「aluminum gallium arsenide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ix. Quantum well focal plane arrays which use gallium arsenide or aluminum gallium arsenide with less than 256 elements 例文帳に追加

９　砒化ガリウム又は砒化アルミニウムガリウムを用いた量子井戸フォーカルプレーンアレーであって、素子の数が二五六未満のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

For a multi-layer film reflection mirror 2, a semiconductor multi-layer film structure constituted of a high refractive index semiconductor layer composed of gallium arsenide or aluminum gallium arsenide and a low refractive index semiconductor layer composed of a III-V compound semiconductor including phosphorus is used.例文帳に追加

多層膜反射鏡２，２ａに、ガリウム砒素あるいはアルミニウムガリウム砒素からなる高屈折率半導体層と、燐を含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる低屈折率半導体層により構成される半導体多層膜構造を用いる。 - 特許庁

Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb).例文帳に追加

なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。 - 特許庁

The semiconductor laser element is provided with a gallium-arsenide-based or gallium-nitride-based semiconductor substrate having a ridge formed on a first principal plane, an insulation film provided to cover side faces of the ridge and the first principal plane around the ridge, an aluminum nitride film laminated on the insulation film, and a first metal electrode provided on the upper surface of the ridge and on the aluminum nitride film.例文帳に追加

第１の主面にリッジが形成されたガリウムヒ素系または窒化ガリウム系の半導体基体と、前記リッジの側面及び前記リッジの周囲の前記第１の主面を覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に積層された窒化アルミニウム膜と、前記リッジの上面と前記窒化アルミニウム膜の上に設けられた第１の金属電極と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁