例文 (4件) |
Si 204の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
The near field optical head has a mirror substrate 201 consisting of Si and the mirror substrate 201 has a mirror surface 204 formed by crystal anisotropic etching.例文帳に追加
近視野光ヘッドは、Siから成るミラー基板201を持ち、ミラー基板201は結晶異方性エッチングによって形成されるミラー面204を持つ。 - 特許庁
Barrier layers 201a-201c are provided with a well adjacent layer 203y which is a GaN layer 203y doped with an n-type impurity such as Si being in contact with a well layer 202, and an intermediate layer 204 which is an undoped GaN layer not doped with the n-type impurity disposed between the well adjacent layer 203y.例文帳に追加
障壁層201a〜201cが、井戸層202と接するSi等のn型不純物がドープされたGaN層である井戸近接層203yと、井戸近接層203yの間にn型不純物のドープされていないアンドープのGaN層である中間層204とを備える。 - 特許庁
This film forming method comprises a process in which a compound with a siloxane bond and an Si-R bond (R is alkyl group) and a reactive gas containing an oxidizing gas and H2 are turned to plasma and made to react on each other, and a silicon-containing insulating film 204 is formed on a substrate 103.例文帳に追加
シロキサン結合とSi−R結合(Rはアルキル基)とを有する化合物と、酸化性ガスと、H_2 とを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板103上にシリコン含有絶縁膜204を成膜する成膜方法による。 - 特許庁
This silicon-containing insulating film 204 is formed on a substrate 103 through causing a reaction by ionizing a reaction gas, containing an Si(OR)nHm compound (where R is a alkyl group and n+m=4), an SiFp(OR)q compound (where R is an alkyl group and p+q=4), and an oxidizing gas into a plasma with a microwave.例文帳に追加
Si(OR)_n H_m 化合物(但し、Rはアルキル基であり、n+m=4)と、SiF_p (OR)_q 化合物(但し、Rはアルキル基であり、p+q=4)と、酸化性ガスとを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板103上にシリコン含有絶縁膜204を成膜する成膜方法による。 - 特許庁
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