「SIMOX」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF SIMOX SUBSTRATE例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の作製方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SIMOX SUBSTRATE例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING CRYSTAL DEFECT OF SIMOX WAFER AND SIMOX WAFER例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法及びＳＩＭＯＸウェーハ - 特許庁

SIMOX WAFER HOLDING PIN, MANUFACTURING DEVICE OF SIMOX WAFER, AND SIMOX WAFER MANUFACTURED BY THE DEVICE例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハ保持ピン、ＳＩＭＯＸウェーハ製造装置およびこの装置により製造されたＳＩＭＯＸウェーハ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SIMOX SUBSTRATE AND SIMOX SUBSTRATE RESULTING FROM SAME例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の製造方法及び該方法により得られるＳＩＭＯＸ基板 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SIMOX WAFER AND SIMOX WAFER MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法及び該方法により得られたＳＩＭＯＸウェーハ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SIMOX WAFER AND SIMOX WAFER MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法及びその方法で製造されたＳＩＭＯＸウェーハ - 特許庁

SIMOX SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板及びその製造方法 - 特許庁

SIMOX SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SIMOX (separation by implanted oxygen) which can exactly control the thickness of an SOI film.例文帳に追加

SOI膜の厚みを正確にコントロールすることができるSIMOXウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

SIMOX SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-RESISTANCE SIMOX WAFER例文帳に追加

高抵抗ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法 - 特許庁

SIMOX SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ半導体構造および形成方法 - 特許庁

METHOD OF REDUCING CRYSTAL DEFECT OF SIMOX WAFER例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法 - 特許庁

SIMOX WAFER AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の製造方法およびＳＩＭＯＸ基板 - 特許庁

SIMOX WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法及びＳＩＭＯＸウェーハ - 特許庁

Further, the SIMOX substrate 16 is etched and the oxide film 18 on the SIMOX substrate 16 is removed entirely.例文帳に追加

更にこのＳＩＭＯＸ基板１６にエッチングを施してＳＩＭＯＸ基板１６の酸化膜１８を全て除去する。 - 特許庁

SIMOX WAFER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法およびＳＩＭＯＸウェーハ - 特許庁

After the injection of nitrogen, it is possible to start the SIMOX process.例文帳に追加

窒素注入の後にＳＩＭＯＸプロセスを開始することが出来る。 - 特許庁

To reduce the metallic pollution of an SiMOX wafer surface, and to improve the isolation-voltage characteristics of a buried oxide film in an SiMOX wafer.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハ表面の金属汚染を低減し、かつＳＩＭＯＸウェーハ中の埋込み酸化膜の絶縁耐圧特性を向上する。 - 特許庁

After only a backside 16b of the SIMOX substrate 16 is etched and the oxide film 18 on the backside 16b of the SIMOX substrate 16 is removed, the SIMOX substrate 16 is etched and the polysilicon film 17 on the backside 16b of the SIMOX substrate 16 is removed, and the backside 16b of the SIMOX substrate 16 is removed by a prescribed thickness.例文帳に追加

次にこのＳＩＭＯＸ基板１６の裏面１６ｂにのみエッチングを施してＳＩＭＯＸ基板１６の裏面１６ｂの酸化膜１８を除去した後に、このＳＩＭＯＸ基板１６にエッチングを施してＳＩＭＯＸ基板１６の裏面１６ｂのポリシリコン膜１７を除去するとともにＳＩＭＯＸ基板１６の裏面１６ｂを所定の厚さだけ除去する。 - 特許庁

METHOD FOR INSPECTING AND MANUFACTURING SIMOX WAFER例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハの検査方法及びそのＳＩＭＯＸウェーハの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SIMOX SUBSTRATE, AND ETCHING DEVICE USED FOR THE METHOD例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の製造方法及び該方法に用いるエッチング装置 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SIMOX substrate and an SIMOX substrate manufactured using this method, which relaxes restrictions in the conventional type ITOX and reduces lead defects of an embedded oxide layer to manufacture a higher quality SIMOX substrate in heat treating conditions, in the SIMOX substrate manufacturing method.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の製造方法における熱処理条件において、従来型のＩＴＯＸにおける制約を緩和する一方で、埋め込み酸化層のリーク欠陥を低減させ、より高品質なＳＩＭＯＸ基板を製造する方法、およびその方法により製造されたＳＩＭＯＸ基板を提供する。 - 特許庁

THERMAL TREATMENT METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SIMOX SUBSTRATE例文帳に追加

熱処理方法、基板の製造方法及びＳＩＭＯＸ基板の製造方法。 - 特許庁

Consequently, the likelihood of defective SIMOX substrates 10 and that of defective devices fabricated on the surface of the SIMOX substrate 10 can be reduced.例文帳に追加

その結果、ＳＩＭＯＸ基板１０の不良品、および、ＳＩＭＯＸ基板１０の表面に作製されるデバイスの不良品の発生頻度をそれぞれ低減することができる。 - 特許庁

To provide an SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) substrate where pit-like defect generation on a silicon layer surface is extremely small, and further an SIMOX substrate which has a sufficient gettering site inside.例文帳に追加

シリコン層表面のピット状欠陥発生のきわめて少ないＳＩＭＯＸ基板、およびさらに内部に十分なゲッタリングサイトを有するＳＩＭＯＸ基板の提供。 - 特許庁

ION IMPLANTING DEVICE HAVING TEMPERATURE CONTROL MECHANISM, AND MANUFACTURING METHOD OF SIMOX WAFER例文帳に追加

温度制御機構を有するイオン注入装置およびＳＩＭＯＸウェーハの製造方法 - 特許庁

To reduce crystal defects existing in a silicon layer under the BOX layer of an SIMOX wafer.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハのＢＯＸ層下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減すること。 - 特許庁

METHOD OF FORMING INTEGRATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE (DOUBLE SIMOX HYBRID ORIENTATION TECHNIC (HOT) SUBSTRATE)例文帳に追加

集積半導体構造の形成方法（二重ＳＩＭＯＸハイブリッド配向技術（ＨＯＴ）基板） - 特許庁

To reduce crystal defects in a silicon layer under a BOX layer of an SIMOX (separation by implanted oxygen) wafer.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハのＢＯＸ層下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減すること。 - 特許庁

In manufacturing the SIMOX wafer, the SOI film having a thickness larger than a target SOI film thickness is formed in advance, and the final adjustment of the SOI film thickness is performed by an etching process provided differently from a cleaning process.例文帳に追加

SIMOXウェーハの製造に際し、予め目標とするSOI膜厚よりも厚めのSOI膜を形成しておき、最終的なSOI膜厚の調整を、洗浄工程とは別途に設けたエッチング工程により行う。 - 特許庁

The SIMOX substrate manufacturing method heat treats an oxygen ion-implanted silicon substrate at 1,300-1,350°C in a mixed gas atmosphere of argon with oxygen to obtain an SIMOX substrate.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の製造方法は、酸素イオンを注入したシリコン基板をアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気において１３００〜１３５０℃の熱処理を行うことによりＳＩＭＯＸ基板を得る。 - 特許庁

The method for manufacturing the SIMOX wafer having a process of oxygen ion implantation has a process in which hydrogen ions are implanted by doses of 10^15-10^17/cm^2 either before or after the oxygen ion implantation process.例文帳に追加

酸素イオンを注入する工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、前記酸素イオン注入工程の前後いずれかで、水素イオンを、10^15〜10^17／cm^２のドーズ量で注入する工程を有する。 - 特許庁

MEDIUM DOSAGE SIMOX OVER WIDE BOX THICKNESS RANGE BY A PLURALITY OF IMPLANTS AND A PLURALITY OF ANNEALING PROCESSES例文帳に追加

複数インプラント複数アニール・プロセスによる広いＢＯＸ厚さ範囲にわたる中ドーズ量ＳＩＭＯＸ - 特許庁

METHOD FOR PATTERN-FORMING BURIED OXIDE FILM THICKNESS FOR SIMOX (SILICON IMPLATED OXIDE) PROCESS例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ（酸素注入による分離）工程のために埋込み酸化膜厚さをパターン形成する方法 - 特許庁

SELF-ALIGNED SOI WITH DIFFERENT CRYSTAL ORIENTATION USING WAFER BONDING AND SIMOX PROCESS例文帳に追加

ウェーハ結合およびＳＩＭＯＸプロセスを使用した異なる結晶方位を有する自己整合ＳＯＩ - 特許庁

This SIMOX wafer holding pin 20 is to fix a wafer W in an oxygen injecting process in the manufacture of a SIMOX wafer, and is a complex consisting of at least a polyimide based resin and graphite.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハ製造での酸素注入工程においてウェーハＷを固定するＳＩＭＯＸウェーハ保持ピン２０であって、 少なくともポリイミド系樹脂とグラファイトとからなる複合体とされてなる。 - 特許庁

In manufacturing an SIMOX wafer having an oxygen implantation process and a high-temperature annealing process, prior to implantation of oxygen ions; an oxide film is formed on the surface of the wafer, and oxygen ion implantation is executed through the oxide film.例文帳に追加

酸素イオン注入工程および高温アニール工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、 該酸素イオン注入に先立ち、ウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を通して酸素イオンの注入を行う。 - 特許庁

To reduce the number of crystal defects formed in an active layer in a SOI substrate manufactured by a SIMOX method.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法で作成するＳＯＩ基板において、活性層内に形成される結晶欠陥を低減する。 - 特許庁

To provide a higher quality SIMOX substrate its manufacturing method in which the problems of conventional ITOX are overcome by specifying in detail thermal treatment conditions in the manufacturing method of SIMOX substrate.例文帳に追加

本発明は、ＳＩＭＯＸ基板の製造方法における熱処理条件を詳細に規定することにより、従来型のＩＴＯＸにおける問題点を克服し、より高品質なＳＩＭＯＸ基板及びその製造方法の提供をする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SIMOX wafer by which roughness of the SOI surface or the like stays equal or is improved even when annealing treatment is performed at low temperature in a short time, by implanting predetermined doses of hydrogen ions either before or after oxygen ion implantation.例文帳に追加

酸素イオン注入の前後いずれかで、所定ドーズ量の水素イオンを注入することにより、低温短時間でアニール処理したとしても、SOI表面等のラフネスを同等以上に改善できるSIMOXウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a SIMOX (Silicon Implantation of Oxygen) wafer such that an embedded oxide film has a higher dielectric constant than a silicon oxide film having the same thickness and then has a thinner electric effective film thickness than the silicon oxide film, and to provide the SIMOX wafer.例文帳に追加

埋め込み酸化膜が、同じ厚みのシリコン酸化膜と比べてより高誘電率であり、したがって、電気的な実効膜厚がシリコン酸化膜と比べてより薄いＳＩＭＯＸウェーハの製造方法及びＳＩＭＯＸウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) wafer minimizing the particles generation due to mismatch of a silicon wafer edge with a wafer holder caused by deformation of a wafer holding pin upon manufacturing the SIMOX wafer by an MLD (Modified Low Dose) method.例文帳に追加

ＭＬＤ法によるＳＩＭＯＸウェーハの製造に際し、ウェーハ保持ピンの変形に起因したシリコンウェーハのエッジとウェーハ保持具との不整合が原因で発生するパーティクルを極力低減したＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a SIMOX wafer capable of reducing the amount of nickel without allowing metal impurities to remain on a support substrate.例文帳に追加

支持基板に金属不純物を残留させず、かつ低ニッケル化が可能なＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁