strain layerとは 意味・読み方・使い方

The silicon layer 30 is provided on the strain applying layer 20.例文帳に追加

歪み付与層２０上には、シリコン層３０が設けられている。 - 特許庁

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the strain-applied crystal layer structure is reduced, and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。 - 特許庁

The second strain buffer intermediate layer can be made thinner than the first strain buffer intermediate layer.例文帳に追加

前記第２歪緩衝中間層は、前記第１の歪緩衝中間層よりも薄くすることができる。 - 特許庁

Thus, a laminated structure of the cap layer 9, the strain compensating layer 8, the component layer 7, the etching stopping layer 6, the strain layer 40 and the sacrifice layer 3, becomes a cover part 300.例文帳に追加

それにより、キャップ層９、歪補償層８、構成要素層７、エッチング停止層６、歪層４０および犠牲層３の積層構造が蓋部３００となる。 - 特許庁

A strain layer is disposed on a fine structure.例文帳に追加

微細構造体の上に歪層が配置されている。 - 特許庁

As a result, the strain layer 40 curves by the groove 11 so as to relieve strain caused by a difference in a lattice constant between an InGaAs layer 4 and a GaAs layer 5 for constituting the strain layer 40.例文帳に追加

その結果、歪層４０を構成するＩｎＧａＡｓ層４とＧａＡｓ層５との格子定数の差に起因する歪を緩和するように歪層４０が溝１１で湾曲する。 - 特許庁

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the starin-applied crystal layer structure is reduced and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板とその形成方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a simple and convenient method for manufacturing a strain Si-SOI substrate wherein the surface of a strain Si layer is flat and has no defect, and only the strain Si layer is formed on an insulating layer.例文帳に追加

歪Ｓｉ層表面が平坦で欠陥が少なくかつ絶縁層上に歪Ｓｉ層しか有しない歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板を簡便に製造する。 - 特許庁