例文 (7件) |
SLM-2の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
Thereafter, the sapphire substrate 1 with the surface modified layer 2 formed thereon is carried into a gas phase growing device in an atmosphere containing ammonium of 20 slm, hydrogen of 30 slm and nitrogen of 50 slm, then, temperature is raised to the growing temperature (1100°C) of the GaN layer (nitride semiconductor layer) 3 to grow the GaN layer 3 on the surface of the surface modified layer 2.例文帳に追加
その後、表面改質層2を形成したサファイア基板1を、20slmのアンモニア、30slmの水素及び50slmの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、GaN層(窒化物半導体層)3の成長温度(1100℃)にまで昇温し、表面改質層2の表面にGaN層3を成長させる。 - 特許庁
First, a page data region that can be simultaneously displayed on a display screen of an SLM (spatial light modulator) 10 is divided into N regions (where N is an integer of 2 or more) (S1).例文帳に追加
まず、SLM10の表示画面上に同時に表示可能なページデータ領域をN分割(Nは2以上の整数)する(S1)。 - 特許庁
When a signal output device 280 is connected to a charging connector 25, a signal SLM output from the signal output device 280 is sent to a control unit 2 via a signal line installed between the charging connector 25 and the control unit 2.例文帳に追加
信号出力装置280が充電コネクタ25に接続されると、信号出力装置280から出力された信号SLMは、充電コネクタ25と制御部2との間に設けられた信号線を介して制御部2に送られる。 - 特許庁
When digital information corresponding to contents of one page to be recorded is inputted as an electric signal to a SLM (spatial light modulator) 2, the light transmitted (or reflected) by the SLM is converted into a two-dimensional light-and-dark pattern according to the input signal to irradiate a diffraction grating 3 formed as integrated on the surface of a hologram recording medium 4.例文帳に追加
SLM2に記録されるべき1ページ分のディジタル情報が電気信号として入力されると、SLMを通過(又は反射)した光は、入力信号に応じた2次元の明暗パターンから成る信号光として変換され、ホログラム記録媒体4の表面に一体に形成された回折格子3に照射される。 - 特許庁
Page data are input to the modulation table 12 of a control section 2 in the form of signal bit column and modulated to the form of block pattern and sent out to an SLM 3.例文帳に追加
ページデータは、信号ビット列の形式で制御部2の変調テーブル12に入力され、ブロックパターンの形式に変調されてSLM3に送出される。 - 特許庁
The method of manufacturing the photoelectric conversion device 100 includes a step of forming a photoelectric converting layer 3 of silicon on a substrate 1 by using a plasma CVD technique using a gas containing a silane gas and a hydrogen gas as a raw material gas under the condition where a flow rate of the hydrogen gas per unit area of the substrate 1 is 80 slm/m^2 or more.例文帳に追加
基板1上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマCVD法を用いて、前記基板1の単位面積当たりの前記水素ガス流量80slm/m^2以上の条件で、シリコン系の光電変換層3を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置100の製造方法。 - 特許庁
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