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VIBとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 《略語》vertical integration building（垂直結合建造物）
「VIB」を含む例文一覧
該当件数 : 83件
Further, the catalyst contains at least one metal, preferably rhenium, selected from a group consisting of group VIIB elements, group VIB elements and iridium.例文帳に追加
さらに触媒は、第VIIB族、第VIB族およびイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも１つの金属、好ましくはレニウムを含む。 - 特許庁
The VIB motor 28 is rotated in response to the arrival of an incoming call.例文帳に追加
ＶＩＢモータ２８を着信に応答して回転させる。 - 特許庁
To provide a process for the regeneration of a catalyst containing at least one metal of group VIII and at least one metal of group VIB which are deposited on a refractory oxide support.例文帳に追加
耐火性酸化物担体上に付着されているVIII族の少なくとも一つの金属とVIB族の少なくとも一つの金属を含む触媒を再生する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a chalcopyrite film by a safe method by sufficiently combining a group Ib metal, a group IIIb metal, and a group VIb element only by heat treatment without using an atmosphere including a group VIb element (Se, S, Te).例文帳に追加
ＶＩｂ族元素（Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ）を含有する雰囲気を使用せずに、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ属金属とＶＩｂ族元素とを加熱処理のみにより十分に化合させて、カルコパイライト膜を安全性の高い手段により得る。 - 特許庁
The octahedron contains at least one element M selected from the group IIIB elements, group IVB elements, group VB elements, group VIB elements, group VIIB elements, group VIII elements, group IB elements, group IIB elements, and group IIIA elements in the periodic table.例文帳に追加
八面体は、元素周期表の第IIIB族、第IVB族、第VB族、第VIB族、第VIIB族、第VIII族、第IB族、第IIB族および第IIIA族の元素から選ばれる少なくとも１つの元素Ｍを含む。 - 特許庁
In this method, the metal in the oxometal complex is selected from groups IVB, VB and VIB transition metal elements.例文帳に追加
その内、前記オキソ金属錯体中の金属は、ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族の遷移金属元素より選ぶ。 - 特許庁
A light quantity automatic control circuit 104 generates control voltages Vid, Vib and Vip for controlling the quantity of light emission of a semiconductor laser LD.例文帳に追加
光量自動制御回路１０４は、半導体レーザＬＤの発光量制御のための制御電圧Ｖｉｄ，Ｖｉｂ，Ｖｉｐを発生する。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「VIB」の意味 |
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vib
| fly | 遺伝子名 | vib |
| 同義語（エイリアス） | CG5269; vibrator; anon-WO0172774.28; anon-WO0172774.12; anon-WO0172774.16; anon-WO0142479.3 | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:42306 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0026158 |
| mouse | 遺伝子名 | VIb |
| 同義語（エイリアス） | Sema N; Sema6b; Semaphorin N; Semaphorin VIB; Semaphorin-6B precursor; Sema; MGC143995; semaZ; Sema VIB; MGC143996; Seman | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:O54951 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:20359 | |
| その他のDBのID | MGI:1202889 |
本文中に表示されているデータベースの説明
Wiktionary英語版での「VIB」の意味 |
VIB
vib.
語源
Abbreviation of Italian vibrato m, past participle of vibrare (“to vibrate”)
別の表記
- vib
発音
- IPA(key): /vɪb/
- 韻: -ɪb
「VIB」を含む例文一覧
該当件数 : 83件
The catalyst can additionaly contain at least one element selected from the group consisting of the elements of group VB and group VIB.例文帳に追加
この触媒はさらに第ＶＢ族および第VIＢ族の元素からなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含にでもよい。 - 特許庁
The film 13 is a semiconductor thin film which functions as a light absorbing layer, and contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加
化合物半導体薄膜１３は、光吸収層として機能する半導体薄膜であり、Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素を含む。 - 特許庁
To provide a solar battery equipped with a light absorption layer consisting of a IB-IIIB-VIB semiconductor of group IB element rich composition.例文帳に追加
ＩＢ族元素リッチ組成のＩＢ−IIIＢ−VIＢ半導体からなる光吸収層を備えた太陽電池を提供する。 - 特許庁
To provide a new manufacturing method of a compound semiconductor thin film containing IB group elements, IIIB group elements, and VIB group elements.例文帳に追加
ＩＢ族元素、IIIＢ族元素、およびVIＢ族元素を含む化合物半導体薄膜の新規な製造方法を提供する。 - 特許庁
The difference between an anti-phase input voltage VIa and a positive phase input voltage VIb is amplified by a differential stage 20, and a differential output voltage VA is outputted.例文帳に追加
逆相入力電圧ＶＩａと正相入力電圧ＶＩｂの差が差動段２０で増幅され、差動出力電圧ＶＡが出力される。 - 特許庁
The light absorbing layer 14 is composed of a compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element.例文帳に追加
光吸収層１４はＩｂ族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含む化合物半導体からなる。 - 特許庁
A wind produced by the rotated VIB motor 28 is externally discharged via the opening 26, cotton 24 impregnated with the aroma in the pocket 16, and the through-hole 20.例文帳に追加
この回転によって発生される風は、開口２６、ポケット１６内の香りを染み込ませた綿２４、そして透孔２０を経て外気へ放出される。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加
ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁
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