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縮退型半導体の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
得られたドーピング結晶は、優れたキャリア濃度を有するp型半導体の性質と、電気抵抗率が温度低下と共に減少する縮退半導体的挙動を示す性質を備える。例文帳に追加
Obtained doping crystal has p-type semiconductor characteristics having good carrier concentration, and a characteristic exhibiting the degenerate semiconductor behavior that an electrical resistivity decreases with a temperature drop. - 特許庁
p型拡散層13の上の凹凸形状に沿って、酸窒化シリコンよりなり厚さが1nm〜3nmのトンネル絶縁膜14と、不純物濃度が1×10^19cm^-3以上であって第2導電型の高濃度半導体層としての縮退したn型電極15が形成されている。例文帳に追加
A 1 to 3 nm thickness tunnel insulating film 14 consisting of acid nitride silicon and a degenerated n-type electrode 15 as a second conductivity-type heavily-doped semiconductor layer, whose impurity concentration is 1×1019 cm-3 or higher are formed along recesses and projections on the p-type diffusion layer 13. - 特許庁
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