「ポジ形フォトレジスト」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

透明基板上に、少なくとも、ブラックマトリックスと、着色画素層と、透明導電膜と、該透明導電膜上にポジ型のフォトレジストからなるレジストパターンと、該透明導電膜自体には所定の開口部と、が形成されているカラーフィルタ基板の簡素で合理的な製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a simple and rational method for manufacturing a color filter substrate, which comprises a transparent substrate, and on the transparent substrate, at least a black matrix, a colored pixel layer, a transparent conductive film, a resist pattern comprising a positive photoresist on the transparent conductive film, and a predetermined opening formed in the transparent conductive film. - 特許庁

ポジ型のフォトレジストを用いてカラーフィルタ上に配向制御用突起を形成する際に、減膜量を少なくして、配向制御用突起の高さのバラツキを小さくし配向制御用突起の高さを精度よく製造することのできるカラーフィルタ用フォトマスク、及び液晶表示装置用カラーフィルタを提供すること。例文帳に追加

To provide a photomask for a color filter with which projections for alignment control can accurately be manufactured, by decreasing a reduced film quantity thereby making variance in height of the projections for alignment control small, when the projections for alignment control are formed on a color filter by using positive type photoresist, and a color filter for a liquid crystal display. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、デフォーカスラチチュードが広く、プロセス許容性及びラインエッジラフネスや解像力に優れ、あるいは露光マージンが改善され、現像欠陥の発生が軽減され、固形分を溶剤に溶かす時や経時保存時のパーティクルの発生を防止でき、経時保存による感度の変動を防止できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition having a wide defocus latitude and excellent in process tolerance, line edge roughness and resolving power or having an improved margin for exposure in the production of a semiconductor device, suppressing the occurrence of development defects, capable of preventing the generation of particles in the dissolution of solid components in a solvent or during storage and capable of preventing a change of sensitivity due to storage. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術における課題を達成すべく、現像欠陥、特にラインパターン及びトレンチパターン形成におけるブリッジングを低減した遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for exposure to a far ultraviolet ray in which bridging for forming a developing defect or particularly line pattern and a trench pattern is reduced so as to perform a subject in a technique for improving an original performance of a microphotofabrication used for a far ultraviolet ray or particularly an ArF excimer laser beam. - 特許庁