例文 (999件) |
ゆうもりの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18751件
オボニック閾値スイッチを有する相変化メモリ例文帳に追加
PHASE-CHANGE MEMORY HAVING OVONIC THRESHOLD SWITCH - 特許庁
フラッシュメモリのアレイを有する半導体デバイス例文帳に追加
構成可能なメモリを有するヒストグラム生成例文帳に追加
半導体レーザ部を有する相変化メモリ素子例文帳に追加
PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT HAVING SEMICONDUCTOR LASER PART - 特許庁
基準セルアレイを有する不揮発性半導体メモリ装置例文帳に追加
NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REFERENCE CELL ARRAY - 特許庁
パワーレベル感知回路を有するフラッシュメモリ例文帳に追加
高融点金属としてモリブデンを用いる。例文帳に追加
Molybdenum is used as the refractory metal. - 特許庁
多層浮遊ゲート不揮発性メモリデバイス例文帳に追加
重錘自由落下式水中捨石基礎圧密均し工法例文帳に追加
WEIGHT FREE-FALLING TYPE UNDERWATER RIPRAP FOUNDATION CONSOLIDATION LEVELING CONSTRUCTION METHOD - 特許庁
感知増幅器制御装置を有する半導体メモリー装置例文帳に追加
SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING SENSE AMPLIFIER CONTROL DEVICE - 特許庁
モリブデン含有廃酸の処理方法例文帳に追加
METHOD FOR TREATING WASTE ACID CONTAINING MOLYBDENUM - 特許庁
メモリ構造100は、ダイオード118を含むピラー117を有する。例文帳に追加
A memory structure 100 has a pillar 117 containing a diode 118. - 特許庁
強誘電体メモリ及びそのデータ読み出し方法例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY AND ITS DATA READOUT METHOD - 特許庁
電気伝導異方性を有する層を含むメモリ・アレイ例文帳に追加
MEMORY ARRAY INCLUDING LAYER HAVING ELECTRIC CONDUCTION ANISOTROPY - 特許庁
記録紙カートリッジのメモリを有効に利用する。例文帳に追加
To effectively utilize a memory of a recording paper cartridge. - 特許庁
テスト機能を有する不揮発性半導体メモリ装置例文帳に追加
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING TESTING FUNCTION - 特許庁
冗長機能を有する不揮発性半導体メモリ装置例文帳に追加
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING REDUNDANT FUNCTION - 特許庁
オボニック閾値スイッチを有する不揮発性メモリ例文帳に追加
NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH - 特許庁
増幅回路及び同増幅回路を有するメモリ装置例文帳に追加
AMPLIFIER CIRCUIT AND MEMORY DEVICE HAVING AMPLIFIER CIRCUIT - 特許庁
対称的なスイッチング特性を有する磁気メモリセル例文帳に追加
MAGNETIC MEMORY CELL HAVING SYMMETRICAL SWITCHING CHARACTERISTIC - 特許庁
モリブデン含有酸化物材料及びその製造方法例文帳に追加
MOLYBDENUM-CONTAINING OXIDE MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁
キャッシュメモリを有するマイクロプロセッサ例文帳に追加
MICROPROCESSOR WITH CACHE MEMORY - 特許庁
バッファメモリを有するパケット転送装置および方法例文帳に追加
PACKET TRANSFER DEVICE HAVING BUFFER MEMORY AND METHOD THEREOF - 特許庁
抵抗変化素子を有する半導体メモリ例文帳に追加
強誘電体メモリ及びその駆動方法と半導体装置例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY, ITS DRIVING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
ナノコンポジット絶縁体を有する相変化メモリセル例文帳に追加
PHASE CHANGE MEMORY CELL INCLUDING NANOCOMPOSITE INSULATOR - 特許庁
酸化物半導体を用いた強誘電体メモリ素子例文帳に追加
半導体製造方法および強誘電体メモリ素子例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR AND FERROELECTRIC MATERIAL MEMORY ELEMENT - 特許庁
ECC制御回路及びそれを有するメモリシステム例文帳に追加
ECC CONTROL CIRCUIT AND MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME - 特許庁
強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD FOR FERROELECTRIC NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY - 特許庁
強誘電体半導体メモリ装置及びその製造方法例文帳に追加
FERROELECTRIC SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
釣り曳き感度を高める事を有する笠かぶりオモリ例文帳に追加
SINKER WITH HAT HAVING ABILITY TO ENHANCE FISHING PULL SENSITIVITY - 特許庁
永久防曇性を有するポリオレフィンフィルム組成物例文帳に追加
POLYOLEFIN FILM COMPOSITION HAVING PERMANENT ANTIFOGGING PROPERTIES - 特許庁
メモリチップ(52)は複数の記憶場所を有する。例文帳に追加
The memory chip (52) has a plurality of memory locations. - 特許庁
メモリセルを有する集積回路、およびその動作方法例文帳に追加
INTEGRATED CIRCUIT HAVING MEMORY CELL AND OPERATION METHOD THEREFOR - 特許庁
複数の不揮発性メモリデバイスを有する記憶装置例文帳に追加
STORAGE DEVICE HAVING PLURALITY OF NONVOLATILE MEMORY DEVICES - 特許庁
メモリ自己検査機能を有する半導体装置例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MEMORY SELF-CHECKING FUNCTION - 特許庁
感知電流安定装置を有するメモリーユニット例文帳に追加
ページ消去を有する不揮発性半導体メモリ例文帳に追加
NON VOLATILE MEMORY HAVING PAGE ERASING - 特許庁
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