Transistorを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 32728件
TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
トランジスタ及びその製造方法。 - 特許庁
PROTECTIVE CIRCUIT FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果トランジスタの保護回路 - 特許庁
MOS TRANSISTOR MANUFACTURE METHOD例文帳に追加
MOS型トランジスタの製造方法 - 特許庁
HIGH-FREQUENCY SINGLE ELECTRON TRANSISTOR CIRCUIT例文帳に追加
高周波単電子トランジスタ回路 - 特許庁
RESONANCE TRANSISTOR AND COMMUNICATION DEVICE例文帳に追加
共振トランジスタ及び通信装置 - 特許庁
TRANSISTOR AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加
トランジスタ及びこれの製造方法 - 特許庁
HORIZONTAL OUTPUT TRANSISTOR PROTECTION CIRCUIT例文帳に追加
水平出力トランジスタ保護回路 - 特許庁
TREATMENT EQUIPMENT, AND TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
処理装置、トランジスタ製造方法 - 特許庁
NEGATIVE RESISTANCE FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
負性抵抗電界効果トランジスタ - 特許庁
TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
バイポーラトランジスタとその製造方法 - 特許庁
THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY UNIT例文帳に追加
薄膜トランジスタ及び表示装置 - 特許庁
HIGH-FREQUENCY FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
高周波用電界効果トランジスタ - 特許庁
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加
酸化物半導体薄膜トランジスタ - 特許庁
METHOD OF FABRICATING CMOS TRANSISTOR例文帳に追加
CMOSトランジスタの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING TEMPERATURE INSIDE TRANSISTOR例文帳に追加
トランジスタ内部温度測定方法 - 特許庁
HYBRID MATRIX FOR THIN-LAYER TRANSISTOR例文帳に追加
薄層トランジスタ用ハイブリッドマトリックス - 特許庁
THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加
薄膜トランジスタ及び表示装置 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE VERTICAL MOS TRANSISTOR例文帳に追加
高耐圧縦型MOSトランジスタ - 特許庁
p-CHANNEL TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
pチャネル型電界効果トランジスタ - 特許庁
HETEROSTRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
ヘテロ構造型電界効果トランジスタ - 特許庁
TRANSISTOR-FREE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
トランジスタを用いないランダムアクセスメモリ - 特許庁
VERTICAL TRANSISTOR AND LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加
縦型トランジスタおよび発光素子 - 特許庁
VERTICAL TRANSISTOR AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加
縦型トランジスタおよび発光素子 - 特許庁
TRANSISTOR CIRCUIT ANALYSIS VERIFICATION DEVICE例文帳に追加
トランジスタ回路解析検証装置 - 特許庁
QUANTUM WIRE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
量子細線電界効果トランジスタ - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加
半導体トランジスタの製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING CMIS TRANSISTOR例文帳に追加
CMISトランジスタの製造方法 - 特許庁
HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
ヘテロ接合電界効果型トランジスタ - 特許庁
MULTIPLEX TRANSISTOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE例文帳に追加
多重型トランジスタ半導体構造 - 特許庁
TRANSISTOR CASCADE CONNECTION THYRISTOR ELEMENT例文帳に追加
トランジスタ縦続接続サイリスタ素子 - 特許庁
STRUCTURE OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの構造 - 特許庁
The 1st transistor is a driving transistor for driving the luminescent elements; the 2bd transistor is a switching transistor for switching on-off the driving transistor; and the driving transistor has a higher resistance than that of the switching transistor.例文帳に追加
前記第1のトランジスタは、前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタであり、前記第2のトランジスタは、前記駆動トランジスタのオン/オフをスイッチするためのスイッチングトランジスタであり、駆動トランジスタは、前記スイッチングトランジスタより大きい抵抗値を有する。 - 特許庁
A mirror transistor 202 to a transistor 201 for current sink is provided and the mirror transistor 202 controls a transistor 205 for a current source.例文帳に追加
電流シンク用のトランジスタ201に対するミラートランジスタ202を設け、ミラートランジスタ202により電流ソース用のトランジスタ205を制御する。 - 特許庁
BRAKE TRANSISTOR FAULT DETECTING CIRCUIT例文帳に追加
制動トランジスタ故障検出回路 - 特許庁
Voltage difference between an emitter-collector of a transistor 1 and the one of the transistor 9 is set by voltage difference between a base-emitter of a transistor 21 and the one of a transistor 29.例文帳に追加
そして、トランジスタ1及び9のエミッタ−コレクタ間電圧は、トランジスタ21及び29のベース−エミッタ間電圧によって設定する。 - 特許庁
STACKED MOS TRANSISTOR PROTECTIVE CIRCUIT例文帳に追加
スタック型MOSトランジスタ保護回路 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR例文帳に追加
高電圧トランジスタの製造方法 - 特許庁
DRIVE CIRCUIT FOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果トランジスタのドライブ回路 - 特許庁
OVERHEAT PROTECTION CIRCUIT AND POWER TRANSISTOR例文帳に追加
過熱保護回路及びパワー・トランジスタ - 特許庁
Each stage has an input transistor Tr1, an output transistor Tr2, a clamping transistor Tr3, and a pull-down transistor Tr4.例文帳に追加
そして、各ステージが、入力トランジスタTr1と、出力トランジスタTr2と、クランピングトランジスタTr3と、プルダウントランジスタTr4とを有している。 - 特許庁
A current flowing to a transistor 472b supplied with a current to or from the transistor 472a of a transistor group 521a varies and a transistor 473a of a transistor group 521b constituting a current mirror circuit with the transistor 472b varies.例文帳に追加
トランジスタ群521aのトランジスタ472aと電流受け渡しされたトランジスタ472bに流れる電流が変化し、トランジスタ472bとカレントミラー回路を構成するトランジスタ群521bのトランジスタ473aが変化する。 - 特許庁
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