「SIMOX」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A SIMOX substrate 10 having a window 14a formed in part of silicon oxide film 14 is annealed in a hydrogen gas atmosphere at a high temperature.例文帳に追加

水素ガスの雰囲気で、シリコン酸化膜１４の一部に窓部１４ａが形成されたＳＩＭＯＸ基板１０を高温アニールする。 - 特許庁

In addition, if used as a SOI substrate formed by SIMOX, high temperature oxidation thermal treatment is performed in the gas atmosphere containing oxygen of 20% or more at 1,300-1,380°C for 4-48 hours to perform the oxygen deposit formation aging treatment after oxygen ion is implanted in the SIMOX.例文帳に追加

また、ＳＩＭＯＸにより形成されるＳＯＩ基板として用いる場合には、前記ＳＩＭＯＸでの酸素イオン注入後、酸素を２０％以上含むガス雰囲気中で１３００〜１３８０℃×４〜４８時間の高温酸化熱処理を行い、前記酸素析出物形成熱処理を行う。 - 特許庁

After heat treatment, a silicon oxide film 14 on the rear face of an SIMOX substrate 10 is removed and the silicon surface of an exposed bulk layer 13 is ground by a prescribed quantity, resulting in removal of particles, damages, etc. existing on the rear face of the SIMOX substrate 10 which are attributable to the susceptor.例文帳に追加

熱処理後、ＳＩＭＯＸ基板１０の裏面のシリコン酸化膜１４を除去するとともに、露出したバルク層１３のシリコン面を所定量だけ研磨するようにしたので、サセプタに起因してＳＩＭＯＸ基板１０の裏面に存在するパーティクルおよび傷などを除去することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality silicon substrate, in which a silicon epitaxial layer is grown on a SIMOX wafer, with high efficiency.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハの上にシリコンのエピタキシャル層を成長させた高品質のシリコン基板を高効率で製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SIMOX substrate for sufficiently performing gettering in each heat treatment of ion implantation, high- temperature annealing, and device formation.例文帳に追加

イオン注入、高温アニールおよびデバイス形成の各熱処理時に、金属不純物を十分にゲッタリングするＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SIMOX wafer capable of reducing or eliminating a defect gathering layer present nearby the interface of a bulk layer with an embedded silicon oxide film.例文帳に追加

バルク層の埋め込みシリコン酸化膜との界面付近に存在する欠陥集合層を低減または消滅可能なＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently manufacture a SIMOX substrate which has little defect such as threading dislocation, has a highly safe SOI layer, and has a surface and an interface of high flatness.例文帳に追加

貫通転位などの欠陥が少なく、完全性の高いＳＯＩ層を有し、かつ、平坦度の高い表面及び界面を有するＳＩＭＯＸ基板を効率良く製造する。 - 特許庁

To provide a method by which a SIMOX substrate, having a high- quality active layer and an embedded oxide film (BOX), can be manufactured under low-energy, low-dose conditions.例文帳に追加

低エネルギー条件、かつ低ドーズ条件で、高品質の活性層及び埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）を備えたＳＩＭＯＸ基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

At first, insulating layers 207 and 208 are formed in a semiconductor substrate 206 using SIMOX method and then the semiconductor substrate 206 is pasted to an insulating substrate 10A.例文帳に追加

まず、ＳＩＭＯＸ手法を用いて半導体基板２０６の内部に絶縁層２０７，２０８を形成し、この半導体基板２０６を絶縁基板１０Ａに貼り合わせる。 - 特許庁

At first, an insulating layer 11b is formed in a semiconductor substrate 206 using SIMOX method and then the semiconductor substrate 206 is pasted to an insulating substrate 10A.例文帳に追加

まず、ＳＩＭＯＸ手法を用いて半導体基板２０６の内部に絶縁層１１ｂを形成し、この半導体基板２０６を絶縁基板１０Ａに貼り合わせる。 - 特許庁

SIMOX SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROOPTICAL DISPLAY DEVICE USING SAME例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板及びその製造方法及びＳＩＭＯＸ基板を用いた半導体装置及びＳＩＭＯＸ基板を用いた電気光学表示装置の製造方法 - 特許庁

Under the peripheral circuit 16, an embedded insulative layer 32 (SIMOX insulative layer) is formed, which is made by injecting oxygen ion with high energy and high density, and applying heat treatment.例文帳に追加

周辺回路１６下には、高エネルギー、高濃度で酸素イオンを注入し、熱処理を施してなる埋め込み絶縁層（ＳＩＭＯＸ絶縁層）３２が形成されている。 - 特許庁

To provide a high quality SOI substrate for a high performance LSI by reducing through-displacement being a crystal failure existing in an SOI layer of an SIMOX substrate.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板のＳＯＩ層中に存在する結晶欠陥である、貫通転位を低減し、高性能ＬＳＩ用の高品質ＳＯＩ基板を供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SIMOX wafer having a BOX layer locally formed thereon, the method holding surface flatness excellent with good reproducibility through simple steps.例文帳に追加

簡易な工程で再現性良く、表面平坦性を良好に保つことが可能な、部分的にＢＯＸ層を形成したＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the SIMOX substrate after pouring oxygen ion inside a silicon wafer 11, an embedded silicon oxidation layer 12 is formed by heat-treatment, and a SOI layer 13 is formed on the surface.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板は、シリコンウェーハ１１内部に酸素イオンを注入した後、熱処理して埋込みシリコン酸化層１２が形成され、その表面にＳＯＩ層１３が形成される。 - 特許庁

Creation of an STI (Shallow Trench Isolation) region is incorporated in an SIMOX creation process for an SOI (Silicon On Insulator).例文帳に追加

Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ、ＳＴＩ領域の作成がＳｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ、ＳＯＩウェーハのためのＳＩＭＯＸ作成プロセスに組み入れられる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SIMOX wafer forming a highly reliable BOX, without introducing the process of an ITOX processing or epitaxial growth or the like, by implantation of for a low dose oxygen ions.例文帳に追加

低ドーズ量の酸素イオン注入で、ＩＴＯＸ処理やエピタキシャル成長等の工程を導入することなく、信頼性の高いＢＯＸを形成できるＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluation method for a semiconductor wafer that can quickly, efficiently, and easily measure and evaluate a pin hole in an embedded oxide film in an SIMOX type semiconductor wafer.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸタイプの半導体ウエハにおける埋め込み酸化膜中のピンホールを短時間で非常に効率良く容易に計測し評価することが可能な半導体ウエハの評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method and a jig used therefor, which are capable of preventing a definite and intense slip occurring in a semiconductor substrate, especially the substrate which is manufactured through an SIMOX process and thermally treated in an oxygen-rich atmosphere at an ultra-high temperature.例文帳に追加

半導体基板、特にＳＩＭＯＸプロセスで製造され、超高温で高酸素雰囲気下で熱処理される基板に発生する明確で強いスリップを防止できる熱処理方法と治具。 - 特許庁

In a method for manufacturing the SIMOX substrate, the oxide ion is implanted to the silicon mono-crystal substrate, and the quick heating treatment and high temperature heat treatment of the substrate is carried out in a main process.例文帳に追加

また、シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入した後、該基板を急速加熱処理し、その後高温熱処理を施すことを主工程とするＳＩＭＯＸ基板の製造方法である。 - 特許庁

Further, in the SIMOX substrate initial oxygen density is 6.5×10^17 atoms/cm^3 (old ASTM) and oxygen deposits to become a gettering site are formed in the substrate.例文帳に追加

さらに初期酸素濃度が６．５×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3（ｏｌｄ ＡＳＴＭ）以上で、基板内部にゲッタリングサイトとなる酸素析出物を形成させた上記のＳＩＭＯＸ基板である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-resistance SIMOX (separation by implanted oxygen) wafer, for reducing oxygen dispersed inside a wafer by heat treatment in a high-temperature and oxidizing atmosphere and preventing the generation of thermal donor.例文帳に追加

高温かつ酸化性の雰囲気での熱処理によりウェーハに内方拡散した酸素を低減でき、サーマルドナーの発生を抑制できる高抵抗ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve problems in the conventional measurement method of an oxygen ion amount implanted to a SIMOX (separation by implanted oxygen) substrate that the desired thickness of a BOX (buried oxide film) layer and of an active layer in a final SIMOX product cannot be obtained because the amount of monitored element or over is implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明はＳＩＭＯＸ基板の酸素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できない。 - 特許庁

To provide an SIMOX substrate wherein strained stress caused in an interface between a partially buried insulation film and a bulk layer is reduced to suppress the occurrence of dislocation due to the strained stress, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

部分的な埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に生じた歪み応力を低減し、この歪み応力による転位の発生を抑制するＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the SOI substrate is manufactured by using a technique typified by SIMOX, ELTRAN, or Smart-Cut; a single-crystal semiconductor substrate is used having a main surface (crystal face) of a {110} plane.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いてＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体基板を用いる。 - 特許庁

When an SOI substrate is manufactured using a technique typified by SIMOX, ELTRAN, and Smart-Cut, a single crystal semiconductor substrate having a main surface (a crystal face) of a {110} plane is used.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いてＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体基板を用いる。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method capable of manufacturing a high-quality semiconductor device, a method for manufacturing a substrate, and a method for manufacturing a SIMOX substrate by reducing a slip dislocation defect occurring in the substrate during thermal treatment.例文帳に追加

熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、高品質な半導体装置を製造することができる熱処理方法、基板の製造方法及びＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SIMOX substrate, capable of sufficiently gettering metal impurities not only in ion injection for buried silicon oxide film formation and its heat treatment, but also in a heat treatment in a device process, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

埋め込みシリコン酸化膜形成のためのイオン注入時およびその熱処理時だけでなく、デバイス工程での熱処理時にも、金属不純物を十分にゲッタリング可能なＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

After an insulating layer is formed in a semiconductor substrate by the SIMOX method, a laminated substrate is formed by sticking the insulating layer to the substrate body, and the unnecessary laminated section other than a semiconductor layer is removed which becomes the active layer of a switching element.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法により半導体基板の内部に絶縁層を形成した後、これを基板本体上に貼り合わせて積層基板とし、スイッチング素子の能動層となる半導体層以外の不要な積層部を除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a complete depletion type SOI-MOSFET which has an SOI layer thinned directly under a gate electrode and an SOI layer thickened in source and drain parts using an SIMOX method and at the same time and shows a high driving capability of the SOI-MOSFET in a self-aligned manner.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法を用いて、ゲート電極直下のＳＯＩ層は薄く、ソース・ドレイン部のＳＯＩ層は厚く形成するとともに、自己整合的に駆動能力の高い完全空乏型ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴの作製を図る。 - 特許庁

The manufacturing method includes the steps of forming a SIMOX structure to a substrate 10, forming a buffer layer 12, forming a high resistance layer 13, forming a MOS gate structure, and removing at least part of the rear side of the substrate.例文帳に追加

基板１０にＳＩＭＯＸ構造を形成する工程と、バッファ層１２を形成する工程と、高抵抗層１３を形成する工程と、ＭＯＳゲート構造を形成する工程と、基板裏面の少なくとも一部を除去する工程とを具備する。 - 特許庁

In a method of manufacturing an SIMOX wafer including a process of implanting oxygen ions into the silicon wafer and a process of annealing the silicon wafer into which the oxygen ions have been implanted, the amount of implanted oxygen ions is adjusted in accordance with temperature unevenness of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハに酸素イオンを注入する工程と、酸素イオン注入したシリコンウェーハをアニールする工程とを有するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、酸素イオン注入量を、シリコンウェーハの温度むらに応じて調整する。 - 特許庁

A SOI wafer provided with a silicon thin film which deposits oxygen little is prepared through an SIMOX method or a lamination method, the SOI wafer is cleaned with an alkaline solution such as SCI or TMAH, and a silicon ultra-thin film SOI is manufactured by the etching action of the alkaline solution.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法や貼り合せ法により、酸素析出物の少ないシリコン薄膜を有するＳＯＩウェハーを用意し、これをＳＣ１やＴＭＡＨなどのアルカリ溶液で洗浄し、この洗浄液のエッチング作用により、シリコン超薄膜ＳＯＩを製造する。 - 特許庁

A method for reducing crystal defects of a SIMOX wafer includes: a first process to destroy crystal defects by making ion injected into a silicon layer 13 from the surface of a wafer collide with crystal defects (14, 15); and a second process to recrystalize the silicon layer 13 by heating the wafer obtained in the first process.例文帳に追加

ウェーハの表面からシリコン層１３に注入したイオンを結晶欠陥（１４，１５）に衝突させて結晶欠陥を壊す第１の工程と、第１の工程で得られたウェーハを加熱してシリコン層１３を再結晶させる第２の工程とを含む。 - 特許庁

To efficiently remove a particle adhered at the time of an oxygen ion implantation, and to decrease a deep defect penetrating an SOI layer observed after dipping an SIMOX structure in a hydrofluoric acid solution of 50 wt% concentration at 23°C for 30 minutes.例文帳に追加

酸素イオン注入時に付着したパーティクルを効率良く除去し、ＳＩＭＯＸ構造において、温度２３℃での濃度が５０重量％であるフッ酸水溶液に３０分間浸漬した後に観察されるＳＯＩ層を貫通する深い欠陥を低減する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SIMOX wafer including a step of forming a high-concentration layer of oxygen in a silicon wafer by implanting oxygen ions into the silicon wafer, the power that a beam current used for the oxygen ion implantation has is not larger than 14 kW.例文帳に追加

シリコンウェーハに酸素イオンを注入して、前記シリコンウェーハ中に酸素の高濃度層を形成する工程を有するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、前記酸素イオン注入に用いるビーム電流がもつ仕事率を１４ｋＷ以下とする。 - 特許庁

At oxygen ion implanting steps in manufacture of a SIMOX wafer, a path is formed inside or on a back surface of a wafer holding means, and oxygen ions are implanted while heating an outer peripheral portion of a wafer that is in contact with the wafer holding means by flowing a heated fluid through this path.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハ製造における酸素イオン注入工程において、ウェーハ保持手段の内部又は裏面に通路を形成し、この通路に加熱流体を流して前記ウェーハ保持手段と接触する前記ウェーハの外周部を加熱しながら酸素イオン注入する。 - 特許庁

Thus, the method can accurately measure the ion implantation amount and estimate the thickness of the BOX layer of the SIMOX product.例文帳に追加

ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、シリコン半導体基板に酸素イオンが注入される前のスペクトル波形と、酸素イオンが注入された後のスペクトル波形の差をスペクトル演算することでイオン注入量を正確に測定することができるとともに、これによりＳＩＭＯＸ製品のＢＯＸ層厚みを推定できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a device on a crystal of orientation which brings about optimal performance by providing separation by an oxygen implantation (SIMOX) method for the formation of a flat hybrid orientation semiconductor on insulator (SOI) substrate having a crystal of different orientation.例文帳に追加

異なる配向の結晶を有する平坦なハイブリッド配向半導体オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板の形成に、酸素注入（ＳＩＭＯＸ）法による分離を提供することにより、最適の性能をもたらす配向の結晶上にデバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A method of reducing crystal defect of simox wafer includes: a first step of implanting ions from a surface of a wafer into a silicon layer 13 of a range of set depth from the BOX layer 12; and a second step of heating the wafer obtained in the first step to restore the crystallinity of a portion where the ions are implanted.例文帳に追加

ウェーハの表面からＢＯＸ層１２よりも設定深さの範囲のシリコン層１３までイオンを注入する第１の工程と、第１の工程で得られたウェーハを加熱してイオンが注入された部位の結晶性を回復させる第２の工程とを含む。 - 特許庁

To provide a holder for heat treating a silicon substrate capable of preventing an occurrence of significant slip occurring by the close contact between the holer for mounting the substrate and the substrate in a severely high-temperature process hard for a large diameter SOI substrate (SIMOX substrate) with easy manufacturing and maintenance of the holder.例文帳に追加

大口径のＳＯＩ基板（ＳＩＭＯＸ基板）の苛酷な熱処理である、酸素含有雰囲気での高温熱処理において、基板の載置用治具と基板の密着により発生する顕著なスリップの発生を防止でき、また当該治具の製造及びメンテナンスが容易となる構成のシリコン基板の熱処理用治具。 - 特許庁

A process, in which the surface of the upper silicon region 42 of an SIMOX substrate is doped with nitrogen, and a process in which an electron beam, is applied to a region including at least a part of the region doped with nitrogen in an atmosphere containing oxigen to make an oxide film 46 containing nitrogen grow on the silicon surface are included.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の上部シリコン領域４２の表面に窒素をドープする工程と、酸素を含む雰囲気中において窒素がドープされた領域の少なくとも一部を含む領域に電子ビームを照射し、それによってシリコン表面に窒素を含む酸化膜４６を成長させる工程とを包含する。 - 特許庁

In an SIMOX substrate where an oxide ion is implanted to a silicon mono-crystal substrate, and high temperature heat treatment is carried out to form an embedded oxide layer and a surface silicon layer, the density of the through-displacement failure of an SOI layer is set so as to be 100 pieces/cm^2.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入し、その後高温熱処理を施すことにより、埋め込み酸化層および表面シリコン層を形成するＳＩＭＯＸ基板において、ＳＯＩ層の貫通転位欠陥の密度が１００個／ｃｍ^2 未満であることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板である。 - 特許庁

In the method of manufacturing the SIMOX wafer of heating the silicon wafer to implant oxygen ions into the wafer, before carrying the silicon wafer into an ion implanting device, the silicon wafer edge is matched with the wafer holder using a dummy wafer and then the silicon wafer is carried into the ion implanting device to implant the oxygen ions into the wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハを加熱して酸素イオンを注入するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、シリコンウェーハをイオン注入装置内に搬入するに先立ち、該シリコンウェーハのエッジとウェーハ保持具との整合をダミーウェーハでとり、しかるのち該シリコンウェーハをイオン注入装置内に搬入して、酸素イオンの注入を行う。 - 特許庁

In the first process, when the ion to be injected into the silicon layer 13 is oxygen ion, its injection is started in the state where the temperature of the SIMOX wafer is 50°C or lower, the amount of ion dose is 5×10^15-1.5×10^16 atoms/cm^2, and an injected energy is 150 keV or more and 220 keV or less.例文帳に追加

第１の工程は、シリコン層１３に注入するイオンを酸素イオンとするとき、ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態からイオンの注入を開始し、イオンドーズ量を５×１０^１５〜１．５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2、注入エネルギを１５０ｋｅＶ以上２２０ｋｅＶ以下とする。 - 特許庁