GROUP-IIIとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for manufacturing a group III nitride capable of obtaining the group III nitride at low temperature and pressure.例文帳に追加

III族窒化物を、低温、低圧において得ることができるIII族窒化物の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Successively the second group III nitride 59 is deposited on the first group III nitride film 53c(53e).例文帳に追加

引き続いて、第１のIII族窒化物膜５３ｃ（５３ｅ）上に第２のIII族窒化物５９を堆積する。 - 特許庁

The channel includes a first III-V compound semiconductor material formed of group III and group V elements.例文帳に追加

チャネルは、III族元素とV族元素から構成される第一III-V族化合物半導体材料からなる。 - 特許庁

The porous material contains at least -M=O group on the surface of a fine pore, where M is at least one kind selected from Zr(IV), Fe(III), Mn(III-VII), Ti(III or IV), Al(III), Co(III) and Ni(III or IV).例文帳に追加

細孔の表面に−Ｍ＝Ｏ基（Ｍは、Ｚｒ（IV）、Ｆｅ（III）、Ｍｎ（III〜VII）、Ｔｉ（IIIまたはIV）、Ａｌ（III）、Ｃｏ（III）およびＮｉ（IIIまたはIV）から選ばれる少なくとも１種である）を含むことを特徴とする多孔質材。 - 特許庁

The particles including the III group metal element include at least one selected from the group consisting of III group metal simple bodies, oxides of the III group metal elements, and hydroxides of the III group metal elements, and the average particle size of the particles including the III group metal element is 50 nm or less.例文帳に追加

III族金属元素を含む粒子は、III族金属の単体、III族金属元素の酸化物およびIII族金属元素の水酸化物よりなる群から選択される少なくとも１種を含み、III族金属元素を含む粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor layer forming method for forming a group III nitride semiconductor layer having excellent crystallinity, a group III nitride semiconductor substrate manufacturing method, and a group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

It is favorable that the group III metal is gallium.例文帳に追加

上記III族金属は、ガリウムであることが好ましい。 - 特許庁

The substrate 1 for forming a group III nitride semiconductor substrate is to be used for obtaining a group III nitride semiconductor substrate by growing a group III nitride semiconductor layer on the group III nitride semiconductor film 13 and removing the base substrate 11.例文帳に追加

III族窒化物半導体基板形成用基板１は、III族窒化物半導体膜１３上に、III族窒化物半導体層を成長させ、下地基板１１を除去し、III族窒化物半導体基板を得るために使用されるものである。 - 特許庁