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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > あいのうたに関連した英語例文

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あいのうたの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 49951



例文

p型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、およびIII族窒化物半導体素子例文帳に追加

FORMING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR REGION, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

III族窒化物半導体結晶の製造方法およびIII族窒化物半導体製造装置例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND APPARATUS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

気相成長装置、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板例文帳に追加

GAS PHASE GROWING APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

III族窒化物半導体製造方法およびIII族窒化物半導体育成用の種結晶例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SEED CRYSTAL FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

例文

III族窒化物半導体微細柱状結晶の製造方法およびIII族窒化物構造体例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR MICRO COLUMNAR CRYSTAL AND GROUP III NITRIDE STRUCTURE - 特許庁


例文

III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

III族窒化物半導体層の気相成長方法及びIII族窒化物半導体素子例文帳に追加

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

III族窒化物半導体自立基板の製造方法およびIII族窒化物半導体自立基板例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SELF-SUPPORTED GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SELF-SUPPORTED GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

III族窒化物積層体、その製造方法およびIII族窒化物半導体素子例文帳に追加

GROUP-III NITRIDE LAMINATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

例文

III族窒化物半導体素子およびIII族窒化物半導体素子の製造方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

例文

III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体発光素子例文帳に追加

MANUFACTURE FOR III GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR AND LIGHT EMITTING ELEMENT THEREOF - 特許庁

III族窒化物半導体発光素子、III族窒化物半導体発光素子の製造方法及びランプ例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LAMP - 特許庁

III族窒化物半導体製造装置、およびIII族窒化物半導体の製造方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

III族窒化物半導体発光素子の製造方法、III族窒化物半導体発光素子及びランプ例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND LAMP - 特許庁

p型のIII族窒化物半導体の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING p-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

III族窒化物半導体の成膜方法およびその装置例文帳に追加

FORMING METHOD AND DEVICE OF III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

III族窒化物p型半導体の製造方法およびIII族窒化物半導体発光素子例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE p-TYPE SEMICONDUCTOR AND LUMINOUS ELEMENT OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

混載LSI半導体装置例文帳に追加

MIXED LSI SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ICカード収納体例文帳に追加

IC CARD STORAGE - 特許庁

新規のII−III−V化合物半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a novel II-III-V compound semiconductor. - 特許庁

シールド配線を行うためのLSI例文帳に追加

LSI FOR SHIELD WIRING - 特許庁

III族窒化物半導体素子及び多波長発光III族窒化物半導体層例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MULTI-WAVELENGTH LIGHT EMITTING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

III族窒化物半導体積層ウェハ及びIII族窒化物半導体デバイス例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR STACKED WAFER AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

III族窒化物半導体レーザ、及びIII族窒化物半導体レーザを作製する方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD OF MANUFACTURING THE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER - 特許庁

III族窒化物半導体及びIII族窒化物半導体成長用基板例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SUBSTRATE FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

III族窒化物半導体薄膜およびIII族窒化物半導体発光素子例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法例文帳に追加

III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT MANUFACTURING METHOD - 特許庁

III族窒化物系半導体トランジスタおよびIII族窒化物半導体積層ウエハ例文帳に追加

III-NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND III-NITRIDE SEMICONDUCTOR MULTILAYER WAFER - 特許庁

III−V族化合物半導体の製造方法およびIII−V族化合物半導体例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

III−V族化合物半導体製造装置及びIII−V族化合物半導体の製造方法例文帳に追加

APPARATUS FOR MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD - 特許庁

III族窒化物半導体発光素子を製造する方法、及びIII族窒化物半導体発光素子例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

III族窒化物系化合物半導体素子及びIII族窒化物系化合物半導体発光素子例文帳に追加

III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

II−VI族化合物半導体基板の熱処理方法およびII−VI族化合物半導体基板例文帳に追加

HEAT TREATMENT METHOD FOR GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND THE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

III族窒化物半導体層、発光層およびIII族窒化物半導体発光素子例文帳に追加

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, LIGHT EMITTING LAYER, AND III-GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT - 特許庁

III族窒化物半導体レーザ及びIII族窒化物半導体レーザを作製する方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER AND ITS FABRICATION PROCESS - 特許庁

III族窒化物半導体を成長する方法、およびIII族窒化物半導体装置を作製する方法例文帳に追加

GROWING METHOD AND DEVICE PREPARING METHOD FOR GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

III族窒化物半導体素子、及びIII族窒化物半導体素子を作製する方法例文帳に追加

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME - 特許庁

III族窒化物半導体の電極形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING ELECTRODES OF III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

III族窒化物半導体のドライエッチング方法例文帳に追加

DRY ETCHING METHOD OF III-FAMILY NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

III−V族窒化物半導体結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING III-V GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL - 特許庁

III−V族窒化物半導体及びその製造方法例文帳に追加

III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR AND ITS PRODUCTION PROCESS - 特許庁

III族窒化物半導体基板およびその製造方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

III−V族窒化物半導体のエッチング方法例文帳に追加

METHOD FOR ETCHING III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

III族窒化物半導体のエッチング方法例文帳に追加

METHOD FOR ETCHING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

III族窒化物半導体素子およびその製造方法例文帳に追加

III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法例文帳に追加

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND ITS FABRICATION - 特許庁

III族窒化物半導体基板、並びにその製造方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

III−V族窒化物系半導体基板の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING FOR GROUP III-V NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

III族窒化物半導体基板およびその洗浄方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND CLEANING METHOD THEREOF - 特許庁

例文

血液凝固第VIII因子の機能代替抗体例文帳に追加

ANTIBODY SUBSTITUTING FOR FUNCTION OF BLOOD COAGULATION FACTOR VIII - 特許庁

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