「ポジ形フォトレジスト」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体デバイスの製造におけるコンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にＰＥＤ安定性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition having satisfactory sensitivity and resolving power and excellent in PED stability in the formation of a contact hole pattern in the production of a semiconductor device. - 特許庁

ポジ型フォトレジスト１１ｂ、１１ｃを加熱すると同時に真空中で紫外線を照射することにより硬化して、絶縁膜５及び隔壁６を形成するステップを含む。例文帳に追加

The manufacturing method comprises a step of forming an insulating film 5 and a barrier wall 6 through curing by heating positive photoresists 11b and 11c while irradiating ultraviolet ray in vacuum. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、現像欠陥の発生が軽減できるポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition whose development defects are reduced in manufacturing of the positive photoresist composition and a pattern forming method using the same. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、コンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にレジスト液中のパーティクルの発生が少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition having satisfactory sensitively and resolving power in the formation of a contact hole pattern in the production of a semiconductor device and generating few particles in a resist solution. - 特許庁

アルカリ溶解速度が充分に制御され、その結果線幅が０.３０μmと言う極めて微細なパターン形成を可能とする、ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a novolak resin for a positive-type photoresist, capable of sufficiently controlling its dissolving speed in alkali, and consequently forming such an extremely fine pattern that the line width is 0.30 μm. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、レジスト形状、ドライエッチング耐性に優れ、更にハーフトーン露光適正にも優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition excellent in resist shape and dry etching resistance and excellent also in suitability to halftone exposure in the production of a semiconductor device. - 特許庁

ポジネガ反転を伴うことなく、エッチング回数増なく、高アスペクトエッチングパターンを形成でき、また、フォトレジストパターンのエッチング耐性を向上させ、電子ビーム照射によるライン細りを防止できる。例文帳に追加

To form a high aspect etching pattern without being accompanied with positive-negative reverse or increasing the number of etching steps, to improve etching durability of a photoresist pattern and to prevent line thinning by electron beam irradiation. - 特許庁

波長が２２０ｎｍ以下の露光光源を使用する際、感度、解像度が著しく優れ、パターンプロファイルの形状が優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a positive type photoresist composition remarkably excellent in sensitivity and resolution and excellent in the shape of pattern profile when a light source for exposure which emits light of ≤220 nm wavelength is used. - 特許庁

保存安定性に優れ、液晶表示素子製造用の大型で角状の基板においても、平坦性に優れたレジスト膜を形成することができるポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition excellent in storage stability and capable of forming a resist film excellent in flatness even on a large square substrate for manufacturing a liquid crystal display element. - 特許庁

高感度で高解像力を有し、現像欠陥およびパターンの矩形性が改善された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a chemical amplification type positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power and ensuring reduced development defects and improved rectangularity of a pattern. - 特許庁

ポジティブフォトレジストを二重露光法を用いることにより半田バンプ構造の工程を単純化できる半田バンプ構造の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a solder bump structure capable of simplifying a solder bump structure process by using a double-exposure method of a positive photoresist. - 特許庁

半導体デバイスやＬＣＤ（薄膜トランジスタ）などの製造における基板との密着性に優れたレジストパターンを形成することができる新規なポジ型フォトレジスト組成物の提供。例文帳に追加

To provide a new positive photoresist composition, capable of forming a resist pattern excellent in adhesion to a substrate in the production of a semiconductor device, LCD (thin film transistor) or the like. - 特許庁

ラインエッジラフネスが改善され、更に感度、解像力、レジスト形状及び焦点深度などのレジスト諸特性にも優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for exposure with far UV giving improved line edge roughness and excellent also in various characteristics as a resist such as sensitivity, resolving power, resist shape and the depth of a focus. - 特許庁

ラインエッジラフネスが改善され、更に感度、解像力、レジスト形状及び焦点深度などのレジスト諸特性にも優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition which is improved in line edge roughness and excellent in resist properties such as sensitivity, resolution, resist pattern, and the depth of focus. - 特許庁

ポジ型フォトレジストを使用して被露光材を全面露光する場合も、被露光材の周辺でのパターン剥がれが抑制でき、これに伴うダストの問題等を解消したパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To suppress pattern peeling in the periphery of materials to be exposed even at the time of exposing the whole face of the materials to be exposed by using a positive photoresist. - 特許庁

ラインエッジラフネスが改善され、更に感度、解像力、レジスト形状及び焦点深度などのレジスト諸特性にも優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition ensuring improved line edge roughness and excellent in various characteristics as a result, e.g. sensitivity, resolving power, resist shape and focal depth. - 特許庁

微粒子１２が分散されたポジ型フォトレジストをガラス基板１６に塗布して感光性樹脂層１４を形成し、感光性樹脂層１４を露光して感光層１４ｂと非感光層１４ｃとを生じさせる。例文帳に追加

A photosensitive resin layer 14 is formed by coating a positive-type photoresist in which fine particles 12 are dispersed onto a glass substrate 16, and the layer 14 is exposed to create a photosensitive layer 14b and a non-photosensitive layer 14c. - 特許庁

ラインエッジラフネスが改善され、更に感度、解像力、レジスト形状及び焦点深度などのレジスト諸特性にも優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition which ensures improved line edge roughness and is excellent also in various resist characteristics such as sensitivity, resolving power, resist shape and focal depth. - 特許庁

本発明によるフォト装備は、ネガティブ現像液を供給する現像液供給部と、基板上に形成された光遮断金属層をパターニングして、ブラックマトリクスを形成する際に必要であるポジティブフォトレジストパターンを、ノボラック系の樹脂を基本として、アクリル系の樹脂を含むポジティブフォトレジストと前記ネガティブ現像液とを利用して形成する第１フォト装備を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The photo development equipment includes a developing solution supplier for supplying a negative development solution; and a first photo apparatus to form a positive photoresist pattern, by using a positive photoresist containing a novolac resin as a base and containing an acrylic resin with the above negative development solution, wherein the photoresist pattern is necessary for forming a black matrix by patterning a light-shielding metal layer formed on a substrate. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物をを提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a rectangular pattern in the production of a semiconductor device and ensures low edge roughness of a line pattern and a small dimensional shift in the transfer of a pattern to a lower layer in an oxygen plasma etching step. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a pattern of a rectangular shape and ensures low edge roughness of a line pattern in the production of a semiconductor device and ensures a small dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step. - 特許庁

フォトレジスト３にレジストが薄い部分と厚い部分からなるレジストの溝３１を形成し、ウエハ上のレジスト表面積を増やすことで、デポジション成分をレジストから供給し、配線幅や形状が安定したアルミ合金のエッチングを提供する。例文帳に追加

A groove 31 with thin and thick resist layers is formed on a photoresist 3, and then a deposition component is supplied from a resist by increasing a surface area of the resist on a wafer to enable the aluminum alloy to be etched with the stable wiring width and configuration. - 特許庁

高感度及び高解像力で、矩形形状を有するフォトレジストを与え、現像液への濡れ性が良好で現像欠陥が少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写時に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を得る。例文帳に追加

To obtain a positive type resist composition having high sensitivity and high resolving power, giving a rectangular photoresist, having good wettability with a developing solution, nearly free from development defects and ensuring a slight dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step. - 特許庁

ポジ型フォトレジストを用いて、レジストパターンを形成するにあたって、開口部を形成すべき領域には、実質的にレジスト残渣が残らないような大きな露光量で露光を行うとともに、開口領域の周辺部には、開口領域よりも小さな露光量で露光を行う。例文帳に追加

At formation of the resist pattern by using a positive resist pattern, the region where the opening is to be formed is exposed with high exposure that does not substantially leave the residue of the resist, and at the same time, is also exposed with low exposure. - 特許庁

円板面上に情報信号がピットまたはグルーブとして形成された情報記録担体製造用のポジ型フォトレジストとして、溶剤成分を除去した後のレジスト固形成分の圧縮弾性率が、１００℃において０．５〜８．０×１０^-3ＭＰａの範囲内に設定することにより構成した。例文帳に追加

In the positive photoresist for manufacturing the information recording carrier where an information signal is formed as the pit or a groove on a disk surface, the compressive elastic modulus of the solid component of the photoresist, after a solvent component has been removed, is set to be in a range of 0.5-8.0×10-3 MPa at 100°C. - 特許庁

この製造方法では、内側に拡散反射領域形成用パターンＡが外側に透明パターンＢが形成されたフォトマスク７を用い、基板１の表面上に感光波長域に対して吸光性を有する吸光性材料が混入したポジ型のフォトレジストを塗布してから露光を行う。例文帳に追加

This manufacturing method uses the photomask 7 which has a pattern A for diffuse reflection area formation formed inside and a transparent pattern B formed outside and the exposure is carried out after the surface of the substrate 1 is coated with the positive photoresist with which a light-absorbing material having light absorptivity in a sensitive wavelength range is mixed. - 特許庁

厚膜パターン形成において、均一性、高感度・高解像度でパターン形状に優れ、基板密着性、残膜性、貯蔵安定性に優れ、高スループットが得られ、かつ金属成長応力に耐え得るポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition which is excellent in a pattern form with uniformity, high sensitivity and high resolution in thick film pattern forming, is excellent in substrate adhesiveness, film leaving property and storage stability, can obtain a high throughput, and can bear a metallic growth stress. - 特許庁

遠紫外線とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するリソグラフィーにおいて、矩形プロファイルをもつレジストパターンを高感度、高解像力で実現し得る、更に焦点深度が優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive-type photoresist composition, capable of forming a resist pattern having rectangular profile with high sensitivity and high resolving power in lithography, using far-UV, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength and superior in the focus depth. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、コンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にレジスト液中のパーティクルの発生が少なく、疎密依存性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition having sufficiently high sensitivity and resolving power in the production of a semiconductor device and in the formation of a contact hole pattern, less liable to produce particles in a resist solution and excellent in dependency on density. - 特許庁

有機溶媒を使用することなくオゾン水によりレジスト剥離を容易に行うことができ、例えば半導体用基板や液晶用基板上に、リフトオフ法により加工性および信頼性の高い配線パターンを形成することを可能とするリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a photoresist composition for a lift-off process which facilitates resist stripping by ozone water without using an organic solvent and facilitates formation of a wiring pattern with high processability and reliability by a lift-off process, for example, on a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate. - 特許庁

半導体デバイス製造のコンタクトホールパターン形成において、十分な感度及び解像力を有し、更にレジスト液中のパーティクルの発生が少なく、疎密依存性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition having satisfactory sensitivity and resolving power in the formation of a contact hole pattern for the production of a semiconductor device, less liable to generate particles in a resist solution and excellent in line density dependency. - 特許庁

チャネル保護膜形成工程では、透明基板の下面側及びマスクシートの上面側からそれぞれ光を照射して保護膜用遮光部及びゲート電極に重ねられた部分と端子用遮光部及び入力端子に重ねられた部分とのポジ型フォトレジストを現像し残存させる。例文帳に追加

In the channel protective film forming process, light is emitted from the lower surface side of a transparent substrate and the upper surface side of the mask sheet, thereby developing a positive photoresist of a part superposed on the light-shielding part for the protective film and a gate electrode and a part superposed on the light-shielding part for the terminal and the input terminal to remain. - 特許庁

電子線又はＸ線照射下で十分な高感度、高解像性、良好なパターン形状と、良好な真空中ＰＥＤとラインエッジラフネスを同時に満足し、さらにＥＵＶ光の照射による特性評価においても高感度で高コントラストなポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition which simultaneously satisfies sufficiently high sensitivity, high definition, successful pattern geometry and good invacuo PED and line edge roughness under irradiation with electron beams or X-rays, further has high sensitivity and high contrast in characteristic evaluation by irradiation with EUV light. - 特許庁

固形分を溶剤に溶かす時や経時保存時のパーティクルの発生及び経時保存による感度の変動を防止でき、ハーフトーン位相差シフトマスク適正に優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition for exposure with far UV capable of preventing the occurrence of particles in the dissolution of solid components in a solvent and in storage over time and a variation of sensitivity due to storage over time and excellent in correction of a halftone phase contrast shift mask. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、コンタクトホールの解像において優れた感度を有するとともに、固形分を溶剤に溶かす時や経時保存時のパーティクルの発生を防止でき、経時保存による感度の変動を防止できるポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition for exposure with far UV having superior sensitivity in the resolution of contact holes in the production of a semiconductor device, capable of preventing the occurrence of particles in the dissolution of solid components in a solvent or during storage with time and capable of also preventing a variation of sensitivity due to storage with time. - 特許庁

特定の繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。例文帳に追加

The positive photoresist composition contains a resin which includes a specific repeating constitutional unit and whose dissolution rate in an alkaline developing solution is increased by the effect of an acid and a compound which generates the acid by irradiation with active rays or radiations and patterns are formed by using the positive photoresist composition. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、現像欠陥の発生が軽減され、固形分を溶剤に溶かす時や経時保存時のパーティクルの発生を防止でき、経時保存による感度の変動を防止できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition which suppresses the occurrence of development defects in the production of a semiconductor device, can prevent the generation of particles in the dissolution of a solid component in a solvent and in storage and can prevent a change of its sensitivity due to storage. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、コンタクトホールの解像において優れた感度を有するとともに、固形分を溶剤に溶かす時や経時保存時のパーティクルの発生を防止でき、経時保存による感度の変動を防止できるポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition having superior sensitivity in the resolution of contact holes in the production of a semiconductor device, the photoresist composition preventing the occurrence of particles in the dissolution of solid components in a solvent or during storage with time and also preventing a variation of sensitivity due to storage with time. - 特許庁

アダマンタン骨格を有していても、光照射によりポリマーそのものを可溶化でき、耐エッチング性（特に耐ドライエッチング性）が高く、簡単な組成で微細なパターンを高い精度で形成できるポジ型フォトレジスト用樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition for positive photoresist, in which a polymer itself can be solubilized upon irradiation with light, even if the polymer has an adamantane skeleton, and which has high etching resistance (in particular, high dry etching resistance) and can form a fine pattern, using a simple composition with high accuracy. - 特許庁

本発明の目的は、同一のフォトレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターン解像性とライン幅ラフネス（ＬＷＲ）が良好である、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method of forming a pattern with a desirous pattern resolution and line width roughness (LWR) using a positive resist composition suitable for multiple exposure in a multiple exposure process of exposing the same photo-resist film two or more times. - 特許庁

半導体デバイスの製造において、現像欠陥の発生が軽減され、固形分を溶剤に溶かす時や経時保存時のパーティクルの発生を防止でき、経時保存による感度の変動を防止できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition which reduces the occurrence of development defects in the production of a semiconductor device, is free from particles generated in the dissolution of solid components in a solvent and prevents the occurrence of particles in storage and the variation of sensitivity due to storage. - 特許庁

チャネル保護層を形成する膜を透光性を有する酸化物半導体層上に形成し、チャネル保護層を形成する膜上にポジ型のフォトレジストを形成し、裏面露光法を用いて酸化物半導体層中のチャネル形成領域上に選択的にチャネル保護層を形成することを要旨とするものである。例文帳に追加

A film forming a channel protection layer is formed on an oxide semiconductor layer having a light-transmitting property, a positive photoresist is formed on the film forming the channel protection layer, and a channel protection layer is selectively formed on a channel formation region in the oxide semiconductor layer by using a back surface light exposure method. - 特許庁

透明基板２上に着色部４を形成した基材１上の所望の領域に、ポジ型フォトレジストパターン８を形成し、パターン露光してスルーホール１０を形成し、該スルーホール１０にインクジェットヘッド１１より硬化型樹脂組成物１２を充填して硬化させ、スペーサー１３を形成する。例文帳に追加

The color filter is manufactured by forming a positive photoresist pattern 8 in the desired region on a substrate 1 comprising a coloring part 4 formed on a transparent substrate 2, forming a through hole 10 by exposing the pattern and forming the spacer 13 by filing a curable resin composition 12 in the through hole 10 from an inkjet head 11 and curing it. - 特許庁

液晶表示装置におけるカラーフィルタ基板１１、または画素電極基板に、ポジ型フォトレジストを用いて液晶セルギャップ制御用の固定スペーサ５を形成するためのフォトマスク２０であって、固定スペーサのフォトマスクパターンとして、遮光部８の周囲に全透過スリットを含むグレートーン部９を有する。例文帳に追加

The photomask 20 is used for forming the fixed spacer 5 for controlling the liquid crystal cell gap by using the positive photoresist on the color filter substrate 11 or on the pixel electrode substrate in the liquid crystal display device, and has a gray tone portion 9 including a total transmission slit on the periphery of a light-shielding portion 8 as a photomask pattern of the fixed spacer. - 特許庁

液晶表示装置用カラーフィルタ基板や画素電極基板に、ポジ型フォトレジストを用いてセルギャップ制御用の固定スペーサを形成するためのフォトマスクを最適化し、工程条件によるバラツキの少ないカラーフィルタ基板とその製造方法、および画素電極基板とその製造方法を提供し、高品質の液晶表示装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a color filter substrate and a pixel electrode substrate, both of which scarcely having fluctuation irrespective of a process condition, and methods for producing them, by optimizing a photomask for forming a fixed spacer for controlling a cell gap by using a positive photoresist on the color filter substrate or the pixel electrode substrate for the liquid crystal display device, and to provide a high-quality liquid crystal display device. - 特許庁