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ゆうもりの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18751



例文

強誘電体キャパシタおよびこれを用いた強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR AND FERROELECTRIC MEMORY USING THIS CAPACITOR - 特許庁

誘電体薄膜ならびに強誘電体メモリおよび集積回路例文帳に追加

DIELECTRIC THIN FILM, FERROELECTRIC MEMORY AND INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

誘電体メモリおよびその製造方法並びに誘電体キャパシタ例文帳に追加

DIELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF, AND DIELECTRIC CAPACITOR - 特許庁

強誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC CAPACITOR AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

例文

強誘電体キャパシタ、強誘電体メモリ、及びそれらの製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR, FERROELECTRIC MEMORY AND MANUFACTURING METHOD OF THEM - 特許庁


例文

強誘電体キャパシタとその製造方法、及び強誘電体メモリ装置例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体素子、強誘電体メモリ及びこれらの製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC ELEMENT, FERROELECTRIC MEMORY, AND THEIR MANUFACTURING METHODS - 特許庁

非揮発性強誘電体キャパシタ及び非揮発性強誘電体メモリ例文帳に追加

NONVOLATILE FERROELECTRIC CAPACITOR AND NONVOLATILE DIELECTRIC MEMORY - 特許庁

例文

U字状浮遊ゲートを有するフラッシュメモリの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING FLASH MEMORY HAVING U-SHAPED FLOATING GATE - 特許庁

例文

多層の誘電体層を有するメモリ素子およびその製造方法例文帳に追加

MEMORY DEVICE WITH MULTIPLE DIELECTRIC LAYER, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

誘電体材料及びそれを用いた強誘電体メモリ素子例文帳に追加

DIELECTRIC MATERIAL AND FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT - 特許庁

共通の導線を共有する一対の磁気ビットを有するメモリ素子アレイ例文帳に追加

MEMORY ELEMENT ARRAY HAVING A PAIR OF MAGNETIC BIT SHARING COMMON CONDUCTOR - 特許庁

強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加

PROCESS FOR FABRICATING FERROELECTRIC CAPACITOR, PROCESS FOR FABRICATING FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

電荷トラップ構造を有するメモリセルは複数のバイアス機構を有する。例文帳に追加

A memory cell with a charge trapping structure has multiple bias mechanisms. - 特許庁

ポリ間電荷トラップ構造体を有する浮遊ゲートメモリ素子例文帳に追加

FLOATING GATE MEMORY DEVICE WITH INTERPOLY CHARGE TRAPPING STRUCTURE - 特許庁

その結果、遊技者の遊技興趣を効果的に盛り上げることが可能となる。例文帳に追加

As a result, amusement of the game player is effectively raised. - 特許庁

共有メモリに個別領域を有するマルチプロセッサシステム例文帳に追加

MULTI-PROCESSOR SYSTEM HAVING INDIVIDUAL AREA IN SHARED MEMORY - 特許庁

新規な構造を有するトランジスタ型強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a transistor-type ferroelectric memory having a novel structure. - 特許庁

強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRTRIC MATERIAL, ITS PRODUCTION AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

複数の通信路を有する複数局メモリデータ共有システム例文帳に追加

MEMORY DATA SHARING SYSTEM BY A PLURALITY OF STATIONS HAVING A PLURALITY OF COMMUNICATION LINES - 特許庁

強誘電体メモリとその製造方法、強誘電体メモリ装置とその製造方法、及び電子機器例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC APPARATUS - 特許庁

強誘電体メモリ装置1000は、メモリセルアレイ200と周辺回路部100とを有する。例文帳に追加

The ferroelectric memory device 1000 has a memory cell array 200 and a peripheral circuit section 100. - 特許庁

マルチプロセッサシステムとその共有メモリ制御方法、及び共有メモリ制御プログラム例文帳に追加

MULTIPROCESSOR SYSTEM, ITS SHARED MEMORY CONTROL METHOD AND SHARED MEMORY CONTROL PROGRAM, - 特許庁

隣接メモリセル間でセルプレートを共有する強誘電体メモリ素子及びその駆動方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT SHARING CELL PLATE BETWEEN ADJACENT MEMORY CELLS, AND ITS DRIVING METHOD - 特許庁

配線パターンの形成方法及び強誘電体メモリの製造方法、強誘電体メモリ例文帳に追加

FORMING METHOD OF WIRING PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁

強誘電体メモリ装置は、単純マトリクス型のメモリセルアレイを有する。例文帳に追加

The ferroelectric memory device comprises a simple matrix type memory cell array. - 特許庁

2T/2C型のメモリセルを有する強誘電体メモリに関し、データ読み出しの高速化を図る。例文帳に追加

To increase the speed of reading data from a ferroelectric memory having 2T/2C type memory cells. - 特許庁

モリセルアレイは、強誘電体キャパシタを有する複数のメモリセルが配列されている。例文帳に追加

In a memory cell array, a plurality of memory cells having ferroelectric capacitors are arranged. - 特許庁

強誘電体メモリ装置および強誘電体メモリ装置のスクリーニング方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND SCREENING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体メモリ装置、電子機器および強誘電体メモリ装置の駆動方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND DRIVING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

異なるプレートラインに連結された行のメモリセルを有する強誘電体メモリ装置例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE HAVING MEMORY CELL WHOSE ROWS ARE CONNECTED TO DIFFERENT PLATE LINES - 特許庁

1行複数列の強誘電体メモリセルを有するメモリセル部111が、行列配列される。例文帳に追加

Memory cell sections 111 having the ferroelectric memory cells of one row and a plurality of columns are arrayed as a matrix. - 特許庁

複数のメモリ領域を有する記憶装置を有するユニット及びメモリ制御システム例文帳に追加

UNIT INCLUDING STORAGE DEVICE HAVING TWO OR MORE MEMORY AREAS AND MEMORY CONTROL SYSTEM - 特許庁

NAND型不揮発性強誘電体メモリセル及びそれを用いた不揮発性強誘電体メモリ装置例文帳に追加

NAND NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY CELL AND NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE USING IT - 特許庁

強誘電体メモリ特性変更方法および強誘電体メモリ製造装置。例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY CHARACTERISTIC CHANGING METHOD AND FERROELECTRIC MEMORY MANUFACTURING DEVICE - 特許庁

電荷トラップセルを有するメモリ、および電荷トラップセルを有するメモリの形成法の提供。例文帳に追加

To provide a memory having a charge trap memory cell, and a forming method of the memory having the trap memory cell. - 特許庁

均一性の高い強誘電体メモリセルからなる強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory made up of ferroelectric memory cells with high uniformity. - 特許庁

加速試験における有為差有無判定・有為寿命差見積もり方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR ESTIMATING NECESSARY LIFE DIFFERENCE OF SIGNIFICANT DIFFERENCE DETERMINATION IN ACCELERATED TEST - 特許庁

強誘電体メモリ装置の書き込み方法および読み出し方法ならびに強誘電体メモリ装置例文帳に追加

WRITE-IN METHOD AND READ-OUT METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁

強誘電体メモリ装置および強誘電体キャパシタからなるメモリセルに対する動作方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY, AND OPERATING METHOD FOR MEMORY CELL CONSISTING OF FERROELECTRIC CAPACITORS - 特許庁

モリセルアレイ11は、複数のブロックを有し、各ブロックは複数のメモリセルを有する。例文帳に追加

A memory cell array 11 has a plurality of blocks, each block has a plurality of memory cells. - 特許庁

強誘電体メモリ装置のリサイクル方法および強誘電体メモリモジュール例文帳に追加

METHOD FOR RECYCLING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND FEROELECTRIC MEMORY MODULE - 特許庁

半導体記憶装置は、不揮発性メモリセルを有するメモリセルブロック11〜14を有している。例文帳に追加

The semiconductor device has memory cell blocks 11-14 which have nonvolatile memory cells. - 特許庁

強誘電体メモリ装置、及び強誘電体メモリ装置のデータの読み出しおよび再書き込み方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND DATA READ AND REWRITE METHOD OF THE DEVICE - 特許庁

同一の半導体基板上に、第1のメモリセルアレイを有するキャッシュメモリと、第2のメモリセルアレイを有するメインメモリとが混載されている。例文帳に追加

Cache memories, arranged as a first memory cell array and main memories arranged as a second memory cell array, are provided mixed. - 特許庁

彼はもっと自由な時間を得るために仕事を辞めるつもりです。例文帳に追加

He intends to quit to get more free time.  - Weblio Email例文集

彼女は娘を友人に紹介するつもりでお茶の会を催した。例文帳に追加

She gave a tea party with the intention of introducing her daughter to her friends. - Tatoeba例文

ちゃんとした理由をいってくれなければ、君と離婚するつもりはないよ。例文帳に追加

I'll not divorce you, unless you give me a good reason. - Tatoeba例文

例文

ちゃんとした理由をいってくれなければ、君と離婚するつもりはないよ。例文帳に追加

I won't divorce you unless you give me a legitimate reason. - Tatoeba例文

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