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fermi problemsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
To provide a semiconductor device with a MOS structure capable of solving problems such as fermi-level pinning, gate electrode depletion, and diffusion phenomena; and capable of appropriately adjusting (controlling) a threshold voltage by using a material suitable for respective gate electrodes of the MOS structure with different threshold voltages by a more simplified manufacturing process.例文帳に追加
本発明は、フェルミレベルピニング、ゲート電極空乏化、拡散現象等の各問題を解決することができ、より簡略化した製造プロセスにより、閾値電圧が異なるMOS構造のそれぞれのゲート電極に適した材料を採用して閾値電圧を適切に調整(制御)することができる、MOS構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
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