「strain layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device, having a structure which enables a strain layer of crystallographically high quality to be manufactured.例文帳に追加

結晶学的に高品質な歪層を作製可能な構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, crystal defects and strain in the epitaxial layer of an oxide semiconductor light emitting element are reduced.例文帳に追加

これにより、酸化物半導体発光素子のエピタキシャル層中の結晶欠陥および歪を低減する。 - 特許庁

A relaxing rubber layer 41 is arranged in an area, where the peripheral strain is caused, to absorb the peripheral strain and inhibit the occurrence of separation.例文帳に追加

このため、このような周方向歪の発生する前記部位に緩和ゴム層41を配置して該周方向歪を吸収させ、セパレーションの発生を抑制するようにしている。 - 特許庁

The propagation velocity is compared with a standard value of a strain, decarbonization or grinding burn, to thereby determine existence of the strain, the decarbonization or the grinding burn on the surface layer part of the orbital plane 10A.例文帳に追加

この伝播速度を、ひずみ、脱炭または研磨焼けの基準値と比較して、軌道面１０Ａの表層部のひずみ、脱炭または研磨焼けの有無を判断する。 - 特許庁

A tensile strain quantum well structure having four kinds of layers is obtained by adding another layer to the tensile strain quantum well structure having the three kinds of layers.例文帳に追加

この３種類の層を有する引張り歪量子井戸構造に、別の層を加えた４種類の層を有する引張り歪量子井戸構造とすることもできる。 - 特許庁

A single-crystalline semiconductor layer, provided with tensile strain, is used as an active layer in one transistor and a single-crystalline semiconductor layer, provided with compression strain making use of a part of thermal shrinkage generated in the heating process of a supporting substrate after jointing, is used as an active layer in the other transistor.例文帳に追加

一のトランジスタは、引っ張り歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用い、他のトランジスタは、接合後に支持基板の加熱処理によって生ずる熱収縮の一部を利用した圧縮歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving characteristics in a transistor with a strain silicon layer as a channel region by forming the high-quality strain silicon layer, where a crystalline defect is reduced on a silicon germanium layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層の上に結晶欠陥を低減した高品質の歪みシリコン層を形成することにより、歪みシリコン層をチャネル領域とするトランジスタの特性を改善できる半導体装置及び半導体装置製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate constituted by stacking a rubber layer and a metal layer through an adhesive layer, enhanced in the adhesive strength between the layer and the metal layer and having excellent compression-resistant permanent strain properties in the rubber layer after crosslinking.例文帳に追加

ゴム層と金属層とが、接着剤層を介して積層されている積層体において、ゴム層と金属層との間の接着力が高く、しかも、架橋後のゴム層が、優れた耐圧縮永久歪み性を有する積層体を提供すること。 - 特許庁

A rectangular groove 11 for regulating a hinge 310 is formed by removing a cap layer 9, a strain compensating layer 8, a component layer 7, and an etching stopping layer 6 on a base board 1 having a recessed part 100.例文帳に追加

凹部１００を有する基板１上のキャップ層９、歪補償層８、構成要素層７およびエッチング停止層６を除去し、ヒンジ３１０を規定する長方形の溝１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring a strain of a thin film crystal layer in a sample having the strained thin film crystal layer and a support layer for supporting the thin film crystal layer.例文帳に追加

歪みを有する薄膜結晶層と前記薄膜結晶層を支持する支持層を有する試料において前記薄膜結晶層の歪みを測定する方法および装置を提供する。 - 特許庁

A lattice strain relaxing layer 12, a clad layer 13, an active layer 14, and a clad layer 15 are formed with InAlGaP on an n-GaP substrate 11 which is transparent to InAlGaP semiconductor element radiation light.例文帳に追加

ＩnＡlＧaＰ系半導体素子放射光に透明なｎ‐ＧaＰ基板１１上に、ＩnＡlＧaＰによって格子歪緩和層１２,クラッド層１３,活性層１４及びクラッド層１５を形成する。 - 特許庁

To realize a high quality strain-silicon substrate which prevents a defective crystal caused by dislocation of a silicon-germanium layer, by preventing an occurrence of the dislocation by an epitaxial growth of the silicon-germanium layer on the strain silicon substrate, and to provide a semiconductor device which uses the strain silicon substrate.例文帳に追加

歪シリコン基板のシリコン・ゲルマニウム層をエピタキシャル成長することによる転位の発生を回避し、このシリコン・ゲルマニウム層の転位に起因する結晶欠陥の回避された良質な歪シリコン基板を実現し、また歪シリコン基板を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

This strain sensor is characterized by having a substrate 21, and the insulating layer 22 with a plurality of electrodes 12 buried therein on the substrate 21, and having a protection layer 25 equipped with the strain-sensitive resistor 23 on the electrodes 12, for covering the strain-sensitive resistor 23 and at least a part of the electrodes.例文帳に追加

基板２１と、前記基板２１上に複数の電極１２を埋め込んだ絶縁層２２を有し、前記電極１２上に感歪抵抗体２３を備え、前記感歪抵抗体２３および前記電極の少なくとも一部を覆う保護層２５を有することを特徴とする歪センサである。 - 特許庁

Furthermore, a tensile strain of -1.2% is introduced into a barrier layer inside the active region 15 so as to make up for stress caused by the compressive strain of the well layer, by which the semiconductor laser can be improved in reliability when it outputs a high power.例文帳に追加

さらに、活性領域１５内の障壁層に−１.２％の引張歪を導入して井戸層の圧縮歪による応力を補償することによって、高出力時の信頼性をさらに高くする。 - 特許庁

Since the cap Si layer 9 has tensile strain and the second SiGe layer 7 has compression strain in the semiconductor wafer 1, both the carrier mobility of the NMOS and the PMOS can be improved.例文帳に追加

本発明の半導体ウェハー１では、キャップＳｉ層９が引張り歪みを有し、第２のＳｉＧｅ層７が圧縮歪みを有するので、ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳの両方のキャリア移動度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for removing strain of a resin plate generated during machining because it is necessary to use a strain-free polishing layer during manufacturing of a polishing pad, and the polishing layer uses the resin plate obtained by slicing a resin block into sheets.例文帳に追加

研磨パッドを製造する際には、歪みの無い研磨層を使用する必要があるが、該研磨層は樹脂ブロックからシート状にスライスした樹脂板を用いるため、機械加工上、歪みを生じてしまう。 - 特許庁

A tensile load is applied to the whole of the metal/FRP pipe until the value of the yield strain (ε^Y_metal) of the metal layer plus the residual strain (ε^T_metal) reaches a predetermined value of strain, and the load is removed.例文帳に追加

金属／ＦＲＰパイプの全体に対して、「金属層の降伏ひずみ（ε^Ｙ_金属）＋金属層の残留ひずみ（ε^Ｔ_金属）」で求められる所定のひずみ値になるまで引っ張り荷重を加え、次いで、除荷する。 - 特許庁

In this way, the tensile thermal shock stress is added on the surface layer, tensile strain is generated and also the surface layer is partially yielded.例文帳に追加

これにより表面層に引張りの熱衝撃応力が加わって引張りひずみが生じるとともに表面層が部分的に降伏する。 - 特許庁

The sacrifice insulating film 5 is removed thereafter, and a silicon layer 7 is selectively epitaxially grown on the p^- well 3p and the strain SiGe layer 6.例文帳に追加

その後、犠牲絶縁膜５を除去し、Ｐ^−ウェル３ｐ上及び歪ＳｉＧｅ層６上にシリコン層７を選択エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A quantum dot layer is formed on a cross-hatched crystal layer with its lattice coefficient different from that of the substrate and with its lattice strain relieved.例文帳に追加

本発明の骨子は、基板と格子定数が異なり格子歪緩和してクロスハッチングができた結晶層上に量子ドット層を形成する。 - 特許庁

To reduce the bending and strain of a membrane layer of a mask for manufacturing a semiconductor device by keeping the strength of the membrane layer uniform, if it is made thin.例文帳に追加

半導体装置製造用マスクにおいて、そのメンブレン層を薄くしても強度を維持し、メンブレン層のたわみ、歪みを低減を可能にする。 - 特許庁

To rapidly measure the average value of the lattice constants of the respective layers of a strain quantum well active layer with high accuracy.例文帳に追加

歪み量子井戸活性層の各層の格子定数の平均値を迅速かつ精度高く測定すること。 - 特許庁

To provide a dielectric device that is provided with a dielectric layer, having less residual strain and higher characteristics.例文帳に追加

より残留応力の少ない誘電体層を備えた、より特性の高い誘電体デバイスを提供する。 - 特許庁

To improve the reliability and yield of a distributed feedback semiconductor laser by reducing stress strain to an active layer.例文帳に追加

活性層への応力歪みを低減し、分布帰還型半導体レーザの信頼性及び歩留まりが向上する。 - 特許庁

The semiconductor substrate comprises a silicon layer 5, an SiGe layer 4 whose skewness is relaxed, and a strain cap layer 3 in this order, over a silicon substrate 8 with an oxide film 7 formed on the surface thereof.例文帳に追加

表面に酸化膜７が形成されたシリコン基板８上に、シリコン層５、歪が緩和されたＳｉＧｅ層４及び歪キャップ層３をこの順に有する半導体基板。 - 特許庁

Since the strain Ge layer becoming a channel layer is employed, a crystal layer having a lattice extending in the vertical direction (traveling direction of carriers) can be utilized as a channel and a higher mobility can be expected.例文帳に追加

チャネル層となるひずみＧｅ層を用いることにより、縦方向（キャリアの走行方向）に格子の伸びた結晶層をチャネルに利用でき、より高速の移動度が期待できる。 - 特許庁

At this time, strain of the Si layer 5 is increased by applying the Si layer 5 with compressive force that the Si_3N_4 film 9 has and tensile stress that the SiN_3N_4 layer 13 has.例文帳に追加

この際、Ｓｉ_3Ｎ_4膜９が有する圧縮応力と、Ｓｉ_3Ｎ_4膜１３が有する引っ張り応力とをＳｉ層５にそれぞれ作用させてＳｉ層５の歪を増大させる。 - 特許庁

In this semiconductor device, an AlGaInP negative strain layer 11 and an AlGaAs mixed crystal prevention layer 12 are grown on the GaAs growth substrate 1 by a vapor-phase growth method, and thereafter the thick-film AlGaAs layer 2 is grown by a liquid-phase growth method.例文帳に追加

GaAs成長基板１上にAlGaInPマイナス歪層１１及びAlGaAs混晶防止層１２を気相成長法で成長させ、その後、厚膜AlGaAs層２を液相成長法で成長させる。 - 特許庁

A heat strain buffer layer 8' having the same thermal expansion coefficient as the ground conductors 8, is provided on the opposite side of the core layer 1 to the ground conductors 8.例文帳に追加

さらに、前記コア層１に対してグランド導体８の反対側に、グランド導体８と同等の熱膨張率を有する熱歪緩衝層８’を設ける。 - 特許庁

Further, layers are just sequentially formed, starting with the lattice strain relaxing layer 12 up to the current diffusion layer 16, on the n-GaP substrate 11 for reduced manufacturing cost.例文帳に追加

また、ｎ‐ＧaＰ基板１１上に格子歪緩和層１２から電流拡散層１６までを順次形成するだけであるから製造コストを低減できる。 - 特許庁

To provide a heat radiating material, in which thermal strain is re laxed between a heat receiving layer and a heat dissipation layer, and to provide a method for producing it efficiently.例文帳に追加

受熱層と放熱層の間の熱歪みを緩和させた放熱材と、これを効率的に製造することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

The relationship between breaking strain εa of the road surface surface layer, maximum displacement ▵L of the opening of rail joint and a distance L between fixations of the expansion layer is εa>▵L/L.例文帳に追加

路面表層の破壊歪εａと、遊間の最大変位ΔＬと、伸縮層の固定間の距離Ｌとの関係が、εａ＞ΔＬ／Ｌである。 - 特許庁

To minimize dislocation introduced into an Si layer when mobility of carrier is improved by introducing strain into an Si layer constituting an SOI structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を構成するＳｉ層中に歪みを導入し、キャリアの移動度を向上させる際に、Ｓｉ層中に導入される転位を最小化する。 - 特許庁

Under an active region 230, a strain-balancing layer 220 having an adjustable lattice constant is arranged as a lattice base for the active region, and thereby balanced strain within the active region is secured.例文帳に追加

活性領域２３０の下に、格子定数が調整可能な歪平衡層２２０をこの活性領域の格子基底として配置し、これによって活性領域の歪平衡を確保する。 - 特許庁

A distance W_1 between the drain end of the gate electrode and the drain end P_1 of the strain applying layer 3 parallel to a first interface 21 between the carrier travelling layer 1 and the barrier layer 2 falls within 5 times the film thickness d_1 of the barrier layer 2.例文帳に追加

ゲート電極のドレイン端と歪み印加層３のドレイン端Ｐ_1との、キャリア走行層１と障壁層２との第１界面２１と平行な距離Ｗ_1が、障壁層２の膜厚ｄ_1の５倍以内である。 - 特許庁

The lower semiconductor multilayer 4 further includes an extension strain stress addition layer 14 that has tensile strain and is provided between the active layer 12 and the ridge 5, and has a negative lattice mismatch degree with respect to the n-type InP substrate 3.例文帳に追加

下部半導体積層部４は、引っ張り歪みを有し活性層１２とリッジ部５との間に設けられた伸張歪応力付加層１４を更に含み、ｎ型ＩｎＰ基板３に対して負の格子不整合度を有する。 - 特許庁

An n-type GaN layer 2, an InGaN multi-quantum well active layer 3, a p-type AlGaN electronic barrier layer 4, a p-type AlGaN/GaN strain superlatticed layer 5 and a p-type GaN contact layer 6 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１の上にｎ型ＧａＮ層２、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層４、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ歪超格子層５及びｐ型ＧａＮコンタクト層６が順次形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor laser, having a double heterostructure composed of an n-type clad layer 103, an MQW active layer 105, and a p-type clad layer 106, an n-type saturable absorption layer 104 having a compressive strain, is provided in the n-type clad layer 103.例文帳に追加

n型クラッド層（１０３）と、ＭＱＷ活性層（１０５）と、p型クラッド層（１０６）とからなるダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて、n型クラッド層（１０３）中に圧縮歪みを有するn型可飽和吸収層（１０４）を設ける。 - 特許庁

A semiconductor substrate (10) for forming a transistor comprises: a silicon substrate (11) including a main surface (11a); a strain-relaxed SiGe layer (12) formed on the main surface (11a) of the silicon substrate (11); and a strained Si layer (13) formed on the strain-relaxed SiGe layer (12).例文帳に追加

トランジスタを形成するための半導体基板（１０）は、主面（１１ａ）を持つシリコン基板（１１）と、このシリコン基板（１１）の主面（１１ａ）上に形成された歪緩和ＳｉＧｅ層（１２）と、この歪緩和ＳｉＧｅ層（１２）上に形成された歪Ｓｉ層（１３）と、を含む。 - 特許庁

The coil 5 produces magnetization energy E_1 of an easily magnetizing axial direction inside the magnetic layer 2 by an external magnetic field and the piezoelectric element 4 produces strain in the magnetic layer 2, and produces magnetic anisotropic energy K_2 in a direction which is different from that of an easily magnetizing axis by inverse magnetostrictive effect caused by magnetostrictive by generating strain in the magnetic layer 2.例文帳に追加

コイル５は外部磁場により磁化容易軸の方向の磁化エネルギーＥ_１を磁性層２内に発生し、圧電素子４は磁性層２に歪みを発生させて磁歪に起因する逆磁歪効果により磁化容易軸と異なる方向の磁気異方性エネルギーＫ_２を発生する。 - 特許庁

The columnar developing roller is constituted of an elastic layer composed of an urethane foaming body, a middle layer arranged on the outer peripheral surface of the elastic layer and a surface layer arranged on the outer peripheral surface of the middle layer, wherein the middle layer has a residual strain of ≤2%.例文帳に追加

ウレタン発泡体からなる弾性層と、該弾性層の外周面上に配置された中間層と、該中間層の外周面上に配置された表層とからなる円柱状の現像ローラにおいて、前記中間層の残留歪が2％以下であることを特徴とする現像ローラである。 - 特許庁

The MQW active layer 5 includes a multiple quantum well structure constituted of barrier layers and well layers having a tensile strain, and a layer thickness of each well layer is larger than that of each barrier layer, and the layer thickness of at least one well layer is made different from those of the other well layers.例文帳に追加

ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 - 特許庁

InAs dot formed by using strain relaxation on a GaAs layer is buried in a GaAs film 4 to a thickness not more than a thickness of dot thickness.例文帳に追加

ＧaＡs層上に歪み緩和を利用して形成したInＡsドットをＧaＡs膜でドットの厚さ以下の厚さまで埋め込む。 - 特許庁

To provide a production method of a printed resin sheet product having a printed layer which is not affected by a forming strain of the resin sheet.例文帳に追加

印刷層が樹脂シートの成形歪みの影響を受けない印刷樹脂シート製品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of forming a defect-free, strained SOI layer having an even strain.例文帳に追加

無欠陥で歪みが均一な歪ＳＯＩ層を形成できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁