例文 (3件) |
SNNを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
A phase shift element 1B formed on an internal surface of the glass substrate 2 is an SnN layer, and a substance between the phase shift elements is a flattening film 3 of ≥600°C in heatproof temperature which has a low refractive index and flattening effect.例文帳に追加
ガラス基板2の内面に形成する位相シフト素子1BはSiN層であり、位相シフト素子間の物質としては耐熱温度が600℃以上で、屈折率が低く、平坦化効果のある平坦化膜3とする。 - 特許庁
The output driver circuit is constructed to be able to selectively drive transistor groups of MN1 to MNn and MP1 to MPn in accordance with externally inputted current control signals SP1 to SPn and SN1 to SNn such that control signals PD from an output control part 3 for a PMOS transistor 11 and an NMOS transistor 12 and load driving capacity of ND are made to be changed.例文帳に追加
外部から入力される電流制御信号SP1〜SPn及びSN1〜SNnに応じて、トランジスタ群MN1〜MNn及びMP1〜MPnを選択的に駆動可能状態にすることにより、出力制御部3からPMOSトランジスタ11及びNMOSトランジスタ12に対する制御信号PD及びNDの負荷ドライブ能力を変えるようにした。 - 特許庁
The output driver circuit is constructed to be able to selectively drive transistor groups of MN1 to MNn and MP1 to MPn in accordance with externally inputted current control signals SP1 to SPn and SN1 to SNn such that control signals PD from output control 3 for PMOS transistor 11 and NMOS transistor 12, and load driving capacity of ND are made to be changed.例文帳に追加
外部から入力される電流制御信号SP1〜SPn及びSN1〜SNnに応じて、トランジスタ群MN1〜MNn及びMP1〜MPnを選択的に駆動可能状態にすることにより、出力制御部3からPMOSトランジスタ11及びNMOSトランジスタ12に対する制御信号PD及びNDの負荷ドライブ能力を変えるようにした。 - 特許庁
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