「Line source」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT.例文帳に追加

本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 - 特許庁

Subsequently, a semiconductor region is formed using a part of the crystalline semiconductor film, a source electrode and a drain electrode touching the semiconductor region electrically are formed, and a gate interconnect line connected with the gate electrode is formed, thus forming the inverse stagger TFT.例文帳に追加

本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒金属層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 - 特許庁

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加

第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁

d. The maximum light intensity of a constant light and a blinking light shall be such that in the azimuth angles, a range within 3 degrees each leftward and rightward from a vertical plane comprising the light source center and take-off or landing path, or a vertical plane parallel to said path, and a range within 2 degrees upward and downward from the boundary plane between green and red, the intensity being 9,000 candela or more and such that in the azimuth angles, a range within 15 degrees each leftward and rightward from a vertical plane comprising the light source center and take-off or landing path, or a vertical plane parallel to said path, and a range within 10 degrees upward and downward from the boundary plane between green and red, the intensity being 375 candela or more, and, the cross-section of the anode light in the plane perpendicularly intersecting the crossing line of a vertical plane comprising the take-off or landing path or a vertical plane parallel to said path and the boundary plane between green and red shall be oval. 例文帳に追加

ｄ　不動光の光度及び明滅の最大光度は、方位角において、光源の中心を含み、離陸若しくは着陸の経路を含む鉛直面又は当該経路に平行な鉛直面から左右それぞれ三度までの範囲及び航空緑と航空赤との境界面の上下それぞれ二度までの範囲では九千カンデラ以上、方位角において、光源の中心を含み、離陸若しくは着陸の経路を含む鉛直面又は当該経路に平行な鉛直面から左右それぞれ十五度までの範囲及び航空緑と航空赤との境界面の上下それぞれ十度までの範囲では三百七十五カンデラ以上であり、かつ、離陸若しくは着陸の経路を含む鉛直面又は当該経路に平行な鉛直面と航空緑と航空赤との境界面の交線に直交する平面における光柱の断面は、楕円形であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム