vapor deposited polycrystallineとは 意味・読み方・使い方

The polycrystalline monolithic magnesium aluminate spinels can be prepared and deposited by chemical vapor deposition.例文帳に追加

この多結晶性モノリシックアルミン酸マグネシウムスピネルは、化学蒸着によって調製し、堆積させることができる。 - 特許庁

The silicon carbide polycrystalline film 13, the silicon fine crystalline particles 12 or germanium fine crystalline particles are alternately deposited on a semiconductor substrate 16 at 850-1400°C by depressed chemical vapor deposition process or chemical deposition process.例文帳に追加

減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法により半導体基板１６上に８５０〜１４００℃でシリコンカ−バイド多結晶膜１３とシリコン微結晶粒子１２又はゲルマニウム微結晶粒子とを交互に堆積する。 - 特許庁

A mixture gas, containing a chlorinated silane gas such as hydrogen and dichloro-silane and having an H/Cl ratio of 1 to 50 as a ratio of the number of hydrogen atoms to the number of chlorine atoms is used as a material gas, polycrystalline silicon is deposited on a substrate, such as a glass substrate through a plasma chemical vapor deposition method to form a polycrystalline silicon film which does not substantially contain amorphous silicon phase.例文帳に追加

水素、及びジクロルシラン等の塩素化シランガスを含む混合ガスであって、且つ該混合ガス中の塩素原子数に対する水素原子数の比（Ｈ／Ｃｌ）が１〜５０である混合ガスを原料ガスとして用いて、プラズマ化学蒸着法によりガラス基板等の基層上に多結晶シリコンを析出させ、実質的に非晶質シリコン相を含まない多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 13 is formed on a silicon substrate 11 on which a silicon film 14 of small-particle-size polycrystal silicon, a germanium/ silicon film 15 and an amorphous silicon film 16 (or a large-particle-size polycrystalline silicon film) are deposited by a chemical vapor-phase growth method (b).例文帳に追加

シリコン基板１１上に、ゲート絶縁膜１３を形成し、その上に小粒径多結晶シリコンであるシリコン膜１４、ゲルマニウム・シリコン膜１５、非晶質シリコン膜１６（または大粒径多結晶シリコン膜）を化学的気相成長法により堆積する（ｂ）。 - 特許庁

Silicon particulates are produced by heating a silicon evaporation source 15, transported, and jetted into a vacuum chamber 30 while carried with an air current of a supersonic free jet J to be physically vapor-deposited on a substrate 33 arranged in the vacuum chamber 30, thereby forming the polycrystalline silicon film of the silicon particulates.例文帳に追加

シリコン蒸発源１５の加熱によりシリコン微粒子を生成し、次に、シリコン微粒子を移送し、超音速フリージェットＪの気流に乗せて真空チャンバー３０中に噴出して、真空チャンバー３０中に配置された基板３３上に物理蒸着させ、シリコン微粒子からなる多結晶シリコン膜を形成する。 - 特許庁