「Line source」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus the capability of knowing whether the abnormality is caused by the abnormality of the electronic device 3 itself or caused by the abnormality of the power source line 5, is improved when the condition of the electronic device 3 is not normal, and the user can more accurately grasp the condition of the electronic device 3.例文帳に追加

このため、電子装置３の状態が正常でない場合、それが、電子装置３自体の異常に起因するものか電源ライン５の異常に起因するものかが分かる可能性が高くなり、使用者は電子装置３の状態をより正確に把握し得る。 - 特許庁

In a bit weighting current source circuit 43, during reference current write operation, reference current IREF[2] from a reference current line 40 is guided so as to pass through an n-type TFT 48, and a gate voltage at that time is held at a capacitor 49.例文帳に追加

ビット重み付け電流源回路４３において、基準電流書込み動作時には、基準電流線４０からの基準電流ＩＲＥＦ［２］がｎ型ＴＦＴ４８を通過するように導かれ、そのときのゲート電圧がキャパシタ４９に保持される。 - 特許庁

This power conversion device 41 is connected to power source lines L1, L2 of the single-phase three-line distribution electric wire passage 27 via two connecting points 42a, 42b of a power supply switch 42, and neutral lines N are connected to each other via an always-opening connecting point 43a of a relay 43.例文帳に追加

電力変換装置４１と単相３線式配電線路２７の電源線Ｌ１、Ｌ２との間を電源スイッチ４２の２つの接点４２ａ、４２ｂにより接続し、中性線Ｎとの間をリレー４３の常開形の接点４３ａにより接続する。 - 特許庁

Alternatively, the forging stock heating apparatus is constituted to arrange the rotary preheating furnace on top of the straight line heating furnace and to introduce high temperature exhaust exhausted from the straight advancing type heating furnace, into the rotary preheating furnace above by the introducing means so as to be used as a heat source of the preheating furnace.例文帳に追加

また、回転式予熱炉を直進式加熱炉の上に重ねて配置し、直進式加熱炉から排出される高温排気を、前記導入手段によって、上の回転式予熱炉に導入して、予熱炉の熱源として利用するように構成されている。 - 特許庁

In the image forming apparatus for the synthetic resin plate having such a constitution, the driving source is operated according to an abnormality detection signal due to the abnormality of the suction pressure of a pressure detecting device, and the cam 50 is rotated in a state shown by an alternate long and two short dashes line.例文帳に追加

上記構成の合成樹脂板用画像形成装置において、図示しない圧力検出装置の吸引圧力異常による異常検出信号に基づいて駆動源が動作し、偏心カム５０が二点鎖線で示す状態に回転する。 - 特許庁

The body region 32 is so formed as to have a narrow width W in the shape of a cross section nearly orthogonal to a line whereby the source region 24 and the drain region 28 are connected, and the MOS field effect transistor 20 becomes the complete depletion-type one having no neutral region in the body region 32.例文帳に追加

ボディー領域３２は、ソース領域２４とドレイン領域２８とを結ぶ線にほぼ直交する横断面の形状において、狭い幅Ｗで形成され、ボディー領域３２に中性領域が存在しない完全空乏型となっている。 - 特許庁

An approximate line, with the frequency as a variable, is made by using a power-supply current value measured at each frequency, and then the power-supply current value is employed as a substitution value of a stationary power source current value which is determined by extrapolating the power-supply current value, when the frequency is "0".例文帳に追加

各周波数毎に測定した電源電流値を用いて周波数を変数とした近似線を作成し、それより、周波数が０の場合の電源電流値を外挿し求める、その電源電流値を静止電源電流値の代用値として用いる。 - 特許庁

To provide a static semiconductor storage device capable of preventing malfunction of a semiconductor storage device by ensuring the margin between a power source voltage level of data latched by a memory cell which is to be caused by high resistance of a ground voltage line in the case of low voltage operation and a ground voltage level.例文帳に追加

低電圧の動作時に接地電圧ラインの高抵抗によるメモリセルにラッチされたデータの電源電圧レベルと接地電圧レベル間のマージンを確保して、半導体メモリ装置の誤動作を防止し得るスタチック半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A predetermined region of plate glass 11 is irradiated with inspection light from a light source and the diffused and reflected light from the predetermined region is received by a line CCD camera 13 arranged at a position shifted from the optical axis Lr of the regularly reflected light from the predetermined region.例文帳に追加

光源１２から板ガラス１１の所定の領域に検査光が照射され、その所定の領域からの拡散反射光は、前記所定の領域からの正反射光の光軸Ｌｒから外れた位置に配設されたラインＣＣＤカメラ１３で受光される。 - 特許庁

A self-luminous type display has a pixel circuit 3(i, j) including a light emitting diode OLED, a driving transistor Md and a holding capacitor Cs, and a drive signal generating circuit (horizontal pixel line driving circuit 41) for generating a control signal (electric power source driving pulse DS) for driving the pixel circuit 3(i, j).例文帳に追加

発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、駆動トランジスタＭｄおよび保持キャパシタＣｓを含む画素回路３(i,j)と、画素回路３(i,j)の駆動のための制御信号（電源駆動パルスＤＳ）を発生する駆動信号発生回路（水平画素ライン駆動回路４１）とを有する。 - 特許庁

In the element substrate 10 of a liquid crystal device, a switching element 1d' having capacitor elements 1z' between the source and the gate and between the drain and the gate, respectively is interposed between a sensor signal line 1j to output a signal from a sensor element 1h and a common wiring VCOM.例文帳に追加

液晶装置の素子基板１０において、センサ素子１ｈから信号出力を行うセンサ用信号線１ｊと共通配線ＶＣＯＭとは、ソース・ゲート間、およびドレイン・ゲート間に容量素子１ｚ′を備えたスイッチング素子１ｄ′が介挿されている。 - 特許庁

When an impedance of an impedance circuit 308 changes according to a video signal S2A, the current flowing from a power source voltage line of a display element 40 to the impedance circuit 308 changes according thereto and the signal component of the current corresponding to the video signal S2A is generated.例文帳に追加

映像信号Ｓ２Ａに応じてインピーダンス回路３０８のインピーダンスが変化すると、これに応じて表示部４０の電源電圧ラインからインピーダンス回路３０８へ流れる電流が変化し、映像信号Ｓ２Ａに応じた電流の信号成分が生じる。 - 特許庁

The load current calculation means 4 calculates a value of the load current of the distribution line by vector operation from the values of the outlet current obtained by the outlet current obtaining means 2 and those of the currents of the distributed power sources obtained by the power source current obtaining means 3.例文帳に追加

負荷電流計算手段４は、引出し口電流取得手段２が取得した引出し口電流の値と、電源電流取得手段３が取得した分散型電源電流の値とから、ベクトル演算により配電線負荷電流の値を計算する。 - 特許庁

At the operation of the liquid crystal panel 100, a non-conductive state is switched to a conductive state between the source region 31S and the drain region 31D of the TFT 31, and consequently, the data line 114A and the capacitive element 32 are electrically connected in a mutual manner.例文帳に追加

液晶パネル１００の動作時には、ＴＦＴ３１のソース領域３１Ｓ及びドレイン領域３１Ｄ間の非導通状態から導通状態に切り替えられているため、データ線１１４Ａ及び容量素子３２は相互に電気的に接続されている。 - 特許庁

A photoresist film 80 is formed on semiconductor substrates 10, 20 and patterned, in order to expose a source line region 85 in a flash memory array region 90 and a polysilicon film region 40 in CMOS circuit regions 100, 110.例文帳に追加

半導体基板１０、２０上にホトレジスト膜８０を形成し、フラッシュ・メモリ・アレイ領域９０内のソース線領域８５及びＣＭＯＳ回路領域１００、１１０内の多結晶シリコン膜領域４０を露出するためにホトレジスト層８０にパターニングを施す。 - 特許庁

To detect the existence of abnormality of a smoothing capacitor which smoothes the system voltage of a system that generates system voltage in a power line by boosting the voltage of a DC power source with a step-up converter and drives an AC motor via an inverter by this system voltage.例文帳に追加

直流電源の電圧を昇圧コンバータで昇圧して電源ラインにシステム電圧を発生させ、このシステム電圧によりインバータを介して交流モータを駆動するシステムのシステム電圧を平滑する平滑コンデンサの異常の有無を検出できるようにする。 - 特許庁

Each pixel area Pmn is provided with a photodiode 10, a source follower amplifier 14 which converts electric charges in the photodiode 10 into a voltage, amplifies the voltage and outputs image data, and a horizontal selection transistor (TR) 16 that outputs the image data to a prescribed vertical selection line CLn.例文帳に追加

画素領域Ｐｍｎは、フォトダイオード１０と、フォトダイオード１０の電荷を電圧に変換して増幅し、画像データを出力するソースフォロワアンプ１４と、画像データを所定の垂直選択線ＣＬｎに出力する水平選択トランジスタ１６とを備えている。 - 特許庁

Water passed through the heat source 13 by the action of the fluid introducing machine 12 is converted to a supercritical state or subcritical state, introduced into the pipe line 11 from an introducing port 14 and discharged from the inlet port 11A and the outlet port 11B.例文帳に追加

流体流入機１２の駆動によって熱源機１３を通った水は、超臨界状態または亜臨界状態とされた後に、流入口１４から管路１１の内部に流入され、導入口１１Ａ及び導出口１１Ｂから流出する。 - 特許庁

The CPU prohibits an incorporated microphone and an incorporated speaker from being turned on at the same time, and forcibly turns off the incorporated speaker in timing at which an input sound source of a track having entered a sound recording standby state changes from a line input terminal to the incorporated microphone.例文帳に追加

ＣＰＵは、内蔵マイクと内蔵スピーカの同時オンを禁止するとともに、録音スタンバイ状態に移行したトラックの入力音源がライン入力端子から内蔵マイクに切り替わったタイミングで内蔵スピーカをオンからオフに強制的に切り替える。 - 特許庁

By designate-inputting the automatic vending machine 4 by a mobile telephone set 6, source identification information (a telephone number, e.g.) from a mobile telephone set 6 and calling information of a designated automatic vending machine are transmitted to the machine 4 via a communication line L.例文帳に追加

移動電話機６により自動販売機４の指定入力を行うことにより、移動電話機４から発信元識別情報（例えば電話番号）、指定自動販売機の呼出情報が通信回線Ｌを経由して自動販売機４に送信される。 - 特許庁

Further, a central airflow direction changing vane 16, provided between the left-and-right airflow direction changing vanes 12, 14, is driven by a second driving source 36 through a second connecting shaft 34 while the first and second connecting shafts 24, 34 are arranged on the same straight line.例文帳に追加

また、左右の風向変更羽根１２，１４の間に設けられた中央の風向変更羽根１６を第２の連結軸３４を介して第２の駆動源３６により駆動し、第１及び第２の連結軸２４，３４を同一直線状に配置した。 - 特許庁

4. The anode light shall, in the case of lamp units installed both outside of a taxiway, be visible at least within a cone having the light source center as its apex and an apical angle of 16 degrees, and in the case of those installed within a taxiway, be visible at least in azimuth angles, within 10 degrees leftward and rightward from a vertical plane comprising the light source center and the taxiway centerline or the tangential line of the taxiway centerline and a range from 1 to 8 degrees upward from a horizontal plane comprising the light source center. 例文帳に追加

（四）　光柱は、誘導路の両外側に設置する灯器にあつては、最小限、光源の中心を頂点とし頂角が十六度の円錐内で見えるものであり、誘導路内に設置する灯器にあつては、最小限、方位角において、光源の中心を含み、かつ、誘導路中心線又は誘導路中心線の接線を含む鉛直面から左右それぞれ十度までの範囲及び光源の中心を含む水平面の上方一度から八度までの範囲で見えるものであること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The variable attenuation circuit has a signal attenuation part 400 having a MOSFET 411 for variable attenuation in serial with a signal line connecting a signal input terminal 404 with a signal output terminal 405, an attenuation amount control circuit part 401 which controls gate potential of the MOSFET 411 for variable attenuation to adjust an attenuation amount and a source bias circuit part 402 for providing the MOSFET 411 for variable attenuation with a source bias.例文帳に追加

信号入力端子４０４と信号出力端子４０５とを結ぶ信号ラインに直列に可変減衰用ＭＯＳＦＥＴ４１１を有する信号減衰部４００と、可変減衰用ＭＯＳＦＥＴ４１１のゲート電位を制御し減衰量を調整する減衰量制御回路部４０１と、可変減衰用ＭＯＳＦＥＴ４１１にソースバイアスを与えるためのソースバイアス回路部４０２とを有している。 - 特許庁

In the organic EL device fabrication apparatus, evaporation amounts of an organic EL material from respective nozzles arranged on a line, of an evaporation source which emits evaporated deposition material to an inner part of a vacuum tank via the plurality of nozzles are monitored for each nozzle group by an evaporation amount monitoring means and the evaporation source is controlled by a controlling means by using information of the evaporation amounts of the organic EL material of the respective monitored nozzles.例文帳に追加

有機ＥＬデバイスの製造装置において、蒸発させた蒸着材料を線上に配置した複数のノズルを介して真空槽の内部に放出させる蒸発源の各ノズルからの有機ＥＬ材料の蒸発量を、蒸発量モニタ手段で各ノズルにモニタし、このモニタした各ノズルの有機ＥＬ材料の蒸発量の情報を用いて制御手段で蒸発源を制御するようにした。 - 特許庁

An image processing apparatus of a transmission source of the plurality of image processing apparatusses connected via a communication line transmits the transmission information related to the image processing apparatus to an image processing apparatus of order next to the image processing apparatus of the transmission source based on transmission path information arranged in order of the large number of permitted functions related to the function of the image processing apparatus with respect to the plurality of image processing apparatusses.例文帳に追加

通信回線を介して接続された複数の画像処理装置の中の伝達元の画像処理装置は、画像処理装置に関する伝達情報を、前記複数の画像処理装置に関して画像処理装置の機能にかかわる許可されている機能の数が多い順の並びになっている伝達経路情報に基づく当該伝達元の画像処理装置の次の順番の画像処理装置へ伝達する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a construction, in which a plurality of memory cells each including a first transistor, a second transistor and a capacitor element are arranged as a matrix, and a wiring that is also called a bit line for connecting one of the memory cells with another memory cell, and a source electrode or a drain electrode in the first transistor are electrically connected through the source electrode or a drain electrode in the second transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタと第２のトランジスタと容量素子とを各々含む複数のメモリセルをマトリクス状に配置し、メモリセルの一と他のメモリセルとを接続する配線（ビット線とも呼ぶ）と、第１のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極と、が、第２のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極を介して電気的に接続した構成とした半導体装置を提供する。 - 特許庁

This controller has a first free rotating rotation means 110, a rotating rotation driving source 120, a second rotation means 130 driven by the driving source, all being built in a main body, and a line 140 wound around the first rotating means 110 with one end being fixed on the main body and the other end on the second rotation means 130.例文帳に追加

本体１５０に組み込まれ、自在に回転する第１の回転手段１１０と、前記本体に組み込まれ、回転駆動する回転駆動源１２０と、前記本体に組み込まれ、前記回転駆動源により回転する第２の回転手段１３０と、前記第１の回転手段に巻回され、一端が前記本体に係止され、他端が前記第２の回転手段に係止されている線１４０とを備える。 - 特許庁

The gas discharge tube 1 applied to the light source device 30 comprises a light emission window 14a of a sealed container 2, a convergence opening 8a of a convergence electrode 8, an anode opening 6a of an anode 6 and as light transmission portion 21 of a stem 4 arranged in line.例文帳に追加

この光源装置３０に適用させるガス放電管１においては、密封容器２の光出射窓１４ａと、収束電極部８の収束開口８ａと、陽極部６の陽極開口６ａと、ステム４の光透過部２１とを一列に整列させることができる。 - 特許庁

After forming the gate electrode layer 24 of polysilicon or the like as indicated by a broken line on the insulating film 20, an n^+-type source region 28 and an n^+-type drain region 30 are formed by an ion implantation processing with the lamination of the electrode layer 24 and the insulation film 20 and the insulating film 16 as masks.例文帳に追加

絶縁膜２０の上に破線で示すようにポリシリコン等のゲート電極層２４を形成した後、電極層２４及び絶縁膜２０の積層と絶縁膜１６とをマスクとするイオン注入処理によりＮ^＋型ソース領域２８及びＮ^＋型ドレイン領域３０を形成する。 - 特許庁

A lincage wiring 80 connecting the source electrode 67 of a TFT(thin-film transistor) 7, a pixel electrode 53 and an auxiliary capacitance 61 electrode 61 each other includes a wiring part 80X, which is not overlapped with both of an auxiliary capacitance line 52 forming an auxiliary capacitance and the auxiliary capacitance electrode 61.例文帳に追加

ＴＦＴ７５のソース電極６７、画素電極５３、及び補助容量電極６１を互いに連結する連結配線８０は、補助容量を形成する補助容量線５２及び補助容量電極６１にともに重ならない配線部８０Ｘを含んでいる。 - 特許庁

To provide a water flow measuring apparatus which can be downsized and lowered in cost, eliminates cell replacement, and can electrically measure the flow of water under measurement without wiring a power source line and a water cell which can be effectively used in the measuring apparatus or the like.例文帳に追加

装置の小型化と低コスト化を図ると共に、電池の交換作業が不要となり、電源線を配線することなく電気的に被計測水の流量を計測することができる水流量計測装置の提供、及び同計測装置等において効果的に使用可能な水電池を提供する。 - 特許庁

This subscriber circuit 203 that tests a subscriber line 202 connected to a subscriber terminal 201 is provided with a power voltage monitor circuit 216, which outputs a monitor output 218, in response to the change of a power voltage VBB when it is fluctuated, to a current source 219.例文帳に追加

加入者端末２０１に接続された加入者線２０２の試験を行う加入者回路２０３には、電源電圧監視回路２１６が設けられており、電源Ｖ_BBが変動したときその変化に応じた監視出力２１８を電流源２１９に出力する。 - 特許庁

To provide an image display device capable of improving a manufacturing yield and high reliability by preventing oxidation of a terminal part in a positive electrode oxidation process of a lower electrode (signal line) constituting a thin-film type electron source, and of increasing the thickness of an interlayer insulation layer formed at the same time.例文帳に追加

薄膜型電子源を構成する下部電極（信号線）の陽極酸化処理における端子部の酸化を防止して、製造歩留まりと、高信頼性を向上し、同時に形成する層間絶縁層の厚膜化を実現した画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The power source control device 3 judges a polarity and size of a static charged potential of the object by a signal of a detection resistance 10 connected to a grounding line 9, and controls an output voltage of the high-voltage generation circuits of positive and negative sides for retaining the ion balance of the object.例文帳に追加

電源制御装置３は、接地線９に接続された検出抵抗１０の信号で対象物体の帯電電位の極性と大きさを判断し、対象物体のイオンバランスを保持するように正負の高電圧発生回路の出力電圧を制御する。 - 特許庁

This wrinkle inspecting device comprises a CCD camera which picks up an image of the wrinkles generated on the film, the line light source 1 which irradiates light onto at least an imaging region of the camera, and a wrinkle inspection device which analyzes the image photographed by the CCD camera and detects the wrinkles.例文帳に追加

しわ検査装置は、フィルム上に発生しているしわの画像を撮像するＣＣＤカメラと、少なくとも、前記カメラの撮像領域に光を照射するライン光源１と、ＣＣＤカメラが撮像した画像を解析してしわを検出するしわ検査装置を備えている。 - 特許庁

A fixed voltage VL is applied to a gate of the transistor M1 included in the feedback line, by a voltage source 6.例文帳に追加

帰還経路に含まれるトランジスタＭ１のゲートには電圧源６によって一定電圧ＶＬが印加されているので、入力電圧Ｖ_ＩＮが電圧ＶＬ−ＶＴ１を超えるとＭ１がオフ状態となって帰還経路が遮断され、出力電圧Ｖ_ＯＵＴはＶＬ−ＶＴ１に制限される。 - 特許庁

To provide a display element wherein driving voltage of a pixel electrode connected to an optional source bus line can be detected using a small number of wirings for detecting voltage as possible and which is free from influence on screen display by arrangement of the wirings for detecting voltage.例文帳に追加

本発明は、できる限り少ない本数の電圧検出用配線を用いて、任意のソースバスラインに接続された画素電極の駆動電圧の検出を可能とし、且つ、電圧検出用配線を配置することによる画面表示への影響のない表示素子の提供を目的とする。 - 特許庁

Specially, the processing part 54 performs the process of carrying out the process so that the processing intensity gradually decreases from inside the processing object area toward the peripheral edge at the part in the source image corresponding to the outline of the specific line width by an outline processing part 54a.例文帳に追加

特に、処理部５４では、元画像データ上の前記所定の線幅の輪郭線に対応する部分においては、前記処理対象領域の内側から周縁に向かって処理強度が漸次低下するように前記処理を施す処理を、輪郭線処理部５４ａによって行なう。 - 特許庁

One electrode 36a of a pixel capacitor 36 in a pixel cell 30 is connected to a pixel electrode 34a of a liquid crystal cell 34, the other electrode 36 is connected to the source electrode 33S of a pixel transistor 33, and a signal line 14 is connected to the drain electrode 33D of the pixel transistor 33.例文帳に追加

画素セル３０内の画素容量３６の一方の電極３６ａを液晶セル３４の画素電極３４ａと接続し、他方の電極３６ｂを画素トランジスタ３３のソース電極３３Ｓと接続し、画素トランジスタ３３のドレイン電極３３Ｄに信号線１４を接続する。 - 特許庁

First-fourth protection valves 11-14 are connected in a line to the supply pipe route 17 from a compressed air source 16 and these valves 11-14 are connected to first/second air circuits for service brake 31, 32, air circuit for parking brake 33 and air circuit for auxiliary machine 34.例文帳に追加

圧縮エア源１６からの供給管路１７に第１〜第４プロテクションバルブ１１〜１４が並列に接続され、これらのバルブ１１〜１４が第１及び第２サービスブレーキ用エア回路３１，３２とパーキングブレーキ用エア回路３３と補機用エア回路３４に接続される。 - 特許庁

To provide a piping thickness measuring device that improves both usability and measuring accuracy by achieving such accurate mounting that a line connecting a radiation source to a detecting part of a sensor passes almost the center of piping in regard to various kinds of piping with different pipe diameters.例文帳に追加

管径の異なる多数種類の配管に対して線源とセンサの検出部とを結ぶ線が配管のほぼ中心を通るような正確な装着を実現し、使い勝手の向上および計測精度の向上を共に図るような配管用厚さ測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor remedying image deletion or image blur that easily occurs in a high temperature and high humidity environment or the like and providing an image of high picture quality with excellent thin line reproducibility even by exposure using a short wavelength light source, and to provide an image forming method and an image forming apparatus.例文帳に追加

本発明は、高温高湿下等で発生しやすい画像流れや画像ボケを改善し、かつ短波光源による露光においても極めて高い細線再現性に優れた高画質画像が得られる電子写真感光体、画像形成方法および画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The hot water storage tank 5 has in an upper portion an outflow port 6 in communication with the hot water supply port, and has internally a supply line 7 extending vertically straight and having an upper end terminating before the outflow port 6 and the other end in communication with the hot water supply source.例文帳に追加

該貯湯タンク５の上部に、給湯口に連通する流出口６を形成する一方、該貯湯タンク５内に、上下にストレートでのびかつ上端が流出口６の手前で終端するとともに他端側が湯供給源に連通した供給管路７を設ける。 - 特許庁

The method for measuring wall thickness of steel pipe is employed for keeping effective radiation dose to be maximum to the measuring object, by turning the width directional projection line of the radiation source, until being included in the longitudinal projectional surface of the pipe in correspondence with the outer diameter of the measuring object.例文帳に追加

被測定物の外径に対応して、放射線源の幅方向投影線が、鋼管の管長手方向投影面に包含されるまで、放射線源を回転して被測定物に対する有効放射線量を最大とする事を特徴とする鋼管の肉厚測定方法である。 - 特許庁

In the display device, the source voltage Vs of a transistor TR2, which drives the light emitting element 8, is set to a predetermined potential, and the variation of light emission luminance is corrected by the variation of threshold voltage Vth of the transistor TR2 , then the predetermined potential is supplied from a signal line SIG side.例文帳に追加

本発明は、発光素子８を駆動するトランジスタＴＲ２のソース電圧Ｖｓを所定電位に設定して、このトランジスタＴＲ２のしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきにより発光輝度のばらつきを補正するようにして、この所定電位を信号線ＳＩＧ側より供給する。 - 特許庁