井戸側の英語

障壁層の厚さは、ｐ側井戸層の厚さの２倍以下である。例文帳に追加

The thickness of each barrier layer is twice or less the thickness of the p-side well layer. - 特許庁

本発明はピクセル井戸構造も含み、ピクセル井戸の上部表面は疎インク性であり、側壁表面は親インク性である。例文帳に追加

The invention also includes a pixel well structure in which the top surface of the pixel well is ink-phobic and the surfaces of the side walls are ink-philic. - 特許庁

観測管挿入後、外側パイプ▲１▼を引き上げながら井戸と観測管の間にフィルター材▲１０▼を充填して井戸を仕上げる。例文帳に追加

After inserting an observation pipe, a filter material 10 is filled between the well and the observation pipe while pulling up the outer pipe 1 to finish the well. - 特許庁

内筒１２は、井戸１０の底面及び井戸ケーシング１１の側面と離隔空間をもって配置されている。例文帳に追加

The inside cylinder 12 is arranged with a separation space between the bottom surface of the well 10 and the side surface of the well casing 11. - 特許庁

次に、河川の外側に揚水の用に供する陸上井戸２を設置し、水槽１と陸上井戸２との間を取水パイプ３で接続した。例文帳に追加

Next, a land well 2 provided for pumping water, is arranged outside the river, and the water tank 1 and the land well 2 are connected by the intake pipe 3. - 特許庁

揮発性有機化合物で汚染された汚染領域Ｒに揚水井戸１が配設されるとともに、揚水井戸１を間に一方の汚染領域Ｒ１側に第１注入井戸２が、他方の汚染領域Ｒ２側に第２注入井戸３が配設される。例文帳に追加

A suction well 1 is arranged in a contaminated region R contaminated with volatile organic compounds, and a first injection well 2 and a second injection well 3 are arranged respectively in one contaminated region R1 and the other contaminated region R2 so as to put the suction well 1 between them. - 特許庁

ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さは、４ｎｍ以上であり、ｐ側井戸層を除く全ての井戸層の厚さは４ｎｍ未満である。例文帳に追加

The thickness of a p-side well layer nearest the p-type semiconductor layer is 4 nm or more and the thicknesses of all the well layers except for the p-side well layer are less than 4 nm. - 特許庁

多重量子井戸活性層３は、２層の量子井戸層３ａと、各量子井戸層３ａの両側に設けられた障壁層３ｂと、ガイド層３ｃ，３ｄを有している。例文帳に追加

The multiple quantum well active layer 3 has two quantum well layers 3a, barrier layers 3b formed on both sides of each quantum well layer 3a, and guide layers 3c and 3d. - 特許庁