「strain layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The strain layer 5 includes an InGaAs layer 3 and a GaAs layer 4.例文帳に追加

歪層５はＩｎＧａＡｓ層３およびＧａＡｓ層４を含む。 - 特許庁

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the strain-applied crystal layer structure is reduced, and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。 - 特許庁

SUPERLATTICE STRAIN RELIEF LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体デバイス用超格子歪緩衝層 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING STRAIN OF THIN FILM CRYSTAL LAYER例文帳に追加

薄膜結晶層の歪み測定方法および装置 - 特許庁

A strain layer is disposed on a fine structure.例文帳に追加

微細構造体の上に歪層が配置されている。 - 特許庁

To provide a simple method for manufacturing a strain Si-SOI substrate, wherein the surface of a strain Si layer is flat and has few defects.例文帳に追加

歪Ｓｉ層表面が平坦で欠陥が少ない歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板を簡便に製造する。 - 特許庁

The sacrifice layer 3 under the strain layer 40 is selectively etched.例文帳に追加

歪層４０下の犠牲層３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

The silicon layer 30 is provided on the strain applying layer 20.例文帳に追加

歪み付与層２０上には、シリコン層３０が設けられている。 - 特許庁

To provide a substrate and its forming method wherein, in a strain layer/stain-applied crystal layer structure, the crystallinity deterioration of the strain layer due to crystal defects caused in the starin-applied crystal layer structure is reduced and the strain layer/strain-applied crystal layer structure is formed with a thin film on an insulation layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板とその形成方法とを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device 10 having the active layer A1 including the quantum well layer having the high compressive strain amount of not less than 1%, a strain buffer layer B1 comprising a layer having a compressive strain amount not greater than the strain amount of the active layer A1 is adjacently formed on the active layer A1.例文帳に追加

圧縮歪量が１％以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層Ａ１を有する半導体発光素子１０において、活性層Ａ１の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層Ｂ１を、活性層Ａ１上に隣接するように形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing substrate, having a strain layer/strain-applied crystal layer structure which reduces the crystallinity deterioration that occurs in the strain layer, due to crystal defects caused by the strain-applied crystal layer structure, and which is formed of a thin film on an insulating layer.例文帳に追加

歪み層／歪み印加結晶層構造において、歪み印加結晶層構造より発生する結晶欠陥による歪み層の結晶性劣化を低減し、かつ絶縁層上に歪み層／歪み印加結晶層構造を薄膜で形成した基板の形成方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the strain layer 40 curves by the groove 11 so as to relieve strain caused by a difference in a lattice constant between an InGaAs layer 4 and a GaAs layer 5 for constituting the strain layer 40.例文帳に追加

その結果、歪層４０を構成するＩｎＧａＡｓ層４とＧａＡｓ層５との格子定数の差に起因する歪を緩和するように歪層４０が溝１１で湾曲する。 - 特許庁

The first layer is formed on an amorphous layer, contains aluminum nitride and has a compressive strain or a tensile strain.例文帳に追加

前記第１層は、非晶質層の上に形成され、窒化アルミニウムを含み、圧縮歪または引張歪を有する。 - 特許庁

In addition, assuming that the maximum strain caused in the base layer is 1.0, the maximum strain in the conductive layer is 0.2 or less.例文帳に追加

また、基層に生じる最大ひずみを１とすると、導電性層に生じる最大ひずみが０．２以下となっている。 - 特許庁

In the quantum well layer with the small strain amount, the difference of energy between an electron and hole is made smaller than that of the energy in the quantum well layer with the large strain amount.例文帳に追加

小さい歪量の量子井戸層において、電子とホールのエネルギー差を、大きい歪量の量子井戸層におけるそれより小さくする。 - 特許庁

By relaxing the compression strain of the compression-strained semiconductor layer 12, tensile strain is applied to the non-strained semiconductor layer 13.例文帳に追加

圧縮歪半導体層１２の圧縮歪を緩和させることにより、無歪半導体層１３に伸張歪を印加する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING STRAIN QUANTITY OF STRAINED SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

歪み半導体層の歪み量測定方法及び歪み量測定装置 - 特許庁

The electron block layer 23 is subjected to tensile strain in the X-axis direction.例文帳に追加

電子ブロック層２３はＸ軸方向の引っ張り歪みを受ける。 - 特許庁

A first elastic layer 6 is disposed on the upper face of the strain-inducing plate 2.例文帳に追加

起歪板２の上面に第１弾性層６が配置されている。 - 特許庁

A second elastic layer 7 is disposed under the lower face of the strain-inducing plate 2.例文帳に追加

起歪板２の下面に第２弾性層７が配置されている。 - 特許庁

The strain applying layer 20 is provided on the silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０上には、歪み付与層２０が設けられている。 - 特許庁

To provide a process for adjusting the strain of a strained layer on a substrate.例文帳に追加

基板上の歪み層の歪みを調節するプロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a simple and convenient method for manufacturing a strain Si-SOI substrate wherein the surface of a strain Si layer is flat and has no defect, and only the strain Si layer is formed on an insulating layer.例文帳に追加

歪Ｓｉ層表面が平坦で欠陥が少なくかつ絶縁層上に歪Ｓｉ層しか有しない歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板を簡便に製造する。 - 特許庁

Thus, a laminated structure of the cap layer 9, the strain compensating layer 8, the component layer 7, the etching stopping layer 6, the strain layer 40 and the sacrifice layer 3, becomes a cover part 300.例文帳に追加

それにより、キャップ層９、歪補償層８、構成要素層７、エッチング停止層６、歪層４０および犠牲層３の積層構造が蓋部３００となる。 - 特許庁

A separate groove 12 is formed by removing the cap layer 9, the strain compensating layer 8, the component layer 7, the etching stopping layer 6, a strain layer 40 and a sacrifice layer 3 so as to surround a rectangular predetermined area including a recessed part 110.例文帳に追加

凹部１１０を含む矩形状の所定領域を取り囲むようにキャップ層９、歪補償層８、構成要素層７、エッチング停止層６、歪層４０および犠牲層３を除去し、分離溝１２を形成する。 - 特許庁

To improve high-power characteristics by reducing interface strain, related to a semiconductor laser device provided with an active region comprising a quantum well layer of compression strain and a barrier layer of tensile strain.例文帳に追加

圧縮歪の量子井戸層と引張歪の障壁層からなる活性領域を備えた半導体レーザ装置において、界面歪を低減させ高出力特性を改善する。 - 特許庁

The strain generation layer 19 has a carbon-containing silicon epitaxial layer containing carbon of ≥1%.例文帳に追加

歪み発生層１９は、１％以上の炭素を含む炭素含有シリコンエピタキシャル層を有する。 - 特許庁

The strain imparting layer 20 causes lattice distortion at the channel of the FET 40 in the silicon layer 30.例文帳に追加

歪み付与層２０は、シリコン層３０中のＦＥＴ４０のチャネル部に格子歪みを生じさせる。 - 特許庁

The n-type compressive stress application layer 22 comprises a strain-free AlGaN layer.例文帳に追加

ｎ型圧縮応力印加層２２は、ストレインフリーのＡｌＧａＮ層からなる。 - 特許庁

From the surface of this phosphor powder, a surface crystalline defect layer or a surface strain layer is removed.例文帳に追加

表面から表面結晶欠陥層あるいは表面歪み層が除去されている蛍光体粉末。 - 特許庁

The element isolation regions 50 penetrate through the silicon layer 30 and reach the strain applying layer 20.例文帳に追加

素子分離領域５０は、シリコン層３０を貫通して歪み付与層２０まで達している。 - 特許庁

The element isolation region 50 penetrates the silicon layer 30 and reaches the strain imparting layer 20.例文帳に追加

素子分離領域５０は、シリコン層３０を貫通して歪み付与層２０まで達している。 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a strain SiCMOS device for which a strain Si layer will not be affected by a hot process step.例文帳に追加

高温処理ステップによって歪みＳｉ層が悪影響を受けない歪みＳｉＣＭＯＳデバイスを提供すること。 - 特許庁

The compression strain and tensile strain are generated by forming a stress layer in the neighborhood of the internal base of the device.例文帳に追加

圧縮歪みおよび引っ張り歪みは、デバイスの内部ベースの近傍に応力層を形成することによって生じさせる。 - 特許庁

The strain detector includes a metallic strain body 11, an insulating layer 13 of glass provided on the outer surface side of the strain body 11, at least two strain resisting elements 15 provided on the outer surface of the insulating layer 13, and a cushioning layer 12 provided to be located between the strain body 11 and the insulating layer 13.例文帳に追加

歪検出装置は、金属製の起歪体１１と、この起歪体１１の外表面側に設けられたガラスからなる絶縁層１３と、この絶縁層１３の外表面に設けられた少なくとも２つの歪抵抗素子１５とを備え、前記起歪体１１と絶縁層１３との間に位置して緩衝層１２が設けられる。 - 特許庁

Strain of the light emitting layer (6) is reduced and piezoelectirc field is reduced by providing the strain relaxing layer (11) and the InGaN buffer layer (12) between the n-type foundation layer (4) and the light emitting layer (6).例文帳に追加

ｎ型下地層(４)と発光層(６)との間に、歪緩和層(１１)及びＩｎＧａＮバッファ層(１２)を設けることにより、発光層(６)の歪みが減少しピエゾ電界が低減する。 - 特許庁

The group III-V device includes at least one transition layer 208, 210 positioned on a substrate, a first strain buffer intermediate layer 212 positioned on the at least one transition layer, a second strain buffer intermediate layer 214 positioned on the first strain buffer intermediate layer, and further a first group III-V semiconductor body 216 positioned on the second strain buffer intermediate layer.例文帳に追加

３-５族半導体デバイスは、基板上に位置する少なくとも１層の遷移層２０８、２１０、前記少なくとも１層の遷移層上に位置する第１歪緩衝中間層２１２、および、該第１歪緩衝中間層上に位置する第２歪緩衝中間層２１４とさらに、該第２歪緩衝中間層上に位置する第１III-V族半導体本体２１６を含む。 - 特許庁

The strain layer 5 is so bent in a region 12 under the recessed part 10 as to relax the strain attributable to the difference of the lattice constant between the InGaAs layer 3 and the GaAs layer 4, so that the constituent element layer 6A is raised vertically to the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ層３とＧａＡｓ層４との格子定数の差に起因する歪を緩和するように歪層５が凹部１０の下方の領域１２で湾曲し、構成要素層６ＡがＧａＡｓ基板１に対して垂直に起立する。 - 特許庁

To provide strain measuring device for measuring strain of a thin-film crystal layer in sample which contains the above strained thin-film crystal layer and supporting layer supporting the above thin-film crystal layer.例文帳に追加

歪みを有する薄膜結晶層と前記薄膜結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜結晶層の歪みを測定する歪み測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting element capable of suppressing occurrence of a crystal defect such as a dislocation or the like by alleviating a strain generated between a clad layer and a guide layer or a strain generated between a contact layer and the clad layer.例文帳に追加

クラッド層とガイド層との間に生じる歪み、またはコンタクト層とクラッド層との間に生じる歪みを緩和し、転位などの結晶欠陥の発生を抑制することができる発光素子を提供する。 - 特許庁

A tensile load is applied to the whole of the metal/FRP pipe until the value of the yield strain (ε^Y_metal) of the metal layer plus the residual strain (ε^T_metal) reaches a predetermined value of strain, and the load is removed.例文帳に追加

金属／ＦＲＰパイプの全体に対して、「金属層の降伏ひずみ（ε^Ｙ_金属）＋金属層の残留ひずみ（ε^Ｔ_金属）」で求められる所定のひずみ値になるまで引っ張り荷重を加え、次いで、除荷する。 - 特許庁

To strain-compensate the compression strain, InGaAs/GaAs barrier layers 3, 5, 7 and 9 including a GaAs layer as a tensile strain are stacked and formed among the quantum well layers 4, 6 and 8.例文帳に追加

この圧縮歪を歪補償するため、引張り歪となるＧａＡｓ層を含むＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ障壁層３，５，７，９を、量子井戸層４，６，８の間に積層形成する。 - 特許庁

To provide a strain detector having stabilized characteristics in which even if an excessive stress is applied onto the strain detector, no peeling is caused between a strain body and an insulating layer.例文帳に追加

歪検出装置に過大な応力が加わっても、起歪体と絶縁層との間が剥離せずに特性が安定する歪検出装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF POLISHING SEMICONDUCTOR WAFER HAVING STRAIN-RELAXED LAYER OF Si1-xGex例文帳に追加

歪み緩和Ｓｉ１−ｘＧｅｘ層を有する半導体ウェハをポリシングする方法 - 特許庁