「SIMOX」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, since the substrate is performed a normal epitaxial growth as one containing the high-concentration interstitial oxygen and the region 3 can be formed by heat-treating the substrate in the oxidizing atmosphere, the significant reduction in the cost of the substrate can be achieved even though this manufacturing method of this substrate is compared with an SIMOX method needed for conducting high-energy ion implantation of oxygen.例文帳に追加

また、基板を高濃度の格子間酸素を含むものとして通常のエピタキシャル成長を行い、酸化性雰囲気中で熱処理することでＳｉＯ_2の層状領域３を形成できるため、酸素の高エネルギーイオン注入の必要性があるＳＩＭＯＸ法と比較しても、大幅なコスト低減を達成することができる。 - 特許庁

After implanting an oxygen ion 11 into a silicon wafer 12 where first a polysilicon film 17 is formed on the backside, the wafer 12 is heat-treated to form an embedded oxide film 13 inside the wafer 12, thus manufacturing a SIMOX substrate 16 by forming an SOI layer 14 on the surface of the wafer 12 on the embedded oxide film 13 and further forming an oxide film 18 on the whole surface.例文帳に追加

先ず裏面にポリシリコン膜１７を形成したシリコンウェーハ１２の内部に酸素イオン１１を注入した後に、このウェーハ１２に熱処理を施してウェーハ１２内部に埋込み酸化膜１３を形成することにより埋込み酸化膜１３上のウェーハ１２表面にＳＯＩ層１４を形成してＳＩＭＯＸ基板１６を作製し更に全面に酸化膜１８を形成する。 - 特許庁

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron.例文帳に追加

バルク層１３に形成された高濃度ボロン層１４に１×１０^１３／ｃｍ^２以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板１０の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物ｃが十分にゲッタリングされる。 - 特許庁