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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > "リーク電流制御"に関連した英語例文

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"リーク電流制御"を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 5



例文

第1のメモリと、この第1のメモリよりも容量の小さい第2のメモリと、リーク電流制御回路とを具える。例文帳に追加

The cache memory is provided with a first memory, a second memory of a smaller capacity as compared with the first memory, and a leak current control circuit. - 特許庁

キャッシュメモリ1では、LRUビットレジスタ52に格納された参照履歴を参照して、リーク電流制御回路71がウェイ20の、リーク電流制御回路72がウェイ25のそれぞれを構成するMOSトランジスタの閾値電圧を制御する。例文帳に追加

The cache memory 1 refers to reference history stored on an LRU (Least Recently Used) bit register 52 and controls the threshold voltage of a MOS transistor in which a leakage current control circuit 71 configures a way 20 and a leakage current control circuit 72 configures a way 25, respectively. - 特許庁

前記第2のメモリのインアクティブ状態において、前記リーク電流制御回路からのリーク電流制御信号に基づき、前記第1のメモリを構成するMOSトランジスタの閾値電圧を前記第2の電圧とし、前記第2のメモリを構成するMOSトランジスタの閾値電圧を前記第1の電圧とする。例文帳に追加

When the second memory is inactive, on the basis of a leak current control signal from the leak current control circuit, a threshold voltage of the MOS transistor constituting the first memory is set as the second voltage, and a threshold voltage of the MOS transistor constituting the second memory is set as the first voltage . - 特許庁

前記第2のメモリのアクティブ状態において、前記リーク電流制御回路からのリーク電流制御信号に基づき、前記第1のメモリを構成するMOSトランジスタの閾値電圧を第1の電圧とし、前記第2のメモリを構成するMOSトランジスタの閾値電圧を前記第1の電圧よりも小さい第2の電圧とする。例文帳に追加

When the second memory is active, on the basis of a leak current control signal from the leak current control circuit, a threshold voltage of a MOS transistor constituting the first memory is set as a first voltage, and a threshold voltage of a MOS transistor constituting the second memory is set as a second voltage lower than the first voltage. - 特許庁

例文

レジスタ割当て信号S1が、将来使用される可能性がある物理的なレジスタに関連する情報を有する場合、リーク電流制御回路12は、レジスタ13−1,13−2,...13−nのPMOS素子及びNMOS素子のしきい値電圧をV1とし、及び/又は、電源14の電源電圧をV2とする。例文帳に追加

When a register assignment signal S1 has information about a physical register having possibility of future use, a leak current control circuit 12 sets each threshold value voltage of PMOS elements and NMOS elements of registers 13-1, 13-2, etc. to 13-n to V1, and/or sets a power source voltage of a power source 14 to V2. - 特許庁


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