group IIIb elementsとは 意味・読み方・使い方

As to the semiconductor oxide AOx, "A" is desirably at least one kind of element selected from among the elements of group IIA and group IIIA excluding La, group IIB, group IIIB, group IVA, group VA, group VIA, group VIIA, and group VIIIA of the periodic table of the elements.例文帳に追加

半導体酸化物ＡＯxは、Ａが元素周期律表第２Ａ族及びＬａを除く第３Ａ族、第２Ｂ族、第３Ｂ族、第４Ａ族、第５Ａ族、第６Ａ族、第７Ａ族、及び第８Ａ族の元素から選択される少なくとも１種以上の元素であることが好ましい。 - 特許庁

In particular, the total concentration (C_3A) of the group IIIa elements and/or group IIIb elements is preferably 1×10^18 cm^-3 or more, and the O concentration (Co) is preferably in a range of 0.01C_3A<Co<1.5C_3A.例文帳に追加

特にIIIａ族元素又は／及びIIIｂ族元素の合計濃度（Ｃ_3A）が１×１０^18cm^-3以上であり、Ｏ濃度(Ｃo)が、０．０１Ｃ_3A＜Ｃｏ＜１．５Ｃ_3Aであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a sputtering method and the like which can efficiently deposit a sputtering film having a desired composition by the sputtering method using elements in group-IB, group-IIIB, and group-VIB of the periodic table.例文帳に追加

周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族の元素を用いるスパッタリング法により、所望の組成のスパッタリング膜が効率よく形成可能なスパッタリング方法等を提供する。 - 特許庁

Exhaust gas activated with discharging plasma is contacted with a carrier composed of a porous body with use of a catalyst carrying IIIb group elements.例文帳に追加

多孔質体よりなる担体にＩＩＩｂ族元素を担持した触媒を用い、放電プラズマによって活性化された排ガスを接触させる。 - 特許庁

A catalyst has a polymetallic sulfide phase containing at least one element selected from the elements of group IIIB including sulfur, lanthanide, and actinoids and group IVB and at least one element selected from the elements of group VIIB and group VIII.例文帳に追加

硫黄と、ランタノイドおよびアクチノイドが含まれる第III Ｂ族および第IVＢ族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素と、第VII Ｂ族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素とを含む多金属硫化物相を含む触媒である。 - 特許庁

To provide a novel catalyst having a polymetallic sulfide phase containing at least one element selected from the elements of group IIIB includ ing sulfur, lanthanoids, and actinoids and group IVB and at least one element selected from the elements of group VIIB and group VIII.例文帳に追加

硫黄と、ランタノイドおよびアクチノイドを含む第III Ｂ族および第IVＢ族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素と、第VII Ｂ族および第VIII族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素とを含む多金属硫化物相を含む新規触媒を提供する。 - 特許庁

This method for producing both of cyclododecanone and cyclododecanol features contacting epoxycyclododecanes with hydrogen in the presence of a platinum group catalyst where (a) a platinum group metal and (b) at least one element selected from the group consisting of group VIII, Ib, IIb, IIIb, IVb, Vb, VIb and VIIb elements and lanthanoid elements or compounds thereof as a cocatalyst are supported by a carrier.例文帳に追加

白金族触媒が、（ａ）白金族金属と（ｂ）助触媒としてVIII族、Ib族、IIb族、IIIb族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIb族およびランタノイド元素からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素またはその化合物とを担体に担持したものからなり、該触媒の存在下、エポキシシクロドデカン類と水素とを接触させることを特徴とするシクロドデカノン及びシクロドデカノールの製造法により解決される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound-semiconductor thin-film containing a group IB element, In and Ga as group IIIB elements and a group VIB element and having the excellent uniformity of Ga distribution in the film-thickness direction.例文帳に追加

ＩＢ族元素と、IIIＢ族元素としてＩｎおよびＧａと、VIＢ族元素とを含み、その膜厚方向におけるＧａ分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。 - 特許庁