びこれらの組み合わせなどの、とは言えこれらに限定はされない、ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法である。 - 特許庁

A texturizing layer 38" is formed by depositing a polymeric material comprising a hydrocarbon block and a silicon-containing block, over the insulative layer of a container, and the polymeric film is converted to relief or porous nanostructures by exposure to UV radiation and ozone to obtain a textured porous or relief silicon oxycarbide film.例文帳に追加

コンテナの絶縁層の上に炭化水素ブロック及びシリコン含有ブロックを含む高分子材料を堆積してテクスチャライジング層３８”を形成し、紫外線照射及びオゾンへの暴露によりレリーフ又はポーラス・ナノ構造へ高分子フィルムを変換して、テクスチャライジングされたポーラス又はレリーフのシリコンオキシカーバイドフィルムを得る。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises a process of preparing an underlayer structure having a silicon carbide layer covering copper wiring, and a process of growing silicon oxycarbide through vapor phase growth by using tetramethylcyclotetrasiloxane, carbon dioxide, and oxygen at a flow rate of 3% or less to the flow rate of the carbon dioxide as source gases.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、銅配線を覆うシリコンカーバイド層を有する下地構造を準備する工程と、前記下地構造上に、ソースガスとして、テトラメチルシクロテトラシロキサン、炭酸ガス、炭酸ガスの流量に対して３％以下の流量の酸素を用い、気相成長でシリコンオキシカーバイドを成長する工程と、を含む。 - 特許庁