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キャリア密度の英語
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英訳・英語 carrier density
「キャリア密度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 185件
ダイヤモンドペレット式高密度貼り修正キャリア例文帳に追加
DIAMOND PELLET TYPE HIGH DENSITY STICKING CORRECTION CARRIER - 特許庁
MOSトランジスタのチャンネル内のキャリア密度及びキャリアの移動度を精度良く測定する。例文帳に追加
To precisely measure carrier density and carrier mobility in a channel of a MOS transistor. - 特許庁
直流電圧Vdcとキャリア密度Dとの間の比例関係を利用することにより、キャリア密度Dを制御し易くなる。例文帳に追加
Control of the carrier density D is facilitated by utilizing a proportional relation between the DC voltage Vdc and the carrier density D. - 特許庁
DCパワーとキャリア密度Dとの間の比例関係を利用することにより、キャリア密度を制御し易くなる。例文帳に追加
Control of the carrier density is facilitated by utilizing a proportional relation between the DC power and the carrier density D. - 特許庁
準静的なキャリアの密度が過渡電流を満たすとして、準静的な前記キャリアの密度を非準静的なモデルとして記述する。例文帳に追加
Assuming that the quasi-static carrier density satisfies the transient current, the quasi-static carrier density is described as a non-quasi-static model. - 特許庁
高品位で高キャリア密度のPbTe単結晶を得ることにある。例文帳に追加
To obtain a PbTe single crystal having a high quality and a high carrier density. - 特許庁
フィイルムキャリア型半導体部品に関し、その実装密度を2倍とする。例文帳に追加
To double the mounting density, concerning a film carrier type of semiconductor part. - 特許庁
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「キャリア密度」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 185件
キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device wherein the carrier density can be controlled with high accuracy. - 特許庁
キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device capable of precisely controlling carrier density. - 特許庁
少なくとも表面を樹脂で被覆した二成分現像剤用キャリアであって、該キャリアの見掛密度ρ(g/ cm^2)、平均粒径D(cm)及びキャリア芯材の比表面積S(cm^2/g)が下記条件を満たすこと、を特徴とする静電荷像現像剤用キャリア。例文帳に追加
The carrier for a two-component developer has a resin coating on at least the surface. - 特許庁
ショットキー障壁ポテンシャルの古典的状態密度とトンネル状態密度から算出される全状態密度で全キャリア密度を計算し、古典的状態密度で計算した古典的キャリア密度と比較する。例文帳に追加
Total carrier density is calculated from all-state density calculated from classical state density of the Schottky barrier potential and the tunneling state density is calculated, and compared with the classical carrier density calculated from the classical state density. - 特許庁
第2のダイヤモンド層3が、高密度励起することにより形成されたキャリア高密度相である。例文帳に追加
The second diamond layer 3 is the carrier high-density layer formed by high density excitation. - 特許庁
ここで、注入するキャリアの密度は、電流密度にして10^4A/cm^2以上である。例文帳に追加
The injected carriers have a current density of 10^4 A/cm^2 or higher. - 特許庁
低応力及び低欠陥密度の導電性貫通ビアを備えたシリコン・キャリアの製造方法及び該キャリアを有する半導体デバイス例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARRIER EQUIPPED WITH CONDUCTIVE THROUGH-VIA WITH LOW STRESS AND LOW DEFECT DENSITY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE CARRIER - 特許庁
p+基板12を用いているため、電子と正孔がキャリアとして機能し、キャリア密度を向上させてオン抵抗を低減する。例文帳に追加
Since the p+ substrate 12 is used, electrons and positive holes function as carriers for improved carrier density and reduced on-resistance. - 特許庁
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