1016万例文収録!

「MOSFET model」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > MOSFET modelに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

MOSFET modelの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11



例文

MOSFET MODEL AND PARAMETER EXTRACTION METHOD THEREOF例文帳に追加

MOSFETモデル及びそのパラメータ抽出方法 - 特許庁

METHOD OF EXTRACTING HIGH PRECISION MOSFET MODEL FOR DESIGNING ANALOG CIRCUIT例文帳に追加

アナログ回路設計用の高精度MOSFETモデル抽出方法 - 特許庁

To provide a SPICE model parameter output apparatus and a SPICE model parameter output method capable of accurately modeling the substrate resistance of a high-frequency MOSFET or an analog MOSFET.例文帳に追加

高周波MOSFETやアナログMOSFETの基板抵抗を正確にモデル化することが可能なSPICEモデルパラメータ出力装置及び出力方法を提供。 - 特許庁

To provide a gate oxide film tunnel current model of an MOSFET capable of simulating tunnel currents between the gate/drain and gate/drain of the MOSFET.例文帳に追加

MOSFETのゲート−ドレイン間、ゲート−ソース間のトンネル電流をシミュレートすることが可能なMOSFETのゲート酸化膜トンネル電流モデルを提供する。 - 特許庁

例文

To provide an MOSFET model output device and output method that can prepare high precision MOSFET models into which effects of parasitic elements are appropriately incorporated.例文帳に追加

寄生素子の効果が適切に取り入れられた高精度のMOSFETモデルを作成可能なMOSFETモデル出力装置及び出力方法を提供する。 - 特許庁


例文

The ESD device model (24) is applied to a MOSFET having a drain terminal (21) and a source terminal (22) as a terminal of the semiconductor device.例文帳に追加

ESDデバイスモデル(24)は、半導体デバイスの端子としてドレイン端子(21)、ソース端子(22)を有するMOSFETに適用される。 - 特許庁

METHOD AND PROGRAM FOR CALCULATING CAPACITY PARAMETER OF EQUIVALENT CIRCUIT MODEL OF MOSFET例文帳に追加

MOSFETの等価回路モデルの容量パラメータ算出方法および容量パラメータ算出プログラム - 特許庁

To provide a threshold voltage model in consideration of an impurity concentration profile in a channel direction in a pocket implanted MOSFET.例文帳に追加

ポケット注入MOSFETにおけるチャネル方向の不純物濃度プロファイルを考慮したしきい値電圧モデルを提供する。 - 特許庁

By using actually measured data for which thresholds to a plurality of the MOS FETs of different gate lengths manufactured under the same process condition are actually measured and the analysis model of the threshold of the MOS FET, the impurity density distribution within the substrate of the channel surface of the MOS FET is calculated.例文帳に追加

同一プロセス条件で製造されたゲート長の異なる複数のMOS FET に対する閾値を実測した実測データとMOS FET の閾値の解析モデルを用いて、MOSFET のチヤネル表面の基板内不純物濃度分布を算出する。 - 特許庁

例文

Two kinds of diodes DNCH, DPCH and DNOV, DPOV whose areas and characteristics are different are connected in parallel in opposite directions, and the diodes are connected with gate G/drain D and gate G/source S of an MOSFET circuit model.例文帳に追加

面積と特性の異なる二種類のダイオードDNCH,DPCHとDNOV,DPOVを逆方向に並列接続し、かつこれらダイオードをMOSFET回路モデルのゲートG−ドレインD間及びゲートG−ソースS間に接続する。 - 特許庁

例文

To manufacture a model which excludes causes such as the mobility, the diffusion and the speed of electrons reducing the reliability of a semiconductor element such as a MOSFET element when the semiconductor element with a more reduced gate size is modeled in order to simulate an electric movement.例文帳に追加

MOSFETのような半導体素子において電気的な動きをシミュレートするために、よりゲート寸法を縮小した素子においてモデル化する場合に信頼性を低下させる電子の移動度、拡散及び速度のような要因を排除したモデルを作製する。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS