例文 (999件) |
ゆうもりの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 18751件
不揮発性メモリを有する装置例文帳に追加
DEVICE HAVING NONVOLATILE MEMORY - 特許庁
メインメモリを有効に使用する。例文帳に追加
To effectively utilize a main memory. - 特許庁
リード優先メモリシステム例文帳に追加
READ PREFERENTIAL MEMORY SYSTEM - 特許庁
キャッシュメモリを有するプリンタ例文帳に追加
PRINTER WITH CACHE MEMORY - 特許庁
強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
不揮発性強誘電体メモリ装置例文帳に追加
強誘電体メモリデバイス例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁
識別情報を有するメモリ装置例文帳に追加
MEMORY DEVICE WITH IDENTIFICATION INFORMATION - 特許庁
不揮発性メモリを有する機器例文帳に追加
強誘電体メモリの試験方法例文帳に追加
TEST METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING FERROELETRIC MEMORY - 特許庁
多錘用溶融紡糸口金パック例文帳に追加
MELT SPINNING SPINNERET PACK FOR MULTI-SPINDLE - 特許庁
通信システムのメモリ共有装置例文帳に追加
SHARED MEMORY DEVICE FOR COMMUNICATION SYSTEM - 特許庁
共有キャッシュメモリ装置例文帳に追加
SHARED CACHE MEMORY DEVICE - 特許庁
不揮発性強誘電体メモリ装置例文帳に追加
共有メモリデータ転送装置例文帳に追加
SHARED MEMORY DATA TRANSFER DEVICE - 特許庁
メモリバス共有システム例文帳に追加
MEMORY BUS SHARING SYSTEM - 特許庁
メモリモジュール及び遊技機例文帳に追加
MEMORY MODULE AND GAME MACHINE - 特許庁
強誘電体薄膜メモリ例文帳に追加
強誘電体メモリ材料例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY MATERIAL - 特許庁
不揮発性強誘電体メモリ装置例文帳に追加
共有メモリアクセス制御装置例文帳に追加
フラッシュメモリを有する電子機器例文帳に追加
ELECTRONIC EQUIPMENT WITH FLASH MEMORY - 特許庁
強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加
トリガ素子を有するメモリセル例文帳に追加
MEMORY CELL WITH TRIGGER ELEMENT - 特許庁
メモリ共有システム装置例文帳に追加
MEMORY SHARING SYSTEM DEVICE - 特許庁
メモリ制御装置及び遊技機例文帳に追加
MEMORY CONTROLLER AND GAME MACHINE - 特許庁
強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加
曇点を有する高分子組成物例文帳に追加
強誘電体不揮発性メモリ例文帳に追加
不揮発性強誘電体メモリ例文帳に追加
NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
強誘電体不揮発性メモリ例文帳に追加
リフレッシュ機能を有するメモリ例文帳に追加
MEMORY HAVING REFRESHING FUNCTION - 特許庁
森のゆうえんち(もりのゆうえんち)は、かつて京都市左京区八瀬にあった京福電気鉄道経営の遊園地である。例文帳に追加
Mori no Yuenchi (Forest Amusement Park) is a former amusement park located in Yase, Sakyo Ward, Kyoto City, which was operated by Keifuku Electric Railroad Co., Ltd. - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
共有メモリ仮想化装置、および共有メモリ仮想化方法例文帳に追加
SHARED MEMORY VIRTUALIZATION DEVICE AND SHARED MEMORY VIRTUALIZATION METHOD - 特許庁
メモリセルの占有面積を小さくした強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加
To provide a ferroelectric memory having reduced areas for the memory cells. - 特許庁
強誘電体メモリ回路の形成方法および強誘電体メモリ回路例文帳に追加
FORMING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY CIRCUIT AND FERROELECTRIC MEMORY CIRCUIT - 特許庁
FET型強誘電体メモリセルおよびFET型強誘電体メモリ例文帳に追加
FET-TYPE FERROELECTRIC MEMORY CELL AND FET-TYPE FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
防曇性を有するアクリル樹脂及び防曇性を有する積層体例文帳に追加
ACRYLIC RESIN HAVING ANTI-FOGGING PROPERTY AND LAMINATE HAVING ANTI-FOGGING PROPERTY - 特許庁
強誘電体メモリのデータ読み出し方法および強誘電体メモリ例文帳に追加
DATA READING METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY, AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ装置例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁
強誘電体メモリおよび強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
強誘電体メモリの製造方法及び強誘電体メモリ例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY, AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
強誘電体メモリの製造方法および強誘電体メモリ例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY, AND FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
メモリデバイスは、複数の記憶領域RUを有するメモリ21を有する。例文帳に追加
A memory device has a memory 21 having a plurality of storage areas. - 特許庁
強誘電体メモリ及び強誘電体メモリの製造方法例文帳に追加
FERROELECTRIC MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
強誘電体メモリの駆動方法および強誘電体メモリ例文帳に追加
METHOD FOR DRIVING FERROELECTRIC MEMORY, AND THE FERROELECTRIC MEMORY - 特許庁
強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE - 特許庁
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原題:”Through the Looking Glass: And What Alice Found There” 邦題:『鏡の国のアリス』 | This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide. (C) 2000 山形浩生 プロジェクト杉田玄白正式参加作品。 本翻訳は、この版権表示を残す限りにおいて、訳者および著者に一切断ることなく、商業利用を含むあらゆる形で自由に利用・複製が認められる。 |
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