「井戸側」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

閉塞蓋は、井戸管３の内側空間を気密状態で閉塞する。例文帳に追加

The closing lid closes an internal space of the well pipe 3 in airtight state. - 特許庁

前記障壁層の厚さは、前記ｐ側井戸層の厚さの２倍以下である。例文帳に追加

The thickness of the barrier layers is twice or less of the p-side well layer. - 特許庁

障壁層の厚さは、ｐ側井戸層の厚さの２倍以下である。例文帳に追加

The thickness of each barrier layer is twice or less the thickness of the p-side well layer. - 特許庁

本発明はピクセル井戸構造も含み、ピクセル井戸の上部表面は疎インク性であり、側壁表面は親インク性である。例文帳に追加

The invention also includes a pixel well structure in which the top surface of the pixel well is ink-phobic and the surfaces of the side walls are ink-philic. - 特許庁

観測管挿入後、外側パイプ▲１▼を引き上げながら井戸と観測管の間にフィルター材▲１０▼を充填して井戸を仕上げる。例文帳に追加

After inserting an observation pipe, a filter material 10 is filled between the well and the observation pipe while pulling up the outer pipe 1 to finish the well. - 特許庁

内筒１２は、井戸１０の底面及び井戸ケーシング１１の側面と離隔空間をもって配置されている。例文帳に追加

The inside cylinder 12 is arranged with a separation space between the bottom surface of the well 10 and the side surface of the well casing 11. - 特許庁

次に、河川の外側に揚水の用に供する陸上井戸２を設置し、水槽１と陸上井戸２との間を取水パイプ３で接続した。例文帳に追加

Next, a land well 2 provided for pumping water, is arranged outside the river, and the water tank 1 and the land well 2 are connected by the intake pipe 3. - 特許庁

揮発性有機化合物で汚染された汚染領域Ｒに揚水井戸１が配設されるとともに、揚水井戸１を間に一方の汚染領域Ｒ１側に第１注入井戸２が、他方の汚染領域Ｒ２側に第２注入井戸３が配設される。例文帳に追加

A suction well 1 is arranged in a contaminated region R contaminated with volatile organic compounds, and a first injection well 2 and a second injection well 3 are arranged respectively in one contaminated region R1 and the other contaminated region R2 so as to put the suction well 1 between them. - 特許庁

ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さは、４ｎｍ以上であり、ｐ側井戸層を除く全ての井戸層の厚さは４ｎｍ未満である。例文帳に追加

The thickness of a p-side well layer nearest the p-type semiconductor layer is 4 nm or more and the thicknesses of all the well layers except for the p-side well layer are less than 4 nm. - 特許庁

多重量子井戸活性層３は、２層の量子井戸層３ａと、各量子井戸層３ａの両側に設けられた障壁層３ｂと、ガイド層３ｃ，３ｄを有している。例文帳に追加

The multiple quantum well active layer 3 has two quantum well layers 3a, barrier layers 3b formed on both sides of each quantum well layer 3a, and guide layers 3c and 3d. - 特許庁

揚水井戸２内が減圧されることにより、その周囲の土壌中の油及び水が揚水井戸２内に流れ込むと共に、揚水井戸２内の水層よりも上側の油層の油が吸引管５に吸引されて吸い出される。例文帳に追加

A pressure reduction of the inside of the pumping well 2 causes oil and water in the surrounding soil to flow into the pumping well 2 and oil in the oil layer above the water layer within the pumping well 2 is sucked out by the suction tube 5. - 特許庁

また、発光層１７は２個以上の井戸層を含み、最も前段の注入層側の第１井戸層を注入準位形成用の井戸層として構成される。例文帳に追加

The light emission layer 17 includes two or more well layers, with the first well layer closest to the injection layer in the most previous stage constructed as a well layer for forming an injection level. - 特許庁

このように、井戸周辺領域８の透水性を高めることで、井戸周辺領域８から外側の広い範囲にわたる土壌２２の有害物質５を井戸周辺領域８内に収集して分解できる。例文帳に追加

Thus, by enhancing the water permeability of the well peripheral area 8, the harmful substance 5 of the soil 22 from the well peripheral area 8 to a wide range of the outer side can be collected into the well peripheral area 8 and can be decomposed. - 特許庁

前記井戸層は、前記井戸層からみて前記第２半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｐ側界面部分と、前記井戸層からみて前記第１半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｎ側界面部分と、を有する。例文帳に追加

Each of the well layers has a p-side interface portion including the interface between the well layer and the barrier layer at the second semiconductor layer side as viewed from the well layer, and an n-side interface portion including the interface between the well layer and the barrier layer at the first semiconductor layer side as viewed from the well layer. - 特許庁

掘り井戸の周囲の土石がくずれないように内側を木や石で囲ったもの例文帳に追加

of a well made of earth and stone, a wooden and stone support structure in the well interior, designed to prevent the well from collapse  - EDR日英対訳辞書

曲物井筒と呼ばれるもので、井戸の内壁に曲物を施し、側壁が崩れないようにした。例文帳に追加

These are called 'magemono-izutsu,' which had magemono on the inside of a well to prevent the sidewall from collapsing.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。例文帳に追加

The p-side barrier layer is provided between the well layer and the p-type semiconductor layer. - 特許庁

井戸層は、ｎ側障壁層とｐ形半導体層との間に設けられる。例文帳に追加

The well layer is provided between the n-side barrier layer and the p-type semiconductor layer. - 特許庁

GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。例文帳に追加

An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer. - 特許庁

減圧ポンプは、吸気パイプを通じて井戸管３の内側空間を減圧する。例文帳に追加

The decompression pump reduces pressure in the internal space of the well pipe 3 through a suction pipe. - 特許庁

各井戸３８の底面及び立側面は複数のセル（検出器）Ｓにより構成される。例文帳に追加

The bottom face and vertical side face of respective wells 38 comprise a plurality of cells (detectors) S. - 特許庁

井戸閉塞装置４に挿通した送水管５の下端側は温泉貯水域Ａに位置している。例文帳に追加

The lower end side of a water supply pipe 5 inserted into the well blocking device 4 is positioned in the hot spring water storage area A. - 特許庁

浮遊領域１８の井戸層１６と反対側の位置にはゲート電極２１が設けられている。例文帳に追加

A gate electrode 21 is provided above the floating region 18, but the well layer 16 is located below the region 18. - 特許庁

第１の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニバンド内を透過したキャリアが、第１の多重量子井戸よりも下位側に配設された第２の多重量子井戸の障壁層のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位にあるミニギャップ１３に衝突し、第２の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニギャップに遷移して発光する。例文帳に追加

A carrier passing through a miniband included in a conductive band of a first multiquantum well comes into collision with a minigap 13 having an energy level higher than that of a barrier layer of a second multiquantum well arranged at the side lower than the first multiquantum well to transit to the minigap included in the conductive band of the second multiquantum well for light emission. - 特許庁

禁制帯幅の大きい内側の量子井戸層５ａから生じた光が、禁制帯幅の小さい最も外側の量子井戸層５ｂ，５ｃに入射して吸収され、誘導放出効果を高めることができる。例文帳に追加

Light stimulated from the inner quantum well layer 5a with the greater forbidden band width is made incident on the outermost quantum well layers 5b, 5c with the smaller forbidden band width and absorbed in them so that the stimulated emission effect can be improved. - 特許庁

第１のエネルギー障壁層１３の第１の量子井戸層１１と逆側に第１の電極１６を形成し、第３のエネルギー障壁層１５の第２の量子井戸層１２と逆側に第２の電極１７を形成する。例文帳に追加

A first electrode 16 is formed on the opposite side of the first quantum well layer 11 of the energy barrier layer 13 and a second electrode 17 is formed on the opposite side of the second quantum well layer 12 of the third energy barrier layer 15. - 特許庁

GaInNAs層3とGaInAs層4を順次積層して構成される量子井戸層1と量子井戸層1の両側に積層されたGaAs障壁層2および6からなる活性層を有する半導体発光素子を作製する。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element is made of a quantum well layer 1 which is configured by laminating sequentially GaInNAs layer 3 and GaInAs layer 4 and the activity layer consisting of GaAs barrier layers 2 and 6 which are laminated on the both sides of the quantum well layer 1. - 特許庁

前記少なくとも１つの深い井戸領域は、少なくとも１つのトレンチがその下側に深い井戸領域を有さずに、少なくとも１つの活性ゲート構造体を規定するように配置することができる。例文帳に追加

The at least one deep well region can be arranged such that the at least one trench defines at least one inactive gate structure without having an underlying deep well region. - 特許庁

量子井戸層６の両側にキャリア滲みだし防止層５ａ，５ｂを設けた構成とすることにより、量子井戸層６内でのキャリアの存在確率を増大させ、発光再結合の割合を上げる。例文帳に追加

Carrier exudation preventive layers 5a and 5b are provided on both sides of the quantum well layer 6, so that the possibility of presence of carrier in the quantum well layer 6 is raised for promoting light-emission recombination rate. - 特許庁

各々の量子井戸層７ａ，７ｂの両側に厚みの相異なるトンネルバリア層６ａ，６ｂ，８ａ，８ｂを配し、各々の量子井戸層７ａ，７ｂのへの電子・正孔の供給量を制御できる構成とする。例文帳に追加

Tunnel barrier layers 6a, 6b, 8a, and 8b of different thicknesses are provided on both sides of each of quantum well layers 7a and 7b, and the supply amount of electrons and positive holes to each of quantum well layers 7a and 7b is controlled. - 特許庁

障壁層と、それに接する井戸層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。例文帳に追加

The average In composition ratio of a barrier layer and a well layer in contact therewith is higher on the second semiconductor layer side than on the first semiconductor layer side. - 特許庁

複数の活性層の少なくとも２つは、多層積層体と、ｎ側障壁層と、井戸層と、ｐ側障壁層と、を含む。例文帳に追加

At least two of the plurality of active layers each include a multilayered laminate, an n-side barrier layer, a well layer, and a p-side barrier layer. - 特許庁

ｐ側クラッド層とｎ側クラッド層との間に一つまたは複数の井戸層を有する活性層が挟まれた構造を有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、活性層の少なくとも一つの井戸層の組成をこの井戸層に垂直な方向に変調する。例文帳に追加

In the semiconductor light-emitting element using the nitride system group III-V compound semiconductor having a structure in which an active layer having one or a plurality of well layers are sandwiched between a p-type clad layer and an n-type clad layer, the composition of at least one of the well layer of the active layer is modulated in a direction perpendicular to this well layer. - 特許庁

１つのカメラ体に井戸の側壁側を視認し得るカメラ部と、底側を視認し得るカメラ部との双方を設けることで従来より極めて簡易に井戸の側壁及び底の視認調査を行うことができるカメラ装置を提供するものである。例文帳に追加

To provide a camera apparatus capable of extremely easily performing visual inspection of a side wall and the bottom of a well in comparison with the conventional case by providing one camera object with both of a camera part capable of visually recognizing the side wall side of the well and a camera part capable of visually recognizing the bottom side of the well. - 特許庁

ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。例文帳に追加

An average In composition ratio at a p-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the p-type semiconductor layer is larger than an average In composition ratio at an n-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the n-type semiconductor layer and five times or less of the average In composition ratio at the n-side end. - 特許庁

この第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０６のそれぞれにおいて、多重量子井戸活性層１０５側の部分の基板１０１に対する格子不整合率は、多重量子井戸活性層１０５側とは反対側の部分の基板１０１に対する格子不整合率よりも大きい。例文帳に追加

In the first clad layer 104 and the second clad layer 106, a lattice mismatch rate of a part of the multiple quantum well active layer 105 to the substrate 101 is larger than that of a part opposite to the multiple quantum well active layer 105 to the substrate 101. - 特許庁

ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。例文帳に追加

The p-side end average In composition ratios of the well layer and the barrier layer nearest the p-type semiconductor layer are larger than the n-side end average In composition ratios of the well layer and the barrier layer nearest the n-type semiconductor layer, and are less than five times of the n-side end average In composition ratios. - 特許庁

この窒化物半導体発光素子は、ｎ側窒化物半導体２０と、ｎ側窒化物半導体２０上に形成され、量子井戸層３２および障壁層３１を含む量子井戸構造を有する活性層３０と、活性層３０上に形成されたｐ側窒化物半導体４０とを備えている。例文帳に追加

A nitride semiconductor light-emitting element comprises: an n-side nitride semiconductor 20; an active layer 30 that is formed on the n-side nitride semiconductor 20 and has a quantum well structure including a quantum well layer 32 and a barrier layer 31; and a p-side nitride semiconductor 40 formed on the active layer 30. - 特許庁

地表から掘削され地下断層に対してできるだけ直交するよう交差する観測井戸と、前記観測井戸の前記地下断層との交差部分に、前記地下断層の両側の観測井戸壁にケーシングパッカーにより固定される伸縮継手を有するケーシングと、前記ケーシング内に設置される計測器とにより構成されることを特徴とする地下断層モニタリング装置。例文帳に追加

This underground fault monitoring device is constituted of an observation well drilled from a ground surface and crossed to the underground fault to be as orthogonal as possible, a casing having an expansion joint fixed to observation well walls in both sides of the underground fault, by a casing packer, and a measuring instrument provided inside the casing. - 特許庁

また、大山崎集落の大阪府側（島本町山崎）には宗鑑旧居跡（宗鑑井戸）の伝えもある。例文帳に追加

Additionally, it is said that the ruins of Sokan's former residence (Sokan Well) lie in the Osaka Prefecture-side (Yamazaki, Shimamoto-cho) of the village of Oyamazaki.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

揚水管７は、井戸削孔用ガイド管６ｂの内側を貫通し、砂層４に到達するように設置されている。例文帳に追加

The column pipe 7 extends through the inside of a guide pipe 6b for drilling a well and reaches a sand layer 4. - 特許庁

また集水容器７と井戸側管（１，２，３）の内壁との間に隙間ａを設け、隙間ａ内で空気と水を分離するようにした。例文帳に追加

In addition, a gap (a) can be provided between the collecting vessel 7 and internal walls of well bypasses (1, 2 and 3), so that the air and water can be separated in the gap (a). - 特許庁

この井戸型の凹部６は、入射面２となる底部と、この底部２に連続して形成された凹部側壁５とから構成される。例文帳に追加

The concave portion 6 of a well-type is constituted by a bottom portion to be incident surface 2, and the sidewall of the concave portion 5 formed continuously with the bottom potion 2. - 特許庁

活性層に引張り歪を印加した量子井戸型半導体レーザであって、光導波路領域の外側をエッチングにより切り出し、その両側を、絶縁性のパッシベーション膜で成膜することによって形成される量子井戸型半導体レーザ。例文帳に追加

The semiconductor laser is a quantum well type semiconductor laser impressed with a tension strain in an active layer, and is formed by cutting an outside of an optical waveguide area by etching, and by film-forming both sides thereof by an insulating passivation film. - 特許庁

第１搬出管１３〜１４は第１揚水井戸１１から揚水した地下水を第１地下水枯渇領域Ｔ１の外側に導き、第２搬出管２３〜２４は第２揚水井戸２１から揚水した地下水を第２地下水枯渇領域の外側に導く。例文帳に追加

The first carrying-out pipes 13-14 guide underground water pumped up from the first pumping well 11 to outside of the first underground water exhaustion region T1, and the second carrying-out pipes 23-24 guide underground water pumped up from a second pumping well 21 to outside of a second underground water exhaustion region. - 特許庁