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強誘電体ヒステリシスループの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
単純マトリクス型強誘電体メモリを実際に動作させることのできるヒステリシスループを持つ強誘電体キャパシタ及びデバイス構成を提案し、単純マトリクス型強誘電体メモリを実現すること。例文帳に追加
To propose a ferroelectric capacitor having a hysteresis loop capable of actually operating a single matrix ferroelectric memory and device configuration, and to realize the single matrix ferroelectric memory. - 特許庁
これにより、強誘電体キャパシタのヒステリシスループのサイズがVBL=VPL=VDDの時より小さくなるため、データ”0”とデータ”1”との間の電位差ΔVをセンスアンプの動作マージンより小さくすることが可能となり、サイクリング試験を行わなくても劣化している強誘電体キャパシタセルの検出が可能となる。例文帳に追加
Thereby, since size of a hysteresis loop of the ferroelectric capacitor is made smaller than that is VBL=VPL=VDD, potential difference ΔV between data '0' and data '1' can be made smaller than the operation margin of a sense amplifier, and a deteriorated ferroelectric capacitor can be detected without performing a cycling test. - 特許庁
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