strain layerとは 意味・読み方・使い方

SUPERLATTICE STRAIN RELIEF LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体デバイス用超格子歪緩衝層 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING STRAIN OF THIN FILM CRYSTAL LAYER例文帳に追加

薄膜結晶層の歪み測定方法および装置 - 特許庁

A strain layer is disposed on a fine structure.例文帳に追加

微細構造体の上に歪層が配置されている。 - 特許庁

To provide a simple method for manufacturing a strain Si-SOI substrate, wherein the surface of a strain Si layer is flat and has few defects.例文帳に追加

歪Ｓｉ層表面が平坦で欠陥が少ない歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板を簡便に製造する。 - 特許庁

The sacrifice layer 3 under the strain layer 40 is selectively etched.例文帳に追加

歪層４０下の犠牲層３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

The silicon layer 30 is provided on the strain applying layer 20.例文帳に追加

歪み付与層２０上には、シリコン層３０が設けられている。 - 特許庁

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the starin-applied crystal layer structure is reduced and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板とその形成方法とを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device 10 having the active layer A1 including the quantum well layer having the high compressive strain amount of not less than 1%, a strain buffer layer B1 comprising a layer having a compressive strain amount not greater than the strain amount of the active layer A1 is adjacently formed on the active layer A1.例文帳に追加

圧縮歪量が１％以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層Ａ１を有する半導体発光素子１０において、活性層Ａ１の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層Ｂ１を、活性層Ａ１上に隣接するように形成する。 - 特許庁