BVDsを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
To provide a high withstand voltage MOS transistor, having a high source/drain withstand voltage Bvds of approximately 300 V and a low ON resistance.例文帳に追加
300V程度の高いソース・ドレイン耐圧Bvdsを有するとともに、低いオン抵抗を有した高耐圧MOSトランジスタを提供する。 - 特許庁
The analog switching circuit is configured with Nch-MOS transistors(TRs) 2a, 2b with a high drain-source breakdown voltage BVDS, a low gate-source breakdown voltage BVGS and a low threshold voltage VT and with a Pch-MOS TR 2c with high BVDS and BVGS.例文帳に追加
ドレイン・ソース間耐圧BVDSが高く、ゲート・ソース間耐圧BVGSが低く、しきい値電圧VTが低いNch−MOSトランジスタ2a,2bと、BVDS,BVGSが高いPch−MOSトランジスタ2cとでアナログスイッチ回路が構成される。 - 特許庁
To provide an MOS transistor having a high source-drain breakdown voltage BVds and high current driving capability even at a low on-resistance.例文帳に追加
高いソース・ドレイン耐圧BVdsを有するとともに、低いオン抵抗であって電流駆動能力の高いMOSトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁
Nch-MOS TRs 2e, 2d with high BVDS and BVGS are connected to an inter-source connecting point 2S between the Nch-MOS TRs 2a, 2b.例文帳に追加
さらにNch−MOSトランジスタ2aと2bのソース間接続点2SにBVDS,BVGSが高いNch−MOSトランジスタ2e,2dが接続される。 - 特許庁
A surge protective circuit 2 clamps a surge voltage applied to a power source supply terminal Vcc by BVDS(breakdown voltage between a source and a drain) of MOS transistors MZ1, MD2, and absorbs surge energy.例文帳に追加
サージ保護回路2は、MOSトランジスタMZ1、MZ2のBVDS(ソース・ドレイン間ブレークダウン電圧)により電源受給端子V_CC に印加されたサージ電圧をクランプし、サージエネルギを吸収する。 - 特許庁
To prevent a dielectric breakdown voltage BVDS between a source and a drain of a DMOS transistor from being lowered owing to occurrence of dielectric breakdown in a part of a high-concentration N-type drift layer 5 formed in an active region 14 in the vicinity of a field oxide film corner part 19 surrounding an end E in a gate width direction.例文帳に追加
ゲート幅方向端部Eを取り囲むフィールド酸化膜コーナー部19近傍の活性領域14に形成された、高濃度N型ドリフト層5の部分で絶縁破壊することにより、DMOSトランジスタのソース・ドレイン間絶縁破壊電圧BVDSが低下することを防止する。 - 特許庁
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