例文 (2件) |
暴露後放出の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
放電ガスが流通するガス供給路1内に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせた後、この放電ガスをガス供給路1外に放出すると共にガス供給路1から放出された放電ガスに被処理物4を暴露させるようにするプラズマ処理装置に関する。例文帳に追加
This plasma treatment device discharges a discharge gas to the outside from a gas supply path 1 through which the discharge gas is made to flow and, at the same time, exposes an object 4 to be treated to the discharge gas discharged from the path 1 after causing discharge under a pressure which is close to the atmospheric pressure in the path 1. - 特許庁
その後、ポリアリールエーテル膜18を選択的にエッチングし第1配線層16表面にまで達するビアホール24aを開口した後、温度350℃、5分間の第2の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第2層間絶縁膜22に吸収された水分を放出する。例文帳に追加
After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment. - 特許庁
例文 (2件) |
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